PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  ion sputtering
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Correlation between physical properties of superlattices obtained by means of electrochemical deposition method and ion spraying
100%
Duś-Sitek M. , Nabiałek M. , Gągorowska B.
Optica Applicata
|
2009
|
tom Vol. 39, nr 4
645-653
EN
This paper compares structural and magnetic properties of Cu/Ni and Ni/Cu multilayer systems obtained by means of ion sputtering and electrochemical deposition method. The impact of both thickness of Cu and Ni sublayers and a number of bilayers repetition on magnetic properties was also investigated. The purpose of this work was to verify which method for multilayer system deposition enables samples of better structural and magnetic properties to be obtained.
2
Content available remote Effects of Ar+ ion sputtering on morphology and electric conductance of 6H-SiC (0001) surface
100%
Mazur P. , Zuber S. , Grodzicki M. , Ciszewski A.
Materials Science Poland
|
2008
|
tom Vol. 26, No. 2
265--269
EN
The paper reports surface modification of SiC by Ar+ ion sputtering. Observations were performed with an ultra high vacuum atomic force microscope operating in the contact mode. The surface morphology and topography were investigated with simultaneous measurement of local changes in electric conductance. We show that the Ar+ ion bombardment of the 6H-SiC wafer surface affects the surface stoichiometry, changing the character of a metal/SiC contact from the Schottky barrier diode type into an ohmic contact type.
3
Badania profilometryczne mikrochropowatości powierzchni tytanu rozpylanej jonami jako wstępny etap jej analizy fraktalnej
75%
Bałamucki J. , Czarnecki P. , Wilk J. , Kowalski Z. W.
|
|
tom Vol. 46, nr 6
31-32
PL
Przedstawiono wyniki badań wpływu rozpylania polikrystalicznego tytanu zneutralizowaną wiązką jonów kryptonu na mikrochropowatość jego powierzchni. Mierzono za pomocą wysokiej klasy profilometru parametry opisujące podstawowe cechy profilu: średnie arytmetyczne odchylenie profilu chropowatości Ra, wysokość chropowatości według 10 punktów Rz i maksymalną wysokość chropowatości Rm, udział nośny profilu tp. Analizowano wpływ czasu bombardowania oraz długości odcinka elementarnego (wzdłuż którego wyznaczane są parametry) na zmianę wartości tych parametrów. Przeprowadzone badania i uzyskane wyniki stwarzają możliwość analizy fraktalnej powierzchni tytanu poddanej rozpylaniu zneutralizowaną wiązką jonów kryptonu.
EN
The article presents results of studies on the influence of neutralized krypton ion-beam sputtering of polycrystalline titanium on its surface microroughness. Parameters describing the main profile features were measured by means of high quality profiometer: arithmetical mean deviation of the surface profile Ra, ten point height of irregularities Rz and maximum height of the surface profile Rm, profile bearing length ratio tp. The influence of bombardment duration and length of elementary segment (the parameters in question are measured along this segment) on those parameters changes were analysed. Experimentation and obtained results give possibility of fractal analysis of titanium surface subjected to neutralized krypton ion-beam sputtering.
4
Przygotowanie mikroskopu sił atomowych do pomiarów nanochropowatości powierzchni rozpylanej jonami : wstęp do analizy fraktalnej
75%
Marendziak A. , Gotszalk T. , Rangelow I. W. , Wilk J. , Kowalski Z. W.
|
|
tom Vol. 46, nr 6
15-17
PL
W opracowaniu przedstawiono wyniki wstępnych badań nad wpływem bombardowania jonowego na zmiany nanochropowatości powierzchni. Skoncentrowano się na podstawowych parametrach, opisujących cechy wertykalne profilu chropowatości, takich jak: średnie arytmetyczne odchylenie profilu chropowatości Ra i średnie kwadratowe odchylenie profilu Rq oraz na dwóch powszechnie stosowanych materiałach - stali nierdzewnej i tytanie. W badaniach stosowano jarzeniowe źródło z wnękową anodą, wytwarzające zneutralizowaną wiązkę jonów kryptonu o energii sięgającej kilku kiloelektronowoltów. Celem było badanie możliwości zastosowania opracowanego na Wydziale mikroskopu sił atomowych oraz oprogramowania do pomiarów nanochropowatości rozpylanej jonami powierzchni i w dalszej kolejności, jej analizy fraktalnej.
EN
This work presents results of initial studies on the influence of ion bombardment on surface nanoroughness modification. We concentrated on most often utilized in the world basic parameters describing vertical features of roughness profile, i.e.: arithmetical mean deviation of the surface profile Ra and the root mean square value of the surface roughness Rq as well as on two commonly used materials - stainless steel and titanium. In our research glow discharge ion gun with hollow anode generating neutralized krypton ion-beam with energy up to several keV was applied. The aim of the work was to investigate the possibility of application of atomic force microscope and software made in our department to nanoroughness measurements of ion sputtered surface and, in the next stage, after gathering sufficient amount of scientific material, its fractal analysis.
5
Wyznaczanie rozkładów głębokościowych domieszek metodą PIPE
75%
Pyszniak K. , Gluba Ł. , Turek M. , Droździel A. , Filiks J. , Wójtowicz A. , Żuk J. , Mączka D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
tom Vol. 52, nr 11
50-52
PL
Omówiono zastosowanie metody PIPE (Particie Induced Photon Emission) do wyznaczania rozkładów głębokościowych domieszek. Omawiana metoda pozwala również na dość dokładne wyznaczanie współczynników rozpylania... Artykuł zawiera opis stosowanej aparatury, krótkie omówienie procedury pomiarowej, oraz porównanie otrzymanych wyników z symulacjami komputerowymi.
EN
The application of PIPE (Particle Induced Photon Emission) method for dopant depth profiling is described. The method gives also a possibility to determine sputtering yields for targets. The paper contains the description of an experimental setup and the applied method, as well as the comparison of the obtained results with computer simulations.
6
Struktura geometryczna powierzchni stali i tytanu rozpylanej szeroką wiązką jonów
63%
Kowalski Z. W. , Martan J.
|
|
tom Vol. 48, nr 10
41-42
PL
Badanie struktury geometrycznej powierzchni (SGP), której podstawowymi parametrami są chropowatość oraz - rzadziej badane - falistość i wady powierzchni jest jednym z ważniejszych zagadnień związanych z modyfikacją powierzchni ciała stałego. Charakter SGP materiału zależy od rodzaju stosowanego procesu technologicznego. W opracowaniu zaprezentowano wyniki badań dotyczących wpływu bombardowania jonowego na charakter SGP. W badaniach tych wykorzystano szeroką wiązkę jonów argonu o względnie małej energii 800 eV do rozpylania powierzchni stali i tytanu oraz metodę analizy harmonicznych profilu powierzchni poddanej bombardowaniu.
EN
Investigation of surface geometrical structure (SGS) with its main components: roughness and less known and rarely investigated waviness and surface defects is one of the more important problems connected withsolid surface modification. SGS of the material depends on technological process used in the experiment. In this work the influence of ion beam bombardment on SGS character is presented. In the study broad 800 eV argon ion beam to sputter steel and titanium surfaces as well as harmonic analysis method, borrowed from electrical engineering, was utilized.
7
Analiza fraktalna powierzchni stali poddanej rozpylaniu jonowemu
63%
Kowalski Z. W. , Martan J.
|
|
tom Vol. 46, nr 6
28-30
PL
Analiza fraktalna zjawisk zachodzących podczas bombardowania jonowego ciała stałego zajmuje wśród publikacji poświęconych fraktalom niewiele miejsca. Prace prowadzone w tym zakresie są nieliczne, szczególnie dotyczące analizy fraktalnej struktury geometrycznej powierzchni (SGP) materiałów poddanych bombardowaniu jonami o względnie małej energii (rozpylanie jonowe). Opracowanie koncentruje się na mikrochropowatości powierzchni stali poddanej rozpylaniu jonami argonu o energii 800 eV.
EN
Publications on fractal analysis of phenomena occurring during ion bombardment of solid are only a small part of scientific papers relating to fractals. Only a few of papers deal with that problem, especially the problem of geometrical structure of materials bombarded with the use of relatively low energy ions (ion sputtering). This article is concentrated on steel surface microroughness induced by 800 eV argon ion sputtering and this is an attempt to fill existing gap.
8
Analiza profilowa SIMS w zastosowaniu do badań nanostruktur warstwowych
63%
Konarski P. , Ćwil M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
tom Vol. 45, nr 6
10-13
PL
Przedstawiono aparaturę badawczą SAJW-05 przeznaczoną do analizy profilowej struktur warstwowych metodą spektrometrii mas jonów wtórnych (SIMS) oraz przykładowe wyniki jej zastosowania do analizy różnorodnych struktur warstwowych. Badano struktury: lasera półprzewodnikowego InAlGaAs/GaAs o grubości warstw 3,7 um, otrzymaną metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE), wielowarstwową nanostrukturę B₄C/Mo/Si o grubości warstw 20 nm, otrzymaną metodą naparowania chemicznego (CVD), a także warstwy ochronne TiN i CrN nanoszone metodą plazmową na powierzchnię stali. Zaprezentowano wyniki uzyskane przy różnych parametrach wiązki trawiącej.
EN
Research instrument SAJW-05 designed for secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profile analysis is presented together with the examples of its application. Analysed layered systems were: semiconductor laser structure InAlGaAs/GaAs of total thickness 3.7 um obtained by molecular beam epitaxy (MBE) multilayer nanostructure B₄C/Mo/Si of total thickness 20 nm obtained by chemical vapour deposition (CVD) and Ti-Cr-N coatings on steel formed by condensation method from a plasma phase. Depth profile analyses were performed using different sputtering conditions. Ultra-low energy bombardment of B₄C/Mo/Si structure resulted in subnanometer depth profile resolution.
9
Content available remote Wpływ trawienia plazmą na wybrane parametry cienkich warstw CdTe i SnO2 dla zastosowań fotowoltaicznych
51%
Lichograj R. , Olchowik J. M. , Lichograj P. , Czernik S.
|
|
tom z. 62, nr 2
275--287
PL
Powszechnie wiadomo, iż w oddziaływaniu fotonów z materią może dojść do odbicia, absorbcji i przenikania. W rozwiązaniach fotowoltaicznych, możliwość pomiaru i kontroli tych zjawisk na poziomie badań i produkcji ma kluczowe znaczenie w odniesieniu do ich późniejszej wydajności. Możliwość kontroli grubości warstw w czasie ich nanoszenia metodą napylania magnetronowego, czy też ich redukowania stosując trawienie plazmą, pozwala na dobór optymalnych parametrów optycznych i elektrycznych tworzonych ogniw cienkowarstwowych. W niniejszej pracy trawiono plazmą cienkie warstwy CdTe i SnO2, naniesione we wcześniejszym etapie metodą rozpylania magnetronowego w próżni. Określono parametry technologiczne napylania magnetronowego i trawienia plazmą wpływające na właściwości warstw. Warstwy obrazowano przy użyciu AFM, natomiast pomiary grubości i pomiary współczynnika odbicia dokonano z wykorzystaniem elipsometrii. Przeprowadzone badania wykazały, że trawienie plazmą cienkich warstw w istotny sposób wpływa na zmianę ich refleksyjności (zarówno warstwy półprzewodnika ditlenku cyny jak i tellurku kadmu). Wykazano również ścisły związek użytej mocy i czasu trawienia z redukcją grubości warstwy. Obrazowanie AFM uwidoczniło zmiany w wielkości i ilości ziaren powierzchni trawionych warstw i wzrost ich nieregularności ułożenia, wraz ze zmieniającymi się parametrami procesu. Stwierdzono możliwość całkowitego usunięcia cienkich warstw w procesie trawienia plazmą i w efekcie możliwość uszkodzenia podłoża warstw trawionych co jednak wymaga dalszych badań w tym zakresie.
EN
It is well known that the reaction of photons with matter may lead to reflection, absorption and permeation. In the photovoltaic solutions, the ability to measure and control these phenomena at the level of research and production is crucial in terms of their performance and quality. The ability to control the thickness of the layers at the time of applying magnetron sputtering method or the plasma etching using a reduction allows for selection of the optimum optical and electrical parameters of the formed thin-layer cells. In this study, plasma was digested with thin layers of CdTe and SnO2, deposited by magnetron sputtering in a vacuum. Technological parameters of magnetron sputtering and plasma etching affecting the properties of layers have been specified. The layers were imaged using AFM, and the measurements of the thickness and reflectance measurements were made with the use of ellipsometry. The study showed the plasma etching of thin layers is an important contribution to change their reflectivity (both layers of semiconductors - tin dioxide and cadmium telluride). It was demonstrated the close relationship of the applied power and etching time with the reduction of the layer thickness. AFM imaging revealed changes in the size and number of grains etched surface layers and an increase of their irregular arrangement, together with changing process parameters. The possibility of complete removal of thin layers of plasma etching process, resulting in possible damage to the substrate etched layers has been stated, however, it requires further research in this area.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.