Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: indium tin oxide

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Evaluation of electrical resistivity, residual stress and surface roughness of sputtering indium tin oxide films with different thicknesses

100%

Tien C.-L. , Lin T.-W. , Su S.-H.

tom Vol. 51, nr 4

499--512

This paper investigates the influence of film thickness on the electrical and mechanical properties of transparent indium tin oxide (ITO) thin films. Two groups of ITO thin films deposited on unheated substrates were prepared by the radio-frequency magnetron sputtering technique. The biaxial residual stress and surface roughness for two groups of ITO thin films were measured by a Twyman–Green interferometer and a Linnik microscopic interferometer, respectively. The electrical resistivity of the ITO films was measured by a four-point probe apparatus, the thickness was determined mechanically with a profilometer. The measurement results show that the average resistivity of ITO thin films decreases with increasing the deposited thickness. The compressive residual stress in the ITO thin films decreases with increasing the deposited thickness. We also find that an anisotropic stress in the two groups of ITO films is more compressive in a certain direction. The RMS surface roughness in the two groups of ITO films is less than 1 nm.

Efektywne, niskotemperaturowe osadzanie tlenku indowo-cynowego (ITO) metodą impulsowego rozpylania magnetronowego

75%

Cichy B. , Posadowski W. , Górecka-Drzazga A.

2008

tom Vol. 49, nr 6

101-103

Badano proces osadzania cienkich warstw tlenku indowo-cynowego (ITO) na podłoża szklane metodą reaktywnego, impulsowego rozpylania magnetronowego targetu ITO (90% In₂O₃, 10% SnO₂) w temperaturze pokojowej. W celu poprawienia elektrycznych i optycznych właściwości napylonych warstw po procesie rozpylania wygrzewano je w próżni. Wygrzane warstwy charakteryzowały się niską rezystywnością około 10⁻⁴ Ω oraz wysoką transmisją światła w zakresie widzialnym, sięgającą 85%.

Results of the room temperature deposition of indium-tin (ITO) layers from In₂O₃ : SnO₂ target (10% SnO₂) by pulsed magnetron sputtering are presented. ITO thin layers were deposited on the glass substrates. Sputtering process was performed in pure Ar and Ar + O₂ mixture. Post deposition vacuum annealing of ITO thin films caused meaningful decrease of their resistivity. The transparency of obtained layers was greater than 85% in visible spectrum.

Wpływ trawienia na właściwości powierzchni tlenku indowo-cynowego (ITO)

63%

Araźna A. , Janeczek K. , Kozioł G. , Futera K. , Stęplewski W.

2013

tom Vol. 54, nr 4

82-84

W pracy oceniano właściwości powierzchni warstw tlenku indowo- cynowego (ITO) poddanych różnym sposobom przygotowania podłoża. Określano wartości kąta zwilżania i swobodnej energii powierzchniowej próbek warstw ITO. Zastosowano trzy sposoby przygotowania powierzchni ITO: czyszczenie w płuczce ultradźwiękowej w acetonie i alkoholu etylowym w temperaturze otoczenia, czyszczenie w roztworze amoniakalnym w temperaturze 60°C oraz wygrzewanie w tlenowej plazmie wyładowania jarzeniowego pod ciśnieniem 0,1 x 10 ⁻³ Ba. Wyniki badań wykazały że właściwości powierzchni ITO ściśle zależą od zastosowanego sposobu przygotowania podłoża. Stwierdzono, że spośród badanych najbardziej efektownym sposobem przygotowania powierzchni ITO jest trawienie w tlenowej plazmie wyładowania jarzeniowego. Dla próbek czyszczonych tym sposobem uzyskano znaczący wzrost wartości energii powierzchniowej od 23,4 mJ/m² do 66,7 mj/m². Oznacza to, że ten sposób trawienia był najbardziej efektywny spośród badanych i czynił powierzchnię warstw ITO najbardziej hydrofilową.

In this work, a study of the surface properties of treated indium tin oxide (ITO) substrates was made. The surface characteristics of ITO thin films are investigated by contact angle and surface free energy (SFE) measurements. We used three differenf cleaning treatments among others: washing in an ultrasonic bath of acetone and ethyl alcohol (R1) in room temperature, dipping into alkaline solution at 60°C as well as oxygen glow discharge under pressure 0.1x10⁻³ Ba. Experimental results show that the ITO surface properties are closely related to the treatment methods. We stated that the most efficient cleaning treatment was oxygen glow discharge. This way of treatment yields the highest surface energy (66.7 mJ/ m2) and brings about the maximum reduction in contact angles of ITO substrates. It means that this manner of the etching was most effective and made the most hydrophilic surface of ITO layers.