Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

2 Synowiec Z.

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: implant isolation

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Electrical conductivity of implant isolation in GaAs

100%

Synowiec Z.

tom Vol. 44, nr 2

349-356

GaAs wafers with the Si doped epitaxial layers were bombarded by double energy of oxygen ions with 250 keV and 100 keV of 10[indeks górny]12 cm-2÷5x10[indeks górny]13 cm-2 doses followed by 500°C annealing process. Temperature dependence of the layer resistivity was evaluated in the temperature range 30÷423 K for the above structures to estimate the conduction mechanism in the material. Variable range hopping conductivity dominated at temperatures up to 300 K for high ion doses (5x10[indeks górny]13 cm-2) and up to 250°K for lower doses (10[indeks górny]13 cm-2). At higher temperatures, the resistivity data plotted indicated a transition from hopping to conduction through the extended states.

Płytki GaAs z domieszkowanymi krzemem warstwami epitaksjalnymi bombardowano dwukrotnie jonami tlenu o energii 250 keV i 100 keV i o dawce od 10[indeks górny]12 cm-2 do 5x10[indeks górny]13 cm-2, a następnie wygrzewano w temperaturze 500°C. Dla oceny mechanizmu przewodnictwa w materiale powyższych struktur określono temperaturową zależność rezystywności warstw w temperaturze od 30 do 423 K. Przewodnictwo hoppingowe o zmiennym zasięgu dominowało do 300 K dla przypadku wysokich dawek jonów (5x10[indeks górny]13 cm-2) i do 250 K dla niższych dawek (10[indeks górny]12 cm-2). W wyższych temperaturach, wykreślone temperaturowe zależności rezystywności wskazują na przechodzenie od hoppingu do przewodnictwa po stanach rozciągłych.

Stałoprądowe właściwości elektryczne izolacji implantowanej w arsenku galu

100%

Synowiec Z.

1998

tom T. 26, nr 1

40-55

Zbadano właściwości elektryczne izolacji implantowanej w GaAs, takie jak transport nośników ładunku elektrycznego, stabilność termiczną i wytrzymałość na przebicie elektryczne. Wyjaśniono mechanizm przebicia elektrycznego oraz wpływ podłoża i warstwy buforowej na właściwości materiału. Stabilność termiczna zależy od gęstości defektów wynikającej z dawki bombardujących jonów:. Przedstawiono charakterystyki prądowo-napięciowe (I-U) izolacji o różnych długościach. Z drugiej strony taki sam wpływ długości izolacji na wytrzymałość elektryczną w przypadku półizolującego arsenku galu (SI) GaAs wskazuje na dominujący wpływ podłoża z jego stanami powierzchniowymi na wytrzymałość elektryczną struktur z izolacją implantowaną. Ponieważ podłoże GaAs może obniżać wytrzymałość elektryczną izolacji implantowanej, wymagana jest nie domieszkowana warstwa buforowa. Konieczna grubość bufora zależy od długości izolacji i wymaganego napięcia przebicia.

The electrical properties of implant isolation in GaAs such as electrical carrier transport, thermal stability and electrical breakdown strength are determined. The mechanism of electrical breakdown and influence of a substrate and a buffer layer on material properties are explained. The thermal stability is determined by a defect density as a function of ion bombarding dose.