Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Characteristics and Applications of Silicon Carbide Power Devices in Power Electronics

100%

Kondrath N. , Kazimierczuk M. K.

|

tom Vol. 56, No. 3

231-236

EN

Silicon carbide materials, with its high mechanical strength, high thermal conductivity, ability to operate at high temperatures, and extreme chemical inertness to most of the electrolytes, are very attractive for high-power applications. In this paper, properties, advantages, and limitations of SiC and conventional Si materials are compared. Various applications, where SiC power devices are attractive, are discussed.

2

Elektronika wysokotemperaturowa

84%

Lisik Z.

|

2003

|

tom Vol. 49, z. 2

225-245

PL

Typowy sprzęt elektroniczny jest projektowany do pracy w maksymalnym zakresie temperatur -55C do 125C, nazywany zakresem militarnym (ang. "military range"). W pewnych sytuacjach występuje jednak konieczność wprowadzenia aparatury elektronicznej do otoczenia o znacznie wyższej temperaturze lub też może wystąpić wysoka temperatura wewnątrz przyrządów elektronicznych wywołana efektem samonagrzewania. Stało się to impulsem do zainicjowania badań nad możliwościami konstrukcji takiej aparatury, a ich efektem było wyodrębnienie nowej dziedziny elektroniki, nazwanej "elektroniką wysokotemperaturową" (lub skrótowo HTE od ang "High-temperature electronics"). W pracy skupiono się na przedstawieniu specyfiki tej nowej dziedziny elektroniki. W szczególności, co należy rozumieć pod terminem elektronika wysokotemperaturowa, jakie obszary aplikacji ona obejmuje i jakie jest jej miejsce na rynku. Przedstawiono także jakie nowe problemy są z nią związane i jak one mogą być rozwiązywane, skupiając się w tym przypadku na materiałach półprzewodnikowych, które są kluczowym elementem rozwoju HTE.

EN

The standard electronics equipment is designed to work within the temperature range called the "military range". For some cases, however, one needs to introduce electronics into the environment with higher temperature or the higher inside temperatures caused by the selfheating are required. These needs had became the impulse to start the research how to manufacture such an equipment, which resulted in creation of the new field of electronics called "high temperature electronics" (HTE). The paper is aimed at the introduction of the HTE specifity. In particularly, what this term means, which kinds of application it covers and which place it has on the market. New problems created by the HTE applications and how they can be solved are presented as well, but in this case the interest is limited to the semiconductor materials that are of crucial importance for HTE development.

3

Technika grubowarstwowa i LTCC w realizacji elementów elektroniki wysokotemperaturowej

84%

Dziedzic A. , Nowak D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

tom Vol. 53, nr 2

61-64

PL

Obecnie, dzięki rozwojowi inżynierii półprzewodników szerokopasmowych, obserwuje sie rosnące zainteresowanie elektroniką wysokotemperaturową. Prowadzi to także do rozwoju odpowiednich elementów biernych celem umożliwienia wytwarzania modułów funkcjonalnych. W artykule przedstawiono właściwości komponentów biernych realizowanych w technice grubowarstwowej lub technologii ceramiki niskotemperaturowej współwypalanej (LTCC) uwzględniających wymagania elektroniki wysokotemperaturowej.

EN

At this very moment, thanks to development of wide-band semiconductors' engineering, an inereasing interest in the field of high-temperature electronics is observed. This leads also to the development of proper passives in order to enable fabrication of fully functional modules. This paper presents the properties of passive components made in thick-film or Low-Temperature Cofired Ceramics (LTCC) technologies fulfilling demands of high-temperature electronics.

4

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych : Panorama Projektu PO IG 01.03.01-00-159/08 InTechFun

67%

Piotrowska A. , Kamińska E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

tom Vol. 52, nr 9

19-24

PL

Nakreślono tło ustanowienia projektu i zasadność podjęcia prowadzonych prac. Przedstawiono cele projektu i zakres działalności badawczo-rozwojowej. Omówiono strategię badawczą przyjętą dla realizacji zasadniczego celu naukowego projektu jakim jest opracowanie nowych rozwiązań technologicznych i projektowych, a w oparciu o nie realizacja nowych przyrządów półprzewodnikowych wykorzystujących półprzewodniki szerokoprzerwowe - ZnO i półprzewodniki pokrewne, GaN i materiały pokrewne oraz SiC. Przedstawiono kryteria oceny postępu prac i specyfikację wyników końcowych, zwracając uwagę na to iż końcowym wynikiem projektu ma być nie tylko demonstracja nowych struktur materiałowych i przyrządów półprzewodnikowych lecz także realizacja interdyscyplinarnej platformy B+R umożliwiającej prowadzenie prac badawczo-rozwojowych zarówno w czasie trwania projektu jak i w skali długoczasowej, minimum przez 5 lat po zakończeniu projektu.

EN

Background information on the project and a motivation behind have been outlined, project goals and scope have been presented. Research strategy has been discussed which aims at developing innovative technological processes and designs, and basing on these, novel semiconductor devices making use of wide bandgap semiconductors - ZnO. III-nitrides, and SiC. Criteria to evaluate the project progress and specification of project outcomes were given indicating that the final result of the project will rely not only on the demonstration of novel devices and products but also on establishing an interdisciplinary R&D platform capable to perform creative work, both within the project duration and in long-term timescale, minimum 5 years after the end of the project.