Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Metodyka określania parametrów elektrycznych warstw GaSb osadzonych na przewodzącym podłożu

100%

Kotowski M. , Czuba K. , Smoczyński D. , Jasik A.

|

2019

|

tom R. 95, nr 9

123--126

PL

W artykule podjęto próbę określenia parametrów warstw epitaksjalnych GaSb o różnej koncentracji atomów berylu osadzonych na przewodzących podłożach GaSb o dziurowym typie przewodnictwa. Wykorzystano do tego zaproponowany w literaturze model wielowarstwowy, który zweryfikowano przez pomiar parametrów elektrycznych warstwy GaSb osadzonej na półizolującym podłożu GaAs. Stwierdzono, że model pozwala poprawnie określać parametry elektryczne warstw wówczas, gdy przewodność całej struktury jest większa niż przewodność podłoża. W przypadku odwrotnym otrzymano zawyżone wartości ruchliwości nośników w temperaturze pokojowej w porównaniu do wartości uzyskanych w temperaturze 77 K dla koncentracji nośników ok. 5 x 1017 cm3.

EN

In the paper, an attempt was made to determine electrical parameters of GaSb:Be layers with various doping concentration grown on conductive p-type substrate. A multi-layer model proposed by Arnaudov et al [10] was used. To verify it, the model was applied to the experimental data obtained for GaSb/GaAs(SI) sample. It was proven that the model correctly calculates electrical parameters, when the conductivity of the entire sample is larger than that of a substrate. In the opposite situation, overestimated values of hole mobility at room temperature were obtained for GaSb layer with p = 5 x 1017 cm3 in comparison with correct values at 77 K.

2

Struktury na bazie ZnO do detekcji światła ultrafioletowego

100%

Paradowska K. , Płaczek-Popko E. , Zielony E. , Pietrzyk M. , Kozanecki A.

|

tom R. 92, nr 9

39--42

PL

W poniższej pracy, dwie struktury p-Si/n-ZnMgO zostały scharakteryzowane pod kątem zastosowania w detektorach światła ultrafioletowego (UV). Przeprowadzone zostały pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V), fotoluminescencji (PL) oraz fotoodpowiedzi. Charakterystyki I-V zostały zmierzone w 310 K i pozwoliły stwierdzić, że obie struktury posiadają właściwości prostujące. Pomiary fotoluminescencji i fotoodpowiedzi zostały przeprowadzone w temperaturze pokojowej. Została przeprowadzona dokładna analiza widm fotoluminescencji, które w jednej z próbek ujawniły pasma emisyjne świadczące o obecności defektów. Pomiary fotoodpowiedzi również zostały szczegółowo przeanalizowane, podane zostały główne wady badanych struktur oraz rozwiązania, które mogą przyczynić się do udoskonalenia struktur.

EN

In our paper, two p-Si/n-ZnMgO structures were characterized in terms of applicability in ultraviolet light detectors. A few measurement techniques have been applied: current-voltage (I-V) characteristics, photoluminescence (PL) and photoresponsivity measurements. I-V characteristics were measured at 310 K and allowed us to conlcude, that both of investigated structures have rectifying properties. Photoluminescence and photoresposivity measurements were performed at room temperature. The analysis of PL spectra exhibited emission bands corresponding to defects in one of studied samples. Photoresponsivity spectra were also thoroughly examined – the most important disadvantages of analysed structures were given together with possible solutions, which can be applied in order to obtain well-working UV detectors.

3

Heterostruktury w niechłodzonych detektorach podczerwieni

100%

Gawron W. , Rogalski A. , Madejczyk P. , Pawluczyk J. , Piotrowski J. , Piotrowska A.

|

2010

|

tom Vol. 51, nr 10

106-109

PL

Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe to jeden z niewielu produktów optoelektronicznych produkowanych obecnie w Polsce i eksportowanych do wielu krajów świata. Przyrządy te znajdują zastosowania praktyczne w nowoczesnej aparaturze naukowej i medycznej, w przemyśle, ochronie środowiska naturalnego, technice wojskowej. Artykuł prezentuje obecny stan rozwoju niechłodzonych detektorów podczerwieni w Polsce.

EN

Uncooled infrared photodetectors from HgCdTe are one of few optoelectronic products manufactured currently in Poland and exported to many countries worldwide. The devices have found important applications for scientific and medical instruments, in industry, environment protection, and military technique. The paper presents the state-of-art in the field of uncooled photodetectors from HgCdTe in Poland.

4

Długofalowe detektory podczerwieni dla telekomunikacji optycznej w otwartej przestrzeni

80%

Gawron W. , Gutowska M. , Pędzińska M. , Pawluczyk J. , Piotrowski J.

|

2010

|

tom Vol. 51, nr 10

76-79

PL

Praca pokazuje zasady projektowania i właściwości detektorów podczerwieni dla szerokopasmowych modułów detekcyjnych przeznaczonych dla otwartych łączy optoelektronicznych. Są to heterostrukturalne fotodetektory długofalowego (8...12 µm) promieniowania podczerwonego pracujące bez chłodzenia kriogenicznego. Podstawą konstrukcji fotodetektorów są złożone heterostruktury HgCdTe wytwarzane metodą MOCVD.

EN

Long wavelength infrared photodetectors from HgCdTe for the second generation free-space optical links are reported. The photodetectors are based on optically immersed photodiodes operating with Peltier coolers. The photodiodes are based on HgCdTe heterostructure. The devices have been grown using Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD).