Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: heterostruktura AlGaN/GaN

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ światła na rezystancję powierzchniową heterostruktury AlGaN/GaN

100%

Pokryszka P. , Paszkiewicz B.

2018

tom R. 94, nr 9

29--31

Rezystancja powierzchniowa jest jednym z najczęściej wykorzystywanych parametrów elektrycznych wytworzonych cienkich warstw. Szczególną cechą rezystancji powierzchniowej jest jej skalowalność, którą często wykorzystuje się w ocenie jakościowej przyrządów półprzewodnikowych zaprojektowanych w różnej skali. W pracy przedstawiono wpływ pobudzenia UV na GaN. Na podstawie zaprezentowanej metody zbadano wpływ światła na rezystancję powierzchniową oraz uzyskano charakterystykę widmową heterostruktury AlGaN/GaN. Pomiary wykonano z wykorzystaniem struktury testowej typu Hall bar. Wzrost heterostruktury AlGaN/GaN uzyskano metodą MOCVD. Pomiary przeprowadzono w temperaturze pokojowej natomiast czynnikiem pobudzającym było światło z zakresu 280-640 nm. W pracy zbadano i omówiono zmianę rezystancji powierzchniowej w funkcji długości fali światła pobudzającego, analizowano również obecność głębokich poziomów w heterostruktorze AlGaN/GaN.

Sheet resistance is most commonly used electrical parameters of thin films produced. A special feature of sheet resistance is its scalability, which is often used in the qualitative assessment of semiconductor devices designed at different scales. The paper presents the effect of UV excitation on GaN. Based of presented method, influence of light on sheet resistance was investigated and spectral characteristic of AlGaN/GaN heterostructure were obtained. Based on presented method, influence of light on sheet resistance was examined and spectral characteristic of AlGaN/GaN heterostructure were obtained. Measurements were made using the Hall bar test structure. Grown by obtained MOCVD methods. The Hall bar test structures were fabricated and investigated at room temperature and light in 280-640 nm range. The work examines and discusses the change of sheet resistance as a function light was also analyzed in the presence of deep level AlGaN/GaN heterostructure.

Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl₂/BCl₃

100%

Gryglewicz J. , Oleszkiewicz W. , Wośko M. , Szyszka A. , Paszkiewicz B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

tom Vol. 52, nr 11

19-21

W procesie reaktywnego trawienia jonowego (RIE) wielkiej częstotliwości (w.cz) heterostruktur AlGaN/GaN, badano wpływ oddziaływania potencjału auto-polaryzacji dc podłoży (dc bias) oraz mocy wyładowania w.cz. na morfologię trawionej powierzchni oraz szybkość trawienia azotku galowo-glinowego. Procesy trawienia heterostruktur AlGaN/GaN, wytworzonych przy ciśnieniu atmosferycznym, techniką LP-MOVPE, wykonywano w urządzeniu Oxford Instruments Plasmalab 80Plus RIE. Szybkości trawienia oraz wpływ oddziaływania bombardowania jonowego na trawioną powierzchnię podloża badano przy użyciu mikroskopu sił atomowych (AFM) firmy Veeco Instruments pracującym w modzie tappingu. Podłoża testowe trawiono w plazmie chlorowej w stałej proporcji mieszaniny gazów CI₂/BCI₃/Ar.

This work is concentrated on description of influence of process conditions on RIE of AlGaN/GaN heterostructures results, especially the influence of self-dc bias and rf power on morphology and etch rate of AlGaN. In study Oxford Instruments Plasmalab80 RIE tool was used to perform RIE processes on heterostructures grown using MOVPE technique at atmospheric pressure. The etch rates and the influence of ion bombardment on the heterostructures surface was studied by atomic force microscope (AFM) in tapping mode. The test heterostructures were etched in chlorine-based plasma at constant gas mixture of CI₂ /BCI₃/Ar.