Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: heat equation

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

An inverse backward problem for degenerate two-dimensional parabolic equation

100%

Atifi K. , Essoufi E.-H. , Khouiti B.

tom Vol. 40, no. 4

427--449

This paper deals with the determination of an initial condition in the degenerate two-dimensional parabolic equation [formula], where Ω is an open, bounded subset of R2, a [formula] with a ≥0 everywhere, and [formula], with initial and boundary conditions [formula] from final observations. This inverse problem is formulated as a minimization problem using the output least squares approach with the Tikhonov regularization. To show the convergence of the descent method, we prove the Lipschitz continuity of the gradient of the Tikhonov functional. Also we present some numerical experiments to show the performance and stability of the proposed approach.

Determination of the continuous casting cross-section with prescribed average temperature

84%

Grzymkowski R.

tom Vol. 8, iss. 4

51-54

This paper presents the method of determination of the continuous casting cross-section, in which average temperature was equal to a prescribed value. The method proposed here does not require evaluation of temperature distribution. On the basis of input data, a linear or non-linear equation is created (depending on the heat flux form on the region boundaries), which solution enabled determination of the cross-section.

Gate level thermal simulation of CMOS ICs with emphasis on switching power

67%

Kłąb S. , Napieralski A. , De Mey G.

2009

tom Vol. 50, nr 12

52-55

Thermal issues in today's VLSI circuits are under intensive research due to technology scaling and increasing power density. Nowadays, more than a half of IC failures is caused by exceeded heating of a semiconductor structure. Therefore, it is necessary to constantly develop accurate methods capable of predicting temperature profile inside the chip structure. We propose a model to obtain variation of temperature in digital CMOS ICs, resulting from dynamic power dissipation. A gate-level logic simulator prepared by authors is coupled with temperature calculation method based on analytical solution of the heat equation. Planar heat sources are represented by a finite area and images method is used to apply proper boundary conditions. Temperature and its influence on propagation delay is calculated in consecutive steps of a simulation. Use of logic simulation instead of circuit-level simulation enables us to save computation time. Moreover, the analytical solution does not have drawbacks specific for numerical methods, e.g. it is not needed to use a mesh. The proposed method let us also observe fast changing temperature variations and propagation delay fluctuations within a small range of time. Ring oscillator circuits were used to show proper operation of implemented software application. Simulations were made for a generic 90 nm technology using basic digital circuits.

Zjawiska cieplne we współczesnych układach VLSI wymagają intensywnych badań naukowych ze względu na postępującą miniaturyzację oraz rosnące gęstości mocy traconych w przyrządach. Szacuje się, iż ponad połowa uszkodzeń układów mikroelektronicznych jest powodowana przez nadmierne nagrzewanie struktury półprzewodnikowej. Z tego względu konieczne jest stałe rozwijanie metod pozwalających na oszacowanie profilu temperatury wewnątrz układu. Autorzy proponują model pozwalający określić zmiany temperatury w cyfrowych układach CMOS wywołane stratami dynamicznymi mocy. Został przygotowany symulator logiczny na poziomie bramek sprzężony z mechanizmem wyznaczania temperatury opartym na analitycznym rozwiązaniu równania transport ciepła. Źródła ciepła są ograniczane skończoną powierzchnią, a w celu wprowadzenia warunków brzegowych zastosowano metodę obrazów (ang. Mirror Images Metod). Temperatura oraz jej wpływ na czas propagacji stanów logicznych są znajdowane w kolejnych krokach symulacji. Prawidłowość pracy symulatora została zbadana z użyciem układów oscylatorów pierścieniowych. Symulacje przeprowadzono dla technologii 90 nm.