Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: gallium arsenide

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Stanowisko do badania temperaturowych i częstotliwościowych zależności właściwości elektrofizycznych implantowanych półprzewodników

100%

Kołtunowicz T.

tom Vol. 48, nr 10

37-40

W pracy przedstawiono komputerowe stanowisko do badania temperaturowych i częstotliwościowych zależności właściwości elektrofizycznych półprzewodników, które zostało zbudowane w Katedrze Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć Politechniki Lubelskiej.

In the paper are presented computer station to testing temperature and frequency dependence of electrophysical properties of semiconductors, which was built in Department of Electrical Devices and High Voltage Technology Lublin University of Technology.

First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland

100%

Gębski M. , Śpiewak P. , Kołkowski W. , Pasternak I. , Głowadzka W. , Nakwaski W. , Sarzała R. P. , Wasiak M. , Czyszanowski T. , Strupiński W.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

2021

tom Vol. 69, nr 3

art. no. e137272

The paper presents the first vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) designed, grown, processed and evaluated entirely in Poland. The lasers emit at »850 nm, which is the most commonly used wavelength for short-reach (<2 km) optical data communication across multiple-mode optical fiber. Our devices present state-of-the-art electrical and optical parameters, e.g. high room-temperature maximum optical powers of over 5 mW, laser emission at heat-sink temperatures up to at least 95°C, low threshold current densities (<10 kA/cm2) and wall-plug efficiencies exceeding 30% VCSELs can also be easily adjusted to reach emission wavelengths of around 780 to 1090 nm.

Research on Jump Mechanism of Electric Charge Transfer Probability in Gallium Arsenide Irradiated with H+ Ions

100%

Węgierek P. , Billewicz P.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

tom R. 88, nr 11b

364-365

In the article the results of research on gallium arsenide irradiated with H+ ions have been presented as well as occurred correlations between probability of electron’s jump and sample annealing temperature have been discussed. Obtained results have confirmed that value of probability is strictly connected with the type of radiation defects formed as a consequence of irradiating tested sample with H+ ions.

W artykule przedstawiono rezultaty badań arsenku galu naświetlonego jonami H+ oraz omówiono występujące w nim zależności prawdopodobieństwa wystąpienia przeskoku elektronu od temperatury wygrzewania próbki. Otrzymane wyniki potwierdzają, że wartość prawdopodobieństwa przeskoków jest ściśle związana z typem defektów radiacyjnych, powstałych w wyniku naświetlania materiału badawczego jonami H+.

Mechanizm przewodnictwa elektrycznego w arsenku galu implantowanym jonami

100%

Węgierek P. , Kowalski M.

tom Vol. 50, nr 9

42-44

W artykule przedstawiono rezultaty badań właściwości elektrycznych arsenku galu zdefektowanego polienergetyczną implantacją jonów H⁺. Dokonano analizy mechanizmu przewodzenia prądu elektryczego wykorzystując zależności częstotliwościowe i temperaturowe przewodności elektrycznej. Na jej podstawie wykazano, że całkowita konduktywność jest superpozycją dwóch składowych: pasmowej, która dominuje przy niskich częstotliwościach, i skokowej, charakterystycznej dla dużych wartości częstotliwości.

The article presents results of testing electric properties of gallium arsenide defected with poly-energy implantation of H⁺ ions. An analysis of electric current conduction mechanism has been performed based on frequency and temperature dependences of electrical conductivity. It has been shown that total conductivity is a superposition of two components: the band one that dominates at low frequencies and the jump one that is characteristic for high frequency values.