W artykule przedstawiono problem wytwarzania wysokiej próżni w mikrourządzeniach o objętości roboczej mniejszej niż 1 cm³ oraz propozycję jego rozwiązania. Brak odpowiednich technik hamuje rozwój mikrosystemów próżniowych typu MEMS/MOEMS (Mikro-Elektro-Mechaniczne Systemy/ Mikro-Opto-Elektro-Mechaniczne Systemy) oraz uniemożliwia wytwarzanie złożonych urządzeń Mikro- i Nanoelektroniki Próżniowej. Wydaje się, że optymalnym rozwiązaniem byłoby wytworzenie mikropompy próżniowej, która mogłaby być w pełni zintegrowana z mikrourządzeniem próżniowym. Przedstawiono opisane w literaturze miniaturowe pompy próżniowe, które zostały wykonane z zastosowaniem technologii mikroelektronicznych i mikroinżynieryjnych. Żadne z opublikowanych rozwiązań nie pozwala na uzyskanie wysokiej i ultrawysokiej próżni Przedyskutowano możliwości miniaturyzacji różnych typów pomp, ze szczególnym uwzględnieniem pomp sorpcyjnych oraz związane z tym ograniczenia technologiczne. W pracy przedstawiono koncepcję konstrukcji krzemowo-szklanej mikropompy orbitronowej, która powinna umożliwić wytworzenie wysokiej próżni w mikroobjętości. Prace technologiczne rozpoczęto od opracowania głównego elementu mikropompy orbitronowej, czyli źródła elektronów. Wykonano polowe, planarne źródło elektronów oraz zmierzono jego właściwości emisyjne. Uzyskano napięcie progowe emisji poniżej 30 V oraz prąd elektronowy przekraczający 100 µA (przy ok. 100 V). Wydaje się, że opracowane źródło umożliwi wykonanie demonstratora orbitronowej mikropompy próżniowej. Rozpoczęto badania nad technologią mikropompy.
EN
In this article a problem of high vacuum generation in microdevices (with volume less then 1 cm³) has been introduced. The inability to obtain and maintain high vacuum level within a microcavities inhibits further development of complex vacuum microsystems and nanoelectronics devices. It is assumed that the optimal solution would be to fabricate a micropump fully integrated with other microdevices. MEMS-type micropumps presented in the literature are only able to generate low vacuum (pressure above 1 kPa). Possibilities of miniaturization of different kind of pumps (especially sorption pumps) and associated with it limitations have been described. In this article a novel concept of a silicon-glass orbitron micropump has been presented. In our opinion, it could be integrated with other microsystems and be able to generate high vacuum. The experimental work started with elaboration of a thin-film planar electron source, which is the most important element of a micropump. Obtained data: high current (over 100 µA) and low threshold voltage (less then 30 V) give a chance for future implementation in a complete micropump's structure.
Badanie emisii polowej nanokompozytowych warstw Ni - C wymaga rejestrowania charakterystyk prądu emisji w funkcji czasu oraz prądu emisji w funkcji napięcia anodowego. Zapisywanie odczytywanych danych "ręcznie" jest żmudne, czasochłonne i mało precyzyjne dlatego celowe jest zastosowanie komputerowego rejestrowania wyników pomiarów. W tym celu użyty został w naszym instytucie mikrokontroler z muitipleksowanym przetwornikiem A/C jako urządzenie pomiarowe oraz komputer PC do gromadzenia, przetwarzania i zapisywania wyników. Łączność między mikrokontrolerem a komputerem odbywa się poprzez łącze RS232. Mikrokontroler pracuje w oparciu o dedykowany program napisany w języku "C". Komputer PC pracuje pod kontrolą systemu Windows XP oraz program napisany w środowisku LabView.
EN
Field emission studies require research current - voltage characteristics as well as a current of emission vs. of time enrollment characteristics for a studied material. Data acquisition with "manually" manner is time - consuming and not precised whereas employment of computer measurement for data acquisition enable performing better and more precise data acquisition. Microcontroller with multiplexed converter A/C and computer for collecting and processing of results have been used in our set - up. Computer - microcontroller link was realized by RS232. Microcontroller is programmed in the language "C". Computer system was windows XP and program was written in environment LabView.
W artykule opisano nową metodę pomiaru wysokiego napięcia wykorzystującą zjawisko emisji polowej elektronów. Przedstawiono wyniki badań warstw nanokompozytowych Ni-C pod kątem zastosowania ich w przyrządach pomiarowych opartych o wspomniane zjawisko.
EN
The new method of high voltage measurement using field emission phenomena is described in the paper. There are presented results of research on Ni-C nanocomposite layers in order to application in measuring instruments based on mentioned phenomena.
4
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
Diamond-like carbon films were deposited onto silicon substrates by RF PCVD technique. The measurements of the emission current carried out in vacuum using diode configuration system. SEM examinations carried out after current emission measurements indicate on a defect of DLC surface morphology. The analysis both no defected and defected areas of DLC films during film emission measurements was made by Raman Spectroscopy technique. The Raman spectra showed sharp peak of amorphous silicon and no peaks characteristic for DLC films D and G bands in the damage region. The results indicate that DLC films may undergo electroforming and electroerosion processes during film emission measurements.
PL
Warstwy diamentopodobne osadzono na podłożu krzemowym przy użyciu techniki RF PCVD. Pomiary emisji wykonano w próżni 10-4 Pa, w układzie diodowym, w którym warstwa DLC stanowiła katodę. W trakcie emisji elektronów może zachodzić lokalne przegrzanie materiału, prowadzące, w kolejnych cyklach pomiarowych, do odparowania, bądź sublimacji warstwy DLC i zdefektowania jej powierzchni. Do analizy niezdefektowanych oraz zdefektowanych obszarów warstw DLC użyto spektroskopii Ramana oraz mikroskopii elektronowej SEM.
5
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
Rozwój urządzeń nanoelektroniki próżniowej jest ograniczony brakiem możliwości wytworzenia wysokiej i ultra wysokiej próżni w objętości mniejszej niż 1 cm3. W pracy przedstawiono konstrukcję i technologię mikropompy jonowo-sorpcyjnej, która może być zintegrowana z każdym urządzeniem wytworzonym technikami mikroinżynieryjnymi. Wykonano struktury testowe mikropompy i zmierzono ich właściwości.
EN
The development of vacuum nanoelectronics devices is limited due to an unsolved problem of high and ultrahigh vacuum generation inside cavity smaller than 1 cm3. In the work construction and technology of the ion-sorption vacuum micropump, which can be integrated with each microdevice that is fabricated using microingineering techniques, is described. The test structures of the micropump have been produced and preliminary characterized.
W artykule zostały przedstawione wyniki badań niektórych własności (struktury, składu, rezystancji oraz ich zmiany pod wpływem zachodzącej emisji elektronowej) warstw układu węgiel - metal M (M = Ni, Pd). Badanie wykonano metodami: transmisyjnej i skaningowej mikroskopii elektronowej, dyfrakcji elektronowej, spektrometrii dyspersji energii oraz spektrometrii ramanowskiej. Badania własności elektrycznych warstw i pomiary związane z emisją elektronową wykonywane były w specjalnie skonstruowanym układzie diody pomiarowej. Zmierzono charakterystyki prądowo-napięciowe warstw wykazujących emisję elektronową. Natężenie prądu tej emisji można było korelować ze strukturą warstw. Dla niektórych warstw otrzymano wysoką gęstość prądu emisji elektronowej, np. J - 1A/cm2 przy polu E = 5 V/um.
EN
Tne results of the investigations of structure, composition and some electrical properties as well as electron emission experiment for carbon - metal M (where M = Ni, Pd) films are presented in this paper. The structural studies were performed with transmission and scanning electron microscopy, electron diffraction and Raman spectrometry. The composition of the films was obtained with energy dispersive spectrometry and chemical analysis. The electrical properties of these films and electron emission current were measured with specially constructed diode system. I-U characteristics were obtained for the films exhibiting electron emission. The intensityof electron current was correlated with the structure of films. High density of electron current was obtained for Iow threshold fields for some films. It was observed J - 1A/cm2 for field value E = 5 V/um.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.