W artykule zostały opisane podstawy procesu krystalizacji cienkich warstw epitaksjalnych znanego pod nazwą epitaksja warstw atomowych w ultrawysokiej próżni oraz wskazane zostały przykłady zastosowań tej metody w technologii struktur półprzewodnikowych występujących w przyrządach elektronicznych.
EN
Principles of the ultrahigh vacuum atomie layer epitaxy crystallization technique are presented in this paper. Some examples of application of this techniquein technological processesof crystallization of semi-conductor structures oceurring in eleetronic devices have been discussed.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.