Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Lata help
Autorzy help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 24

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  ellipsometry
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
EN
Ellipsometric spectra Ψ(λ), ∆(λ) was measured for Pb₅Ge₃O₁₁ optical crystal in the spectral range 388-620 nm. Mathematical model was developed taking into account optical anisotropy and surface roughness of the measured specimen. Nonlinear regression method was applied in order to fit experimental and modeled data. Refractive index spectra no(λ) ne(λ) are determined for Pb₅Ge₃O₁₁ single crystal for ordinary and extraordinary light beams. Ellipsometric spectra Ψ(λ), ∆(λ) was measured for Pb₅Ge₃O₁₁ optical crystal in the spectral range 388-620 nm. Mathematical model was developed taking into account optical anisotropy and surface roughness of the measured specimen. Nonlinear regression method was applied in order to fit experimental and modeled data. Refractive index spectra no(λ) ne(λ) are determined for Pb₅Ge₃O₁₁ single crystal for ordinary and extraordinary light beams.
EN
The problem of definition of parameters of thin anisotropic films used in a microelectronics on the basis of ellipsometrical measuring is explored. The method of definition of parameters of films with use of neuron networks is offered. The networks is trained in space of acceptable values of parameters of layered system. The algorithm of tutoring of a network grounded on a rule Widrow-Hoff. At tutoring the error of experimental data's was taken into account. The neuron networks is applied for definition of parameters of uniaxial films of Langmuir-Blodgett dimethyl-3,4:9,10-perylene-bis (dicarboximide). The network has shown high performance, the results coincide with obtained other nethods. The network can be applied for examination of layered systems.
EN
The following novel photochromic poly(N-vinylimidazole) polymers have been synthesized: poly[N-vinyl- 2-(4-cyano-phenylazo)imidazole] (PV-4-CBAI), poly[N-vinyl-2-(3-cyano-phenylazo)imidazole] (PV-3 -CBAI) and poly[N-vinyl-2-(4-methoxy-phenylazo)imidazole] (PV-4-MBAI). Quantum chemical calculations of monomeric chromophores were carried out to foresee their linear and nonlinear optical properties. The polymeric materials were characterized by UV-vis spectroscopy and ellipsometry to determine changes in their properties during illumination. It was found that the stable trans form of polymeric chromophores absorbed in the range of 360-380 nm (absorption band maximum) and underwent trans-cis isomerization on illumination with 395 nm light. The ellipsometric measurement showed a change of the refractive index of polymer films during illumination, which was in the range of 0.010 to 0.014, depending on chromophore type.
4
Content available remote Characterization of the native oxide on CdTe surfaces
100%
EN
This study focuses on the description of oxidation of CdTe monocrystal surfaces after selective chemical etching. Measurements of surface morphology of the oxides occurring in short time are valuable for deeper understanding of the material degradation and fabrication of reliable devices with enhanced performance. The samples with (1 1 1) orientation were selectively etched and cleaned of oxide. Exposure of the oxide-free surfaces of CdTe to air at normal atmospheric conditions over 24 hours leads to an appearance of characteristic surface features. The oxidized surfaces were investigated by scanning electron microscopy, scanning probe microscopy, Raman spectroscopy and ellipsometry. The results indicate clear differences in the oxidation of Cd-terminated and Te-terminated surfaces.
5
Content available remote Etching and ellipsometry studies on CL-VPE grown GaN epilayer
88%
EN
The surface morphological characteristics of wet chemical etched GaN layers grown at different temperatures on (0 0 0 1) sapphire substrates by Chloride-Vapor Phase Epitaxy (Cl-VPE) have been studied using optical microscope. Significant surface morphology changes have been observed in correlation to the growth temperature and etching time. Also optical properties of the as grown and high-energy silicon (Si) ion irradiated gallium nitride (GaN) epilayers were studied using monochromatic ellipsometry. The effect of ion fluences on the refractive index of the GaN has been investigated and it has been found to decrease with an increase of ion fluence. This decrease is attributed to irradiation-induced defects and polycrystallization which plays an important role in determining the optical properties of silicon (Si) ion irradiated GaN layers.
|
|
tom 6
|
nr 3
454-461
EN
Functional oligoperoxide surfactants and coordinating oligoperoxide metal complexes were studied as modifiers of glass flat plates to provide the localization of radical forming sites and other functional fragments in adsorbed polymeric layers of a nanoscale thickness. Both the kinetics of the coating formation and properties of the nanolayers witness the dependence of the packing density of oligoperoxide molecules in the coatings on the oligoperoxide natures, concentrations and conditions of the sorption modification. The availability of definite amount of peroxide groups in formed nanolayer provides the possibility of controlled radical graft polymerization initiated from modified surface leading to reliable surface protection, functionality and targeted surface hydrophilic-hydrophobic properties.
7
88%
EN
The results of multi-angle ellipsometrical measurements of thermally evaporated Inx(AsSe3)1-x (x = 0, 0.01, 0.05) films are presented. Optical parameters n and Eg of thin Inx(AsSe3)1-x films show that indium atoms were incorporated into the host matrix of AsSe3 forming distinct features depending on the indium concentration. Refractive index, n, was found to decrease with the addition of In to the binaryAsSe3. The real and imaginary parts of the dielectric function, ε' and ε" were also calculated from the obtained data and correlated with In concentration. It was found that ε' decreases with the increaseof In content while ε" increases with the increase of In content. Absorption edge is shifted towards lower photon energy with the increase of In content. As a result, the optical energy gap decreases with increasing In content. This has been correlated with the chemical character of the additive as well as with the structural and bonding aspects of the amorphous composition. Nonlinear optical constants (Χ(3) and n2) were determined from linear optical parameters using semi-empirical relations in the long wavelength limit.
8
88%
EN
The mono and bi-layer TiO2 thin films have been prepared by sol-gel method on glass. X-Ray diffraction, Raman spectroscopy, atomic force microscopy, spectroscopic ellipsometry and m-lines spectroscopy techniques have been used to characterize the TiO2 films. The mono-layer film is found to be amorphous, while the bi-layer film shows the presence of anatase phase. The bi-layer film exhibits more homogeneous surface with less roughness. The thickness effect on the refractive index, extinction ceofficient, packing density and optical band gap is analysed. The waveguiding measurements of the bi-layer film exhibit single-guided TE0 and TM0 polarized modes from which we can measure the refractive index and the film thickness.
EN
This work presents results of comparative studies of the optical absorption coefficient spectra of ion implanted layers in silicon. Three nondestructive and noncontact techniques were used for this purpose: spectroscopic ellipsometry (SE), modulated free carriers absorption (MFCA) and the photo thermal radiometry (PTR). Results obtained with the ellipsometric method are the proof of correctness of the results obtained with the MFCA and PTR techniques. These techniques are usually used for investigations of recombination parameters of semiconductors. They are not used for investigations of the optical parameters of semiconductors. Optical absorption coefficient spectra of Fe+ and Ge+ high energy and dose implanted layers in silicon, obtained with the three techniques, are presented and compared.
EN
A polynomial approach for the calculation of the reflectance, the transmittance, and the ellipsometric parameters of a stratified isotropic planar structure is presented. We show that these parameters can be written in a very simple and compact form using the so-called elementary symmetric functions that are extensively used in the mathematical theory of polynomials. This approach is applied to quarter-wave Bragg reflectors. The numerical results reveal an exact match with the well known matrix formalism.
11
Content available remote Evaluation of thin Ta(N) film integrity deposited on porous glasses
75%
EN
Porous glasses are widely used in microelectronics as inter-metal dielectrics with low dielectric constant (so-called low-k dielectrics). At the same time copper is used as a metal because of its low resistivity. Combination of Cu and low-k requires a barrier to prevent Cu diffusion into a low-k dielectric. Integrity of such a barrier becomes an issue when porous glass is used as a low-k dielectric. The barrier should be as thin as possible and fully dense at the same time. Using solvent (toluene) penetration through a barrier (tantalum nitride in our case, which is non-stoichiometric, hence denoted as Ta(N)) and adsorption in porous glass as a barrier integrity probe, we show that barrier integrity depends not only on porous structure of the glass, but also on its chemical composition (namely on carbon content). Glasses with high carbon content are easier to seal with Ta(N) barrier. With help of Monte Carlo simulations, we speculate that different chemical composition of the porous glass results in different surface diffusion during barrier deposition. Different surface diffusion, in turn, results in different integrity of the porous barrier.
12
Content available remote New designs for graded refractive index antireflection coatings
75%
EN
The constant progress in thin layers technology, especially the graded index inhomogeneous dielectrics, allows the realization of antireflection coatings (ARC) that are less sensitive to thickness and to the incidence angle. Graded refractive index silicon oxynitrides are deposited by Electron Cyclotron Resonance Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (ECR-PECVD) controlled in-situ by monochromatic ellipsometry. While avoiding the complexity of the classical multilayer ARCs, the obtained AR coatings permit to obtain the same performances, or furthermore to improve the cells efficiency. Different suggested profiles are optimized by simulation, then they are realized and characterized by spectroscopic ellipsometry and reflectance measurement. The photogenerated current can be enhanced by 45%, and weighted reflectance (between 300 and 1100 nm) reduced to 5.6%. The passivating properties of oxinitrides recommend the use of these AR coatings on texturized surfaces. The weighted reflectance would decrease to less than 1% and short-circuit current will thus be enhanced by 52.79%.
EN
The paper includes the results of the experimental study of the disjoining pressure in the thin oil films with anisotropic properties on the grey cast iron piston rings. It is shown that the disjoining pressure in the thin film, in a mode of self-regulation, can automatically balance the normal load between a pair “ring – cylinder liner”. The received data is used to increase the reliability of marine diesel engines by preventing from sudden failures as the result of piston ring breakage.
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów elipsometrycznych dla amorficznych warstw a-C:N:H, osadzonych na monokrystalicznych waflach krzemowych Si(001) z zastosowaniem metody PACVD (13,56 MHz). Pomiary wykonano w szerokim zakresie widmowym, 300÷1700 nm, podczas grzania próbki od temperatury pokojowej do 300°C oraz w powtórnym wygrzewaniu po wcześniejszym schłodzeniu próbki do temperatury pokojowej. Do otrzymanych dyspersyjnych zależności kątów elipsometrycznych, Ψ(λ) i Δ(λ), dopasowano model warstwy i wyznaczono dyspersję współczynników załamania i ekstynkcji, szerokość przerwy optycznej oraz grubość warstwy w różnej temperaturze. Wyniki pokazują, że wszystkie wyznaczone parametry są zasadniczo różne dla warstwy w temperaturze pokojowej nie poddanej wygrzewaniu, oraz dla warstwy w 300°C i warstwy wygrzanej po schłodzeniu do temperatury pokojowej. Ponowne wygrzanie warstwy prawie nie zmienia parametrów warstwy. Ponadto stwierdzono, że wszystkie zmiany mają miejsce w pierwszym wygrzewaniu w zakresie temperatury 250÷270°C. W tej temperaturze następuje zmiana grubości warstwy do około 50% wartości początkowej. Jednocześnie współczynniki termooptyczne, dn/dT i dk/dT, wykazują skokowe zmiany od wartości ujemnych do dodatnich. Na podstawie uzyskanych wyników sformułowano wniosek, że w temperaturze 270÷300°C ma miejsce stopniowa grafityzacja struktury, o charakterze nieodwracalnym. Dowodzą tego zmiany szerokości przerwy optycznej od wartości 2,45 eV (przed wygrzewaniem), charakterystycznej dla warstw z małym udziałem fazy C-sp2 (około 20%) do 0,7 eV (dla próbki w 300°C i po schłodzeniu), charakterystycznej dla warstw o dominującym udziale fazy C-sp2 (50÷70%). Wniosek ten został poparty zmianami w widmie Ramana, w którym zaobserwowano wzrost intensywności pasma G przy około 1620 cm–1 względem intensywności pasma D przy 1360 cm–1, od ID/IG W pracy przedstawiono wyniki pomiarów elipsometrycznych dla amorficznych warstw a-C:N:H, osadzonych na monokrystalicznych waflach krzemowych Si(001) z zastosowaniem metody PACVD (13,56 MHz). Pomiary wykonano w szerokim zakresie widmowym, 300÷1700 nm, podczas grzania próbki od temperatury pokojowej do 300°C oraz w powtórnym wygrzewaniu po wcześniejszym schłodzeniu próbki do temperatury pokojowej. Do otrzymanych dyspersyjnych zależności kątów elipsometrycznych, Ψ(λ) i Δ(λ), dopasowano model warstwy i wyznaczono dyspersję współczynników załamania i ekstynkcji, szerokość przerwy optycznej oraz grubość warstwy w różnej temperaturze. Wyniki pokazują, że wszystkie wyznaczone parametry są zasadniczo różne dla warstwy w temperaturze pokojowej nie poddanej wygrzewaniu, oraz dla warstwy w 300°C i warstwy wygrzanej po schłodzeniu do temperatury pokojowej. Ponowne wygrzanie warstwy prawie nie zmienia parametrów warstwy. Ponadto stwierdzono, że wszystkie zmiany mają miejsce w pierwszym wygrzewaniu w zakresie temperatury 250÷270°C. W tej temperaturze następuje zmiana grubości warstwy do około 50% wartości początkowej. Jednocześnie współczynniki termooptyczne, dn/dT i dk/dT, wykazują skokowe zmiany od wartości ujemnych do dodatnich. Na podstawie uzyskanych wyników sformułowano wniosek, że w temperaturze 270÷300°C ma miejsce stopniowa grafityzacja struktury, o charakterze nieodwracalnym. Dowodzą tego zmiany szerokości przerwy optycznej od wartości 2,45 eV (przed wygrzewaniem), charakterystycznej dla warstw z małym udziałem fazy C-sp2 (około 20%) do 0,7 eV (dla próbki w 300°C i po schłodzeniu), charakterystycznej dla warstw o dominującym udziale fazy C-sp2 (50÷70%). Wniosek ten został poparty zmianami w widmie Ramana, w którym zaobserwowano wzrost intensywności pasma G przy około 1620 cm–1 względem intensywności pasma D przy 1360 cm–1, od ID/IG W pracy przedstawiono wyniki pomiarów elipsometrycznych dla amorficznych warstw a-C:N:H, osadzonych na monokrystalicznych waflach krzemowych Si(001) z zastosowaniem metody PACVD (13,56 MHz). Pomiary wykonano w szerokim zakresie widmowym, 300÷1700 nm, podczas grzania próbki od temperatury pokojowej do 300°C oraz w powtórnym wygrzewaniu po wcześniejszym schłodzeniu próbki do temperatury pokojowej. Do otrzymanych dyspersyjnych zależności kątów elipsometrycznych, Ψ(λ) i Δ(λ), dopasowano model warstwy i wyznaczono dyspersję współczynników załamania i ekstynkcji, szerokość przerwy optycznej oraz grubość warstwy w różnej temperaturze. Wyniki pokazują, że wszystkie wyznaczone parametry są zasadniczo różne dla warstwy w temperaturze pokojowej nie poddanej wygrzewaniu, oraz dla warstwy w 300°C i warstwy wygrzanej po schłodzeniu do temperatury pokojowej. Ponowne wygrzanie warstwy prawie nie zmienia parametrów warstwy. Ponadto stwierdzono, że wszystkie zmiany mają miejsce w pierwszym wygrzewaniu w zakresie temperatury 250÷270°C. W tej temperaturze następuje zmiana grubości warstwy do około 50% wartości początkowej. Jednocześnie współczynniki termooptyczne, dn/dT i dk/dT, wykazują skokowe zmiany od wartości ujemnych do dodatnich. Na podstawie uzyskanych wyników sformułowano wniosek, że w temperaturze 270÷300°C ma miejsce stopniowa grafityzacja struktury, o charakterze nieodwracalnym. Dowodzą tego zmiany szerokości przerwy optycznej od wartości 2,45 eV (przed wygrzewaniem), charakterystycznej dla warstw z małym udziałem fazy C-sp2 (około 20%) do 0,7 eV (dla próbki w 300°C i po schłodzeniu), charakterystycznej dla warstw o dominującym udziale fazy C-sp2 (50÷70%). Wniosek ten został poparty zmianami w widmie Ramana, w którym zaobserwowano wzrost intensywności pasma G przy około 1620 cm–1 względem intensywności pasma D przy 1360 cm–1, od ID/IG = 0,8 do prawie ID/IG = 0,45. 0,8 do prawie ID/IG = 0,45. 0,8 do prawie ID/IG = 0,45.
EN
Amorphous a-C:N:H layers, deposited on monocrystalline silicon Si(001) by PACVD (13.56 MHz), were subjected to ellipsometric studies. The measurements were performed in a broad spectrum, 300÷1700 nm, at heating from the room temperature to 300°C and at the reheating after earlier cooling the sample. The layer model was fitted to the recorded dispersion dependencies of ellipsometric angles, Ψ(λ) and Δ(λ). Hence, the dispersion of refractive and extinction indices, optical gap and thicknesses of the layer at various temperatures were determined. The results show that all these parameters are essentially different for the unheated layer and the layer heated to 300°C, as well as for the same layer cooled down the room temperature. The re-heating hardly changes the layer parameters. All observed changes occur during first heating, at the temperatures 250÷270°C. Starting from the temperature 250°C the layer thickness decreases to 50% of the initial value. Simultaneously, the thermo-optical parameters, dn/dT i dk/dT, show abrupt changes from negative to positive values. On the basis of the obtained results a conclusion has been formulated that at the temperature 250÷300°C a partial graphitization of the structure of a-C:N:H layer takes place. The structure transformation is irreversible. It is demonstrated mainly by the changes of the optical gap, from 2.45 eV (for the unheated sample), characteristic for the layers with small fraction of C-sp2 phase (about 20%) to 0.7 eV (for the sample at 300°C and after cooling down), typical for the layers with prevailing C-sp2 phase (50÷70%). Such conclusion has been additionally confirmed by the changes in Raman spectrum, in which an increase of the intensity of G band, at about 1620 cm–1 with respect to the intensity of D band at 1360 cm–1, from ID/IG = 0.8 to ID/IG = 0.45 has been found.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań nad otrzymywaniem, budową i właściwościami amorficznych, uwodornionych warstw krzemowych, a-Si:H. Wykonane badania dotyczą warstw otrzymanych z zastosowaniem metody chemicznego osadzania z fazy gazowej ze wspomaganiem plazmy (metoda PACVD). Badaniom poddano serię warstw osadzonych, w różnych temperaturach, na podłożu monokrystalicznego krzemu. W ocenie budowy i właściwości warstw wykorzystano metodę mikroskopii skaningowej (SEM) oraz techniki spektroskopowe: spektroskopię absorpcyjną w podczerwieni (FTIR), spektroskopię dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego (EDS) i spektroskopię elipsometryczną. Uzyskane wyniki pokazują, że obserwowane zależności pomiędzy temperaturą procesu PACVD a mierzonymi właściwościami warstw nie są monotoniczne. Większość mierzonych parametrów pokazuje zmianę monotoniczności dla warstw otrzymanych w temperaturach z zakresu 150÷350 ºC. Za szczególnie ważny rezultat należy uznać, że wygrzewanie warstw w temperaturze 300 ºC nie zmienia ich parametrów optycznych.
EN
Amorphous silicon layers, containing hydrogen (a-Si:H), are important material for photovoltaics. The layers to be used in the production of highly effective solar cells must possess some relevant properties: density, chemical composition (H content), optical parameters and thickness. The most important optical parameters include: absorption coefficients, refractive index and optical gap. The studies on receiving a-Si:H layers with optimal parameters are conducted in many laboratories. The aim of the present studies is to complete a state of knowledge on a-Si:H layers by the results obtained for the layers deposited by Radio-Frequency Plasma-Assisted Chemical Vapour Deposition (RF PACVD). Technological parameters of the processing have been optimized, and structure and properties of the layers deposited at various temperatures have been investigated. The results show that the temperature is an important technological parameter, which does not affect the layer growth rate significantly, but influences the optical parameters. The observation that the optical parameters of the layers obtained in the RF PACVD do not change by annealing, is considered as a particularly important outcome of the research. The measurements of optical parameters were performed using spectroscopic ellipsometer JA Woollam Co., Inc.. M-2000 of the spectral range from 193 to 1690 nm.
EN
Ellipsometry is a very powerful and totally nondestructive technique for determining optical constants, film thickness in multilayered systems, surface and interfacial roughness and material microstructure. Ellipsometric measurements can be made in vacuum, air and other environments. Ellipsometry has traditionally been used to determine film thickness and optical constants of dielectrics and optical coatings, semiconductors and heterostructures, magneto-optic, magnetic and opto-electronic materials, electrochemical, biological and medical systems and in surface modifications and surface roughness investigations. In situ measurements during crystal growth or material deposition are useful to study constituent fractions (including void fractions) in deposited or grown materials, surface oxide formation and film growth kinetics. Ellipsometric studies of metal, dielectric, semiconductor and organic layers carried out at the Institute of Physics of Wroclaw University of Technology by members of Thin Films Group are presented.
17
Content available remote Otrzymywanie powłok antyrefleksyjnych na szkle techniką zol-żel
63%
PL
Przedmiotem badań było otrzymywanie warstw antyrefleksyjnych wytwarzanych techniką zol-żel. W szczególności analizowano stabilność długoczasową zolu. Badano również wpływ starzenia na parametry antyrefleksyjne i porowatość powłok. Współczynnik załamania, porowatość i grubość warstw wyznaczono w oparciu o pomiary elipsometryczne. Stwierdzono, że z czasem starzenia współczynnik załamania powłoki maleje co pogarsza jej własności antyrefleksyjne. Porowatość wzrasta z ok. 26%, dla roztworu wyjściowego, do ok. 50% po czasie 185 dni. Badany zol wykazuje technologiczną stabilność w czasie ok. 30 dni.
EN
Preparation of antireflection coatings by a sol-gel method was the subject of this study. In particular, long-term stability was the main concern. The influence of aging on antireflection parameters and porosity was also studied. Refractive index, porosity and thickness of the layers were estimated on the base of ellipsometric measurements. It was found that the refractive index lowers with time of aging making worse antireflection properties of the coatings. Porosity increases from 26% for the freshly prepared sol up to about 50% after 185 days of aging. The sol of studied composition is technologically stabile within 30 days.
EN
The work is focused on the possibility to use spectroscopic ellipsometer in biosensor application. Operation of the ellipsometer is enhanced by the feature of TIRE (Total Internal Reflection Ellipsometry). The principal goal is to detect analytes in aqueous solutions at low concentrations below 0.1 nmol/l.
PL
Praca koncentruje się na możliwości wykorzystania elipsometrii spektroskopowej w aplikacjach czujnika biologicznego. Działanie elipsometru potęguje cechy TIRE (ang. Total Internal Reflection Ellipsometry). Głównym celem jest wykrywanie składników czy substancji chemicznych w roztworze wodnym przy niskich stężeniach poniżej 0,1 nmol / l.
PL
W artykule opisano wyniki badań spektrofotometrycznych oraz elipsometrycznych zwierciadeł aluminiowych. Badane zwierciadła przygotowane zostały poprzez napylenie warstwy aluminium na podłoże szklane, metodą fizycznego naparowania z fazy gazowej, bez wymiany spirali wolframowej, z której rozpylone zostało aluminium. Dodatkowo zabezpieczono je ochronną, kilkunanometrową warstwą dwutlenku krzemu. Badania parametrów odbiciowych przeprowadzono przy pomocy spektrofotometru, w zakresie widmowym 400-800 nm. Przy pomocy elipsometru wyznaczono współczynniki załamania i ekstynkcji badanych próbek oraz grubość warstwy naniesionego aluminium. Na podstawie porównania wyników wykonanych badań, zaobserwowano zmianę badanych parametrów w zależności od kolejności cyklu nanoszenia warstwy odbijającej.
EN
The article describes the results of spectrophotometric and ellipsometric studies of aluminum mirrors. The tested mirrors were prepared by sputtering a layer of aluminum on a glass substrate, by physical vapor deposition, without replacing the tungsten spiral from which the aluminum was sputtered. In addition, they were secured with a protective, several-nanometer layer of silicon dioxide. The reflection parameters were tested using a spectrophotometer in the spectral range of 400-800 nm. Using an ellipsometer, the refractive and extinction coefficients of the tested samples and the thickness of the applied aluminum layer were determined. Based on the comparison of the results of the tests performed, a change in the tested parameters was observed depending on the order of the reflective layer deposition cycle.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.