Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: elipsometria spektroskopowa

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Parametry optyczne cienkich warstw krzemionkowych na podłożach krzemowych

100%

Skoczek E. , Cisowski J. , Karasiński P. , Jaglarz J. , Jarząbek B.

2012

tom T. 64, nr 2

282-285

W pracy przedstawiono wyniki badań właściwości optycznych cienkich warstw krzemionkowych. Badane warstwy zostały wytworzone w technologii zol-żel i naniesione na krzemowe podłoża metodą zanurzeniową. Badania przeprowadzono metodami elipsometrycznymi i spektrofotometrycznymi, a analiza otrzymanych wyników pozwoliła na wyznaczenie parametrów optycznych badanych warstw takich jak zależności dyspersyjne współczynników załamania oraz ekstynkcji. Dodatkowo, wyznaczono grubości warstw oraz ich porowatość. Ze względu na niską wartość współczynnika załamania (1,22-1,25) warstwy krzemionkowe są stosowane jako powłoki antyrefleksyjne oraz elementy światłowodów planarnych.

Studies of optical properties of thin silica fi lms are shown in the paper. The films were manufactured by the sol-gel method combined with spreading on a silicon substrate by immersing. The studies were performed by ellipsometric and spectrophotometric methods to determine optical characteristics of the films such as dispersion dependences of refractive indices or extinction coeffi cients. Moreover, the thickness and porosity of the films were determined. The silica layers are used as antireflective coatings and components of planar optical fibres due to low values of refractive index (1,22-1,25).

Elipsometryczna metoda określania naprężeń w strukturach MOS

84%

Rzodkiewicz W.

2011

tom Vol. 52, nr 10

98-101

Analiza widm optycznych dostarcza wielu cennych informacji na temat właściwości fizycznych materiałów. W tym celu stosuje się funkcję dielektryczną, opisującą wpływ zewnętrznego pola elektrycznego na optyczne właściwości materiałów półprzewodnikowych. W pracy tej do analizy widm zespolonej funkcji dielektrycznej, zarówno implantowanego, jak i nie implantowanego krzemu, posłużyła elipsometria spektroskopowa w połączeniu z modelem pochodnych ułamkowych FDS (Fractional Derivatives Spectrum). Dokładne wyekstrahowanie parametrów punktów krytycznych przy użyciu tych dwóch metod stało się pomocne przy określeniu naprężeń mechanicznych w warstwie półprzewodnika struktury MOS.

Optical spectra analysis provides a wealth of information on physical properties of various semiconductor materials. Fractional Derivative Spectrum (FDS) technique is especially interesting when the limitations of the standard treatment are occurred. In this paper we present the FDS with spectroscopic ellipsometry method for analyze of the optical spectra of silicon surfaces (after oxidation, after implantation and high pressure-high temperature treatment). On the basis of extracted Van Hove singularities by FDS and SE methods, the stresses in the semiconductor layer of MOS strucutre were determined.