Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: element półprzewodnikowy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zwiększenie częstotliwości łączeń w falownikach dzięki nowym elementom półprzewodnikowym z węglika krzemu (SiC)

100%

Zdanowski M. , Sobieski R.

Napędy i Sterowanie

2017

tom R. 19, nr 3

22--24

Doskonałe właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów SiC MOSFET mogą być wykorzystane do przesunięcia obecnej bariery częstotliwości łączeń, występującej w dotychczas stosowanych krzemowych (Si) elementach półprzewodnikowych falowników napięcia w zakres nawet powyżej 100 kHz.

Modelowanie wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego na charakterystyki wybranych elementów elektronicznych

84%

Górecki K. , Zarębski J. , Stepowicz W. J. , Górecki P. , Bisewski D. , Detka K. , Ptak P. , Dąbrowski J. , Godlewska M. , Bargieł K. , Szelągowska J.

2019

tom R. 95, nr 10

130--133

W pracy zaproponowano sposób modelowania właściwości elementów półprzewodnikowych przy uwzględnieniu wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego. Przedstawiono koncepcję modelowania rozważanych elementów za pomocą programu SPICE oraz pokazano postać hybrydowego modelu elementu półprzewodnikowego uwzględniającego oddziaływanie rozważanego pola na przebiegi napięcia i prądu elementu półprzewodnikowego. Rozważania szczegółowe przeprowadzono na przykładzie diody p-n. Przedstawiono i przedyskutowano wyniki obliczeń charakterystyk statycznych i dynamicznych tej diody. Wskazano, przy jakich wartościach parametrów pola elektromagnetycznego widoczny jest jego wpływ na rozważane charakterystyki.

This paper proposes the manner of the modelling properties of semiconductor devices with an influence of the external electromagnetic field taken into account. The idea of modelling considered devices by means of the SPICE software is presented and the form of the hybrid model of the semiconductor device taking into account the influence of considered field on courses of the voltage and the current of this device is shown. Detailed considerations were passed on the example of the p-n diode. Results of calculations of dc and dynamic characteristics of this diode are presented and discussed. It is shown, at which values of parameters characterising electromagnetic field its influence on considered characteristics is visible.

Nieliniowe modele termiczne elementów elektronicznych

67%

Górecki K. , Detka K. , Górecki P. , Ptak P.

Przegląd Elektrotechniczny

2023

tom R. 99, nr 11

212--216

W pracy przedstawiono postać skupionego nieliniowego modelu termicznego elementów elektronicznych. Model ten uwzględnia wpływ temperatury wnętrza modelowanego elementu na skuteczność odprowadzania ciepła generowanego w tym elemencie oraz na wzajemne sprzężenia cieplne między komponentami takiego elementu. Zaproponowano sposób implementacji opracowanego modelu w programie SPICE w postaci obwodowej dla układów zawierających struktury półprzewodnikowe umieszczone na wspólnym podłożu oraz dla elementów magnetycznych. Przedstawiono wyniki obliczeń i pomiarów dowodzące praktycznej użyteczności opisywanego modelu. Wskazano też na ograniczenia zakresu jego stosowalności.

This paper presents the form of a compact non-linear thermal model of electronic components. This model takes into account the influence of the junction temperature of the modeled element on the efficiency of dissipation heat generated in this element and on mutual thermal couplings between the components of such an element. A method of implementing such a model in the SPICE in the network form for systems containing semiconductor dies placed on a common substrate and for magnetic components is proposed. The results of calculations and measurements proving the practical usefulness of the described model are presented. Limitations of the scope of its applicability are also indicated.