Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  efficiancy
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W pracy omówiono problematykę strat mocy w elementach półprzewodnikowych z węglika krzemu (SiC) w zastosowaniu do jednofazowego falownika napięcia, charakteryzującego się wysoką sprawnością energetyczną. Na podstawie danych katalogowych poszczególnych przyrządów półprzewodnikowych (SiC JFET, SiC BJT i SiC MOSFET) w sposób analityczny wyznaczono straty mocy. Wyniki obliczeń porównano z wynikami badań modelu laboratoryjnego jednofazowego falownika o mocy S = 2 kVA.
EN
In this work the problem of the power losses in the semiconductor elements made with silicon carbide (SiC) as applicable to high efficiency single-phase voltage source inverter was presented. Based on data from manufacturers regarding switching energy losses for individual semiconductor devices (SiC JFET, BJT and SiC MOSFET), analytical power loss calculations in leg configuration were determined. The calculations were compared with a measured results obtained from laboratory model single-phase full bridge inverter with rated power S = 2kVA.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.