In this paper we present a model of a diffraction grating for use in lighting technology and computer graphics. Although some successful attempts in this field have been made before, we believe that thanks to our approach the presented model is more efficient while still usable for many applications. In spite of its simplicity it's capable of modelling diffraction of colourful light emitted by a source describe by spectral distribution.
PL
W pracy przedstawiono prosty model siatki dyfrakcyjnej opracowany na potrzeby techniki świetlnej i grafiki komputerowej. Znane są próby modelowania falowej natury światła w tych dziedzinach. Pomimo prostoty zastosowanych algorytmów zaproponowane rozwiązanie jest efektywniejsze obliczeniowo nie tracąc przy tym na użyteczności.
Ekrany instalowane są głównie w celu ograniczenia propagacji hałasu drogowego na tereny zamieszkałe. Aby były skuteczne, podczas ich projektowania i montażu należy wziąć pod uwagę szereg zjawisk akustycznych, z których najważniejsze jest zjawisko dyfrakcji.
EN
The paper refers to the issue of mistakes made during designing and realisation of noise barriers that influence their efficiency. The author describes important factors that have to be taken into consideration when designing and installing a noise barrier.
W artykule przedstawiono zmodyfikowaną metodę UTD wyznaczania strat propagacji w obszarze wielkomiejskim. Modyfikacja metody polegała na wykorzystaniu modelu fizycznej geometrii propagacji fal i zastosowaniu wzorów występujących w metodzie UTD dla współczynników odbić i dyfrakcji fali na narożach. Obliczanie pola wypadkowego dokonuje się metodą superpozycji. W wyniku przeprowadzonej analizy zaproponowano algorytm obliczeń i przedstawiono przykładowe obliczenia.
EN
In the article the modified method UTD of determination the propagation losses in the area of urban was presented. The modification of this method consisted in the utilization of the model based on the physical geometry of the propagation of waves and to the use of equations appearing in the method UTD for coefficients of reflection and diffraction of waves at corners. The calculation of the resultant field was realised with the method of the superposition. Based on the derived analysis the computing algorithm and exampled calculations was presented.
W artykule przedstawiono model prognozowania hałasu wokół autostrady A2 na odcinku Komorniki – Krzesiny. Model opracowano na podstawie rejestracji poziomów dźwięku w trzech etapach badań związanych z fazami eksploatacji autostrady (pomiar tła akustycznego – bez ruchu pojazdów, pomiary po oddaniu odcinka Komorniki – Krzesiny do eksploatacji oraz pomiary hałasu po uruchomieniu nowego odcinka autostrady Nowy Tomyśl – Konin). Opracowany model został zweryfikowany w oparciu o rzeczywistą liczbę pojazdów, które przejechały przez odcinek Komorniki – Krzesiny w losowo wybranym dniu i godzinie.
EN
This article presents a model of forecasting noise at Motorway A2 on section Komorniki – Krzesiny. This model was worked out on the basis of registration of sound levels in three stages of research connected with phases of using the motorway (measurement of acoustic background without traffic, measurement after opening section Komorniki – Krzesiny and measurement after opening section Nowy Tomyśl – Konin). The worked out model was verified on the basis of actual number of vehicles, which passed by on section Komorniki – Krzesiny on a random day and at random hour.
5
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
An influence of annealing temperatures (300, 400 and 500°C) on the iridium silicide formation in the Ir/Si structure was analysed by means of the transmission electron microscopy (TEM). The silicide layer is formed by the solid-state reaction between 15 nm thick Ir metallisation and a Si layer during the rapid-thermal-annealing (RTA) process for 120 s. The silicide layers are used as source/drain contacts for a novel technology of low Schottky barrier MOSFETs on SOI. For this reason the high quality of the silicide/Si interface and the silicide structure are essential for the electrical properties of the device. The studies enabled the determination of the silicide layer thickness, the layer morphology, and the silicide/Si interface roughness as well as the identification of the silicide phase. Annealing of the Ir/Si structure at 300 and 400°C caused formation of an amorphous iridium silicide layer between the iridium layer and the silicon substrate. At the highest annealing temperature (500°C) the whole Ir layer completely reacted with Si, forming a crystalline iridium silicide layer. A diffraction analysis showed that the silicide layer consists of the dominant IrSi orthorhombic phase and another silicide phase with higher content of silicon (IrSix). The IrSix is placed between IrSi and Si. It indicates that during solid-state reaction at 500°C the Si diffusion is predominant.
PL
Wpływ różnych temperatur wygrzewania (300, 400 i 500°C) na proces tworzenia się krzemku irydu w strukturze Ir/Si był badany za pomocą transmisyjnej mikroskopii elektronowej (TEM). Warstwa krzemkowa tworzy się podczas wygrzewania przez 120 s metoda RTA 15 nm warstwy irydu osadzonej na podłożu krzemowym. Tak wytworzone warstwy krzemkowe stosowane są jako źródło/dren kontakty w nowoczesnej technologii tranzystorów typu MOSFET na podłożach SOI. Uzyskanie najlepszych parametrów elektrycznych tranzystorów zależy od struktury krzemku jak i bardzo gładkiej granicy fazowej krzemek/Si. Badania przy użyciu TEM polegają na określeniu grubości i morfologii warstw krzemkowych, gładkości granicy fazowej krzemek/Si, jak również ustaleniu rodzaju struktury krystalicznej tworzącego się krzemku irydu. Wygrzewanie struktury w temperaturze 300 i 400°C powoduje tworzenie się amorficznej warstwy krzemku irydu pomiędzy warstwą irydu a podłożem krzemowym. W najwyższej temperaturze wygrzewania (500°C) cała warstwa irydu reaguje z krzemem, tworząc krystaliczną warstwę krzemku irydu. Analiza dyfrakcyjna wykazała, że warstwa krzemkowa składa się z dominujacej fazy IrSi o budowie rombowej oraz innej fazy krzemku irydu zawierającej więcej krzemu (IrSix) i położonej pomiędzy faza IrSi a podłożem krzemowym. Wynik ten wskazuje, że podczas reakcji w 500°C dyfuzja Si jest dominująca.
6
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
Problem szybkiej detekcji i identyfikacji bakterii jest jednym z najważniejszych zagadnień związanych z zachowaniem zasad higieny, ochrony zdrowia i żywności. W artykule omówione zostały podstawowe problemy metrologii pomiarowej związanej z identyfikacją i charakteryzacją bakterii. Przedstawiono przegląd głównych technik rozpoznawania patogenów, z szczególnym uwzględnieniem metod optycznych, zapewniających bezkontaktowy, małoinwazyj-ny charakter pomiaru. Opisano wybrane techniki fluorescencyjne oraz analizy światła rozproszonego na bakteriach i koloniach bakterii.
EN
Problem of efficent bacteria detection and identification is important in life science medicine, health and food protection. This paper presents some problems of bacteria detection metrology, related to bacteria identification and characterization. Methods of bacteria identification, especially based on noncontact and noninvasive optical techniques, are described. Fluorescence measurements techniques and analysis of light scattering on bacteria cells and bacteria colonies are presented.
7
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
The aim of this paper is to provide some conceptual basis of a measurement method for non-invasive in situ diameter characterization of a thin, glass fibre. The method involves small-angle scattering of incoherent light. A few selected results achieved with the aid of mathematical models of light scattering indicate that a practical implementation of the method is possible.
PL
W niniejszej pracy przedyskutowano koncepcję metody nieinwazyjnego pomiaru in situ średnicy włókna szklanego, wykorzystującej promieniowanie niespójne jako narzędzie poznawcze. W drodze modelowania matematycznego i symulacji numerycznych zbadano właściwości pola rozproszonego pod małym kątem oraz zaproponowano metodę jednoznacznego rozwiązania problemu odwrotnego w pomiarze średnicy.
Relations describing diffraction of E- and H-polarized electromagnetic waves from rectangular-profile diffraction grating have been formulated. The method of the analysis enables the calculation of diffraction efficiency of single-layer or multilayer gratings, in which the profile of a single period consists of an arbitrary number of perfectly conducting mutually perpendicular surfaces. An algorithm of numerical solution of the equations has been verified by comparing the results obtained by the presented method and the results obtained from the exact analytical solution.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.