Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2008

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: domieszki fosforu

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badania nad źródłami domieszek o dużej zawartości fosforu, stosowanymi w technologii wytwarzania krzemowych ogniw słonecznych

100%

Wróbel E. , Waczyński K. , Filipowski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

tom Vol. 49, nr 1

16-17

Przedstawiono fragment badań prowadzonych nad modyfikacją procesów wytwarzania ogniw słonecznych. Wytwarzanie warstwy emiterowej w procesie domieszkowania dyfuzyjnego w stosunkowo krótkim czasie jest istotne w produkcji masowej. Proces ten wymaga nowych źródeł, zawierających wysoką koncentrację atomów fosforu (jako związek zawierający atomy fosforu wykorzystuje się kwas ortofosforowy). Jako płytki podłożowe stosuje się płytki krzemowe typu p. Artykuł prezentuje metodę domieszkowania krzemu z wykorzystaniem rozwirowywanych źródeł fosforowych

The paper presents a fragment of investigation studies carried out on the modification of silicon solar cell production technology. Doping of the emitter layer is the basic procedure in the technology of solar cell production. Today the research studies have been concentrated on short time diffusion processes, what is very important in mass production. This process requires a new type of dopant sources, which contains high concentration of phosphorus atoms. Silicon wafers of the p-type conductivity have applied as substrates in the investigation studies. A solution prepared on the basis of orthophosphoric acid have been used as donor source. This article have been presented the method of doping silicon with phosphorus sources (spin-on method).