Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  distributed Bragg reflector
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
In this study, an analysis of the optical performance of two types of distributed Bragg reflector structures based on GaAs and InP material systems was carried out. The structures were designed for maximum performance at 4 μm with their reflectivity achieving between 80 and 90% with eight pairs of constituent layers. To further enhance the performance of these structures, additional Au layers were added at the bottom of the structure with Ti precoating applied to improve the adhesivity of the Au to the semiconductor substrate. The optimal range of Ti layer thickness resulting in the improvement of the maximum reflectivity was determined to be in between 5 and 15 nm.
EN
We characterized optically a structure with Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As distributed Bragg reflector (DBR) based planar cavity with In0.37Ga0.63As/GaAs quantum dots (QDs) in the active region. Optimization of the active region requires identification of the main quenching mechanisms of photoluminescence from QDs. To maximize efficiency of QD emission coupling into the cavity mode, a spectral matching condition between the cavity and the emitter needs to be fulfilled. This was checked by comparing the reflectance spectrum of the cavity with the QD emission spectrum. Reflectivity spectra allowed us to verify the investigated structure by comparing them with simulations.
PL
Scharakteryzowano optycznie strukturę z planarną wnęką optyczną utworzoną przez zwierciadła Bragga z Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As oraz z kropkami kwantowymi In0.37Ga0.63As/GaAs jako obszarem aktywnym. Optymalizacja obszaru aktywnego wymaga zidentyfikowania głównych mechanizmów wygaszania fotoluminescencji. W celu zapewnienia wysokiego współczynnika sprzęgania emisji do modu wnęki, konieczne jest spełnienie warunku dopasowania spektralnego wnęki i emitera, co określono poprzez porównanie widm odbicia z wnęki optycznej i fotoluminescencji z obszaru aktywnego. Pomiar odbicia pozwolił na zweryfikowanie badanej struktury poprzez porównanie z symulacją.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.