Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: diody

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zastosowanie nowoczesnych elementów energoelektronicznych w układach napędowych

100%

Kołodziej H. , Nowak J.

1999

tom Nr 58

49-54

Artykuł niniejszy jest poświęcony zaworom energoelektronicznym (diodom, tranzystorom i tyrystorom), które są podstawowymi elementami przekształtników oraz pewnym aspektom kompatybilności elektromagnetycznej.

Półrzewodnikowe przyrządy z rezonansem tunelowym do generalizacji fal milimetrowych i submilimetrowych

100%

Klamka J.

2000

tom Vol. 41, nr 3

3-12

W pracy omówiono fizyczne właściwości i zasadę działania diod z rezonasem tunelowym oraz ich właściwości elektryczne. Przedstawiono przykłady konstrukcji i technologii diod RTD wytwarzanych w oparciu o różne półprzewodnikowe struktury heterozłączowe.

In this article the physical properties and principle of operation of the resonant-tunneling diodes are presented. In the last part of this article the examples of the construction and technology of RTD diodes are shown. In these diodes the different types of tunneling heterojunction are used.

Diamentowe przyrządy półprzewodnikowe

63%

Polowczyk M. , Klugmann E.

1999

tom Vol. 40, nr 10

3-8

Przedstawiono możliwości oraz próby wykorzystania diamentu półprzewodnikowego do budowy elementów elektronicznych: rezystorów, termistorów, fotorezystorów, piezorezystorów, hallotronów, diod pn, diod Schottky'ego, diody IMPATT, tranzystorów npn i tranzystorów polowych MESFET oraz MISFET. Rozważania uwzględniające właściwości elektryczne i cieplne diamentu wskazują m.in. na to, że przyrządy diamentowe mogą być wykorzystywane przy ponad 30-krotnie większej częstotliwości i przy ponad 8200 razy większej mocy od przyrządów krzemowych. Ponadto, ze względu na dużą odporność termiczną diamentu, w wielu opracowaniach naukowych przewiduje się możliwość zastosowania przyrządów diamentowych w wysokich temperaturach, rzędu 600°C.

Many efforts to apply the semiconducting diamond for construction of electronic elements: resistors, termistors, photoresistors, piezoresistors, hallotrons, pn diodes, Schottky diodes, IMPATT diodes, npn transistor, MESFETs and MISFETs are reviewed. Considering the possibilities of acceptor and donor doping, electrical resistivity and thermal conductivity of diamond as well as high electric-field breakdown points, that diamond devices could be used at about 30-times higher frequency and morę then 8200-times power then silicon devices. Exept that, due to high heat resistant of diamond, it is concluded that diamond devices can be used in environment at high temperature, rangę of 600°C.