PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  dioda Schottky'ego
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu w przekształtnikach energoelektronicznych
100%
Michalski A. , Zymmer K.
|
|
tom Z. 248
5-20
PL
W artykule przedstawiono informacje dotyczące zastosowań diod Schottky'ego wykonanych na bazie węglika krzemu SiC w układach energoelektronicznych przekształcających energię elektryczną z wysoką częstotliwością. Omówiono także oferowane obecnie moduły tranzystorowo-diodowe wykonane w całości z węglika krzemu. Omówiono zastosowania zestawów tranzystorowo-diodowych z diodami Schottky'ego SiC w przekształtnikach energoelektronicznych o częstotliwości łączeń 50÷200 kHz przeznaczonych dla grzejnictwa indukcyjnego. Przedstawiono wyniki porównawcze badań strat mocy w funkcji częstotliwości, generowanych w układzie przekształtnika z twardą komutacją prądu, przy zastosowaniu ultraszybkich diod krzemowych oraz diod Schottky'ego SiC.
EN
The paper presents information concerning the use of Schottky's diodes produced on the base of silicon carbide at high frequency converters. The transistor-diode SiC modules offered currently on the market have been discussed. The paper also presents the applications of the transistor-diode modules with SiC Schottky's diodes at the high frequency converters (50÷200 kHz) destined for metal induction heating. The comparable results of analyses of power losses versus frequency generated in a hard commutation converter with silicon or silicon carbide diodes are presented.
2
Właściwości diod Schottky'ego z węglika krzemu (SiC) w warunkach przekształcania energii elektrycznej z wysoką częstotliwością
63%
Michalski A. , Zymmer K.
|
|
tom Vol. 52, nr 1
108-112
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań diod Schottky'go wykonanych z węglika krzemu przy komutacji prądu z częstotliwością 10...200 kHz. Wyznaczono w tych warunkach straty mocy powstające w diodach SiC i porównano je z odpowiednimi wartościami określonymi dla ultraszybkich diod krzemowych. Zamieszczono wyniki pomiarów strat mocy w tranzystorze współpracującym w procesie komutacji prądu z diodą Schottky'go wykonaną z węglika krzemu oraz ultraszybką diodą krzemową. Przedstawiono także przebiegi przejściowego prądu wstecznego i przejściowego napięcia przewodzenia tych diod przy określonej stromości zmian prądu w przyrządzie.
EN
Measurement results of properties of the silicon carbide Schottky diodes in commutating current with frequency 10...200 kHz are presented in the paper. The power losses generated in the SiC diodes at these conditions are measured. These values are compared to the corresponding values determined for ultrafast silicon diodes. Results of measurement of power losses in a transistor switching at high frequency and cooperating in the commutation process with a silicon carbide diode and silicon diode respectively-are presented. Transient reverse current and transient forward voltage of these diodes at defined rise of current conditions are presented also.
3
Content available remote Systemy prostownicze o podwyższonej sprawności energetycznej
63%
Grzesiak W. , Maj T. , Początek J.
|
|
tom R. 85, nr 11
142-144
PL
Artykuł omawia innowacyjne metody konfigurowania systemów prostowniczych, przewidzianych do zastosowania głównie w małej i średniej skali energetyki prądów stałych i przemiennych niskiej częstotliwości. Istotą tych rozwiązań jest specyficzne powiązanie i wykorzystanie cech nowoczesnych i tanich elementów elektroniki w szczególny sposób, umożliwiający znaczną redukcję strat energii, wymiarów oraz nakładu środków, dotychczas nieuchronnie związanych z realizacją typowych rozpowszechnionych procesów prostowania napięć przemiennych, kluczowania itp. Z tytułu masowości zastosowań efekty ekonomiczne tych nowych rozwiązań stanowić mogą olbrzymi wkład w jakże aktualnym, naglącym procesie oszczędzania energii elektrycznej.
EN
The paper discusses innovative methods for configuring rectifying circuits, mainly for applications in low and medium scale DC and low frequency AC energetic systems. The substance of these solutions are specific conjunctions and utilizing the modern and cheap elements of electronics in a peculiar way, enabling a significant reduction of energy losses, of dimensions, as well as of expenses, till now inevitably bound with the realization of the typical propagated AC rectifying processes, current keying etc. On ground of mass-use scale – the economical effects of these new solutions may create an enormous contribution in the unavoidable and urgent electric energy saving process.
4
Symulacje nieizotermicznych charakterystyk statycznych diody Schottky'ego z węglika krzemu w programie SPICE
51%
Zarębski J. , Dąbrowski J.
|
|
tom Vol. 45, nr 11
16-19
PL
Praca dotyczy problematyki modelowania diod Schottky'ego z węglika krzemu (SiC), z uwzględnieniem efektów termicznych, w programie SPICE. Przedstawiono i szczegółowo opisano elektrotermiczny makromodel diody Schottky'ego SiC dla programu SPICE, opracowany przez firmę Infineon Technologies. Makromodel został zweryfikowany doświadczalnie. Zaproponowano modyfikacje poprawiające jego dokładność.
EN
The paper deals with the problem of SPICE modelling of the class of silicon-carbide (SiC) Schottky diodes with thermal effects (selfheating) taken into account. In the paper the SPICE electrothermal (including selfheating) macromodel of Infineon Technologies SiC Schottky diode is presented and detaily investigated. The considered macromodel has been verified experimentally and some modifications of the macromodel were introduced.
5
Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. I)
38%
Klamka J.
|
|
tom nr 18
18--20
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1964-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semi-conductor devices in the period of 1964-2000. They are germanous and siliceous rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic weaponry mainly for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, Schottky diodes, transistors).
6
Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. II)
38%
Klamka J.
|
2017
|
tom nr 19-20
19--22
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1954-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody Schottky’ego, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semiconductor devices in the period of 1954-2000. They are german and silicon rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic military egwiment mailny for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Schottky diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, transistors).
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.