Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: detektor krzemowy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Opracowane w ITE krzemowe detektory cząstek do międzynarodowych badań nad transaktynowacami

100%

Węgrzecki M. , Bar J. , Budzyński T. , Dressler R. , Grabiec P. , Kłos H. , Kulawik J. , Lipiński D.

tom Vol. 53, nr 6

24-26

W pracy omówiono konstrukcję oraz parametry detektorów cząstek α opracowanych w ITE, we współpracy z partnerami zagranicznymi, stosowanych w międzynarodowych badaniach transaktynowców. Opisano 64-elementowe matryce chromatograficzne dla systemu COMPACT, 2-elementowe detektory przepływowe dla systemu COLD oraz detektory paskowe dla bloku detektora płaszczyzny ogniskowej do separatora TASCA. Przedstawiono rezultaty uzyskane przy wykorzystaniu omawianych detektorów ITE, w tym odkrycia 4 nowych nuklidów: ²⁷⁰Hs, ²⁷¹Hs, ²⁸³Cn, ²⁷⁷Hs.

We present the construction and parameters of the α particle detectors developed at the ITE in collaboration with foreign partners, applied in the international studies on transactinides. We describe 64-element chromatographic array for the COMPACT detection system, 2-element detectors for the COLD system and strip detectors for the Focal Plane Detector Box, part of the TASCA separator. We present the results obtained using ITE detectors, including discoveries of 4 new nuclides: ²⁷⁰Hs, ²⁷¹Hs, ²⁸³Cn, ²⁷⁷Hs.

SOI monolithic active pixel detector technology for improvement of I-V characteristics and reliability

80%

Niemiec H. , Kucewicz W. , Sapor M. , Grabiec P. , Kucharski K. , Marczewski J. , Tomaszewski D. , Armstrong B. M. , Bain M. , Gamble F. R.

2008

tom Vol. 54, No 4

507-512

Monolithic active pixel detectors in SOI (Silicon On Insulator) technology are novel sensors of ionizing radiation, which exploit SOI substrates for the integration of readout electronics and a pixel detector. Breakdown voltage and leakage current of pixel diodes are very important parameters of the devices. This paper addresses recent development in the field of the technology of the SOI detectors, which lead to improvement of reliability and current-voltage characteristics of the sensors.