Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: defekty radiacyjne

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Research on Jump Mechanism of Electric Charge Transfer Probability in Gallium Arsenide Irradiated with H+ Ions

100%

Węgierek P. , Billewicz P.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

tom R. 88, nr 11b

364-365

In the article the results of research on gallium arsenide irradiated with H+ ions have been presented as well as occurred correlations between probability of electron’s jump and sample annealing temperature have been discussed. Obtained results have confirmed that value of probability is strictly connected with the type of radiation defects formed as a consequence of irradiating tested sample with H+ ions.

W artykule przedstawiono rezultaty badań arsenku galu naświetlonego jonami H+ oraz omówiono występujące w nim zależności prawdopodobieństwa wystąpienia przeskoku elektronu od temperatury wygrzewania próbki. Otrzymane wyniki potwierdzają, że wartość prawdopodobieństwa przeskoków jest ściśle związana z typem defektów radiacyjnych, powstałych w wyniku naświetlania materiału badawczego jonami H+.

Zmiennoprądowe przewodnictwo elektryczne krzemu implantowanego jonami

100%

Węgierek P. , Kowalski M.

tom Vol. 50, nr 9

100-102

W artykule omówiono mechanizm przewodnictwa elektrycznego krzemu silnie zdefektowanego w wyniku implantacji w temperaturze pokojowej, jonów neonu o energii E = 600 keV i dawce D = 1,2 x10¹5⁵ cm⁻². Badania przeprowadzono na próbkach wygrzewanych izochronicznie w zakresie temperatur 323...873K przy częstotliwościach z przedziału 50 Hz...5 MHz. Analiza wyników badań wykazała, że całkowita konduktywność jest superpozycją dwóch składowych: pasmowej, która dominuje przy niskich częstotliwościach, i skokowej, charakterystycznej dla dużych wartości częstotliwości. Zmiany przewodności są bezpośrednio związane z koncentracją poszczególnych defektów i zależą od temperatur ich wygrzewania.

The article discusses mechanisms of alternating current based electrical conductivity of silicon strongly defected by the implantation of neon ions of the E = 600 keV energy and a dose of D = 1,2 x 10¹⁵ cm⁻², performed at the room temperature. Testing has been performed on samples that have been isochronously annealed within the temperature range from 323 to 873K and at frequencies ranging from 50 Hz to 5 MHz. An analysis of the testing results has shown that total conductivity is a superposition of two components: the band one that dominates at law frequencies and the jump one that is characteristic for high frequency values. Changes of conductivity are related to concentrations of individual defects and depend on temperatures of their annealing.

Mechanizm przewodnictwa elektrycznego w arsenku galu implantowanym jonami

100%

Węgierek P. , Kowalski M.

tom Vol. 50, nr 9

42-44

W artykule przedstawiono rezultaty badań właściwości elektrycznych arsenku galu zdefektowanego polienergetyczną implantacją jonów H⁺. Dokonano analizy mechanizmu przewodzenia prądu elektryczego wykorzystując zależności częstotliwościowe i temperaturowe przewodności elektrycznej. Na jej podstawie wykazano, że całkowita konduktywność jest superpozycją dwóch składowych: pasmowej, która dominuje przy niskich częstotliwościach, i skokowej, charakterystycznej dla dużych wartości częstotliwości.

The article presents results of testing electric properties of gallium arsenide defected with poly-energy implantation of H⁺ ions. An analysis of electric current conduction mechanism has been performed based on frequency and temperature dependences of electrical conductivity. It has been shown that total conductivity is a superposition of two components: the band one that dominates at low frequencies and the jump one that is characteristic for high frequency values.