Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Opto-Electronics Review

1 2024

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: deep-level transient spectroscopy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

The method for extracting defect levels in the MCT multilayer low-bandgap heterostructures

100%

Majkowycz K. , Małgorzata K. , Murawski K. , Martyniuk P.

Opto-Electronics Review

2024

tom Vol. 32, No. 1

art. no. e149182

A method for defects extraction for a mercury cadmium telluride (MCT) multilayer low-bandgap heterostructure is presented. The N⁺/T/p/T/P⁺/n⁺ epitaxial layer was deposited on a GaAs substrate by a metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD). The absorber was optimized for a cut-off wavelength of 𝜆𝑐=6 μm at 230 K. Deep-level transient spectroscopy (DLTS) measurements were conducted for the isolated junctions of the N⁺/T/p/T/P⁺/n⁺ heterostructure. Three localised point defects were extracted within the p-type active layer. Two of them were identified as electron traps and one as a hole trap, respectively.