Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: czas życia nośników

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Charakteryzacja materiałów i struktur ogniw słonecznych techniką podczerwieni

100%

Piotrowski T. , Malyutenko V. K. , Lipiński M. , Pochrybniak C.

2010

tom Vol. 51, nr 5

77-82

Przedstawiono rezultaty badań ogniw słonecznych oraz krzemowych mono i multikrystalicznych płytek krzemowych wykorzystujących techniki detekcji promieniowania podczerwonego w zakresie długości fal 3-6 i 8-12 µm. Termowizyjna technika była zastosowana do wizualizacji charakterystycznych parametrów określających jakość materiałów i gotowych przyrządów. Przestrzenne rozkłady efektywnego czasu życia nośników ładunku otrzymane metodą termowizyjną konfrontowano z rezultatami uzyskanymi metodą pomiaru zaniku fotoprzewodnictwa z detekcją mikrofalową. Pokazano możliwości wykorzystania termowizyjnej techniki do ujawniania miejsc upływności złączy i rozkładu rezystancji szeregowej w ogniwach słonecznych.

Solar cells and silicon mono and multicrystalline wafers were examined by technique of infrared radiation detection in the wavelength ranges of 3-6 and 6-12 µm. The thermovision technique was applied for visualisation of specific parameters that determine the quality of materials and final devices. Spatial distributions of effective carrier lifetime determined by thermovision method were correlated with results of photoconductivity decay measurements with microwave detection. Applicability of thermovision technique for delineation of junction leakage spots and distribution of series resistance in solar cells was shown.

Experimental investigations of the dependence of the lifetime of the optically generated minority carriers in n-type silicon on the intensity of its illumination

100%

Bychto L. , Maliński M.

tom R. 93, nr 8

35--38

This paper presents experimental and theoretical dependences of the lifetime of minority carriers in n-type silicon on the intensity of its illumination. The experimental characteristics have been interpreted theoretically in the frame of Shockley Read Hall (SRH) statistics. The lifetimes of minority carriers for a low intensity of illumination were measured with the Surface Photovoltage (SPV) method while for the high intensity a Modulated Free Carrier Absorption (MFCA) method was applied. The obtained results clearly show that the experimentally obtained lifetimes of carriers can be compared only for the same conditions of illumination of the sample.

Praca przedstawia doświadczalne i teoretyczne zależności czasu życia nośników mniejszościowych w krzemie typu n od natężenia światła. Charakterystyki doświadczalne zostały zinterpretowane teoretycznie w modelu Shockley Read Hall (SRH). Czasy życia nośników dla małych natężeń światła oświetlajacch próbkębyły mierzone metodą SPV podczas gdy dla dużych natężeń światła wykorzystano metodę Modulacji Absorpcji Światła na Swobodnych Nośnikach (MFCA). Uzyskane rezutaty jasno pokazują, że czasy życia uzyskane eksperymentalnie mogą być porównywane tylko dla tych samych warunków oświetlanie próbek.