W pracy przedstawiono sposób określania efektywnego czasu życia nadmiarowych nośników prądu w obszarach granic ziaren krzemowych płytek multikrystalicznych przeznaczonych do wytwarzania ogniw słonecznych. Do pomiaru wykorzystano efekt fotowoltaiczny powstający na barierze potencjału związanej z granicą ziaren. Pomiary weryfikowano standardową metodą pomiaru zaniku fotoprzewodnictwa w czasie z detekcją mikrofalową.
EN
A method of effective carrier lifetime determination near grain boundaries in multicrystalline silicon wafers for solar cells is presented. Photovoltaic effect on potential barrier at grain boundary is used for measurements. Obtained results are werified by method of photoconductivity decay with microwave beam detection.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.