Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Electrical characterisation of CdTe/CdS photovoltaic devices

100%

Wimbor M. , Romeo A. , Igalson M.

|

2000

|

tom Vol. 8, No. 4

375-377

EN

Thin film solar cells based on Cd/Te/Cds are expected to become the base material for the low - cost and efficient large-scale solar energy conversion devices. The samples have been investigated using current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements in order to define the transport mechanism in heterostructure and basic electronic parameters. Trap-assisted tunnelling has been found to dominate carrier transport mechanism in the junction.

2

Enhanced numerical analysis of current-voltage characteristics of long wavelength infrared p-on-n HgCdTe photodiodes

100%

Jóźwikowski K. , Kopytko M. , Rogalski A.

|

2010

|

tom Vol. 58, nr 4

523-533

EN

An enhanced original computer programme is applied to explain in detail the current-voltage characteristics of p-on-n long wavelength infrared (LWIR) HgCdTe photodiodes. The computer programme solves the system of non-linear continuity equations for carriers and Poisson equations. In the model ideal diode diffusion, generation-recombination, band-to-band tunnelling, trap-assisted tunnelling, and impact ionization are included as potential limiting mechanisms in the photodiodes. It is a clearly explained influence of extrinsic doping of an active device region on dark current-voltage characteristics and on R0A product of HgCdTe photodiodes in a wide region of temperature and wavelengths. Special attention is directed to the dependence of tunnelling probability on the shape of potential barrier within the depletion region. The theoretical predictions are compared with experimental data of high quantity photodiodes published in the available literature.

3

Symulacja charakterystyk prądowo-napięciowych ogniwa fotowoltaicznego na podstawie jego modelu dwudiodowego

88%

Frydrychowicz-Jastrzębska G.

|

tom R. 76, nr 8

44-47

PL

Przedstawiono analizę pracy ogniwa fotowoltaicznego na podstawie jego dwudiodowego schematu zastępczego, uwzględniając wpływ warunków zewnętrznych.

EN

The article presents an analysis of the operation of a photovoltaic cell on the basis of its double-diode equivalent schematic diagram, with the effect of extemal conditions taken into consideration.

4

Analysis of the influence of bending strain on the current-voltage characteristics of Htc superconducting tapes

75%

Sosnowski J.

|

tom Z. 276

39--47

PL

W artykule zbadano wpływ naprężenia i odkształcenia powstałego podczas zginania wysokotemperaturowych taśm nadprzewodnikowych, szczególnie podczas nawijania elektromagnesów nadprzewodnikowych na ich charakterystyki prądowo-napięciowe i prąd krytyczny. Przedstawiono model teoretyczny, który jakościowo opisuje wyniki badań doświadczalnych przeprowadzonych na taśmach nadprzewodnikowych I generacji. Zbadano wpływ funkcji określającej prawdopodobieństwo występowania mikropęknięcia na charakterystyki prądowo-napięciowe i prąd krytyczny.

EN

In this paper the influence of the bending strain inherent in superconducting magnet windings on the current-voltage characteristics and the critical current of HTc superconducting tapes is investigated. Theoretical analysis of this effect is presented, which is in qualitative agreement with experimental research carried out on first generation superconducting tapes. The influence of the shape of the rupture probability function, which describes micro-crack formation, on the current-voltage characteristics is also considered.

5

Wyznaczenie charakterystyk prądowo – napięciowych modułów BIPV na podstawie badań doświadczalnych

75%

Nowak P. , Jureczko M. , Jurczyk M. , Uchman W. , Leszczewski D. , Muskała T. , Gawlik S. , Kaszut P. , Sobik P. , Jeremiasz O.

|

2024

|

tom Nr 2

28--34

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań doświadczalnych, na podstawie których wyznaczono charakterystyki prądowo-napięciowe kolorowych modułów BIPV. Do badań wykorzystano serię modułów fotowoltaicznych, w tym także różne elementy pozwalające na ich koloryzacje. Dla każdego modułu wykonano serię pomiarów umożliwiających wyznaczenie charakterystyk prądowo-napięciowych oraz parametrów charakterystycznych dla badanego modułu, takich jak: napięcie układu otwartego (Uoc), napięcie w punkcie pracy maksymalnej (Umpp), prąd zwarciowy (Isc), natężenie prądu w punkcie pracy maksymalnej (Impp) oraz moc maksymalną (Pmax). W celu potwierdzenia poprawności wykonania modułów fotowoltaicznych przeprowadzono obrazowanie modułów techniką elektroluminescencji (EL). Następnie przeprowadzona została analiza porównawcza osiągniętych wyników, w szczególności ich parametrów charakterystycznych.

EN

The article presents the results of the experimental analysis of determining the current-voltage characteristics of colorful BIPV (Building Integrated Photovoltaics) modules. During the research, a series of photovoltaic modules W. produced, including the use of various colorizing elements for the photovoltaic modules. Measurements were conducted determine the current-voltage characteristics, as well as parameters such as open-circuit voltage (UGC), voltage at the maxima" power point (Umpp), short—circuit current (ISC), current at the maximum power point (Impp), and maximum power (Pmpp) for eac module. Electroluminescence images were also taken to conﬁrm the correctness of the photovoltaic module productim A comparative analysis of the achieved parameters was conducted.

6

Badanie rezystancji materiałów ceramicznych zawierających grafit

63%

Przybyła M.

|

2012

|

tom R. 63, nr 6

36—39

PL

W artykule zaprezentowano możliwości badawcze przewodności elektrycznej tworzyw glinokrzemianowych domieszkowanych grafitem o kontrolowanej rezystancji. Określono wpływ zawartości grafitu na wielkość przewodności elektrycznej próbki w temperaturze pokojowej. Wyznaczono charakterystyki prądowo-napięciowe U=f(I).

EN

The paper presents the possibility to determine the electrical conductivity of graphite doped aluminosilicate materials with controlled resistance. The effect of the graphite content on sample's electrical conductivity at room temperature was studied. Current - voltage characteristics of tested materials U = f(l) was determined.

7

Sb-contained thin films: structural and electric properties

63%

Bilozertseva V. I. , Khlyap H. M. , Shkumbatyuk P. S. , Dyakonenko N. L. , Krivonos S. S.

Materials Science Poland

|

2006

|

tom Vol. 24, No. 4

929--934

EN

First results of experimental study of the structure of Sb 2Se3 and NaSbSe2 thin films by means of transmission electron microscopy and electron diffraction methods are reported. Structural and morphological peculiarities of crystal growth in films are discussed. Some electrical properties, in particular, current-voltage characteristics in metal-semiconductor (MS) structures: In/Sb2Se 3 and In/NaSbSe2, are presented.

8

Struktura i własności warstw Al₂O₃ osadzonych metodą ALD na krzemowych ogniwach fotowoltaicznych

63%

Szindler M. , Szindler M.

|

2018

|

tom Vol. 59, nr 9

9--11

PL

W pracy zbadano możliwości zminimalizowania współczynnika odbicia światła, a w konsekwencji zwiększenia sprawności wytwarzanych krzemowych ogniw fotowoltaicznych, poprzez wytworzenie cienkiej warstwy antyrefleksyjnej Al₂O₃ metodą atomowego osadzania warstw. Badania morfologii powierzchni warstw wykonano przy użyciu skaningowego mikroskopu elektronowego, z kolei strukturę zbadano przy użyciu dyfraktometru rentgenowskiego. W celu okreslenia własności optycznych cienkich warstw Al₂O₃ wykonano badania współczynnika odbicia światła przy użyciu spektrofotometru. Ogniwo fotowoltaiczne z osadzoną w temperaturze 300°C metodą ALD warstwą antyrefleksyjną przy zadanej liczbie cykli 830 osiągnęło sprawność 12,51%, podczas gdy sprawność ogniwa referencyjnego bez warstwy antyrefleksyjnej wyniosła 7,22%.

EN

The main goal of the study was to examine the possibility of minimizing the reflectance of light, and consequently increasing the efficiency of the produced silicon solar cells, by creating an Al₂O₃ antireflection coating by atomic layer deposition method (ALD). Surface layer morphology studies were performed by using scanning electron microscopy, while the structure was examined by using an X-ray diffractometer. In order to determine the optical properties of the Al₂O₃ thin films, light reflectance measurements were performed using a spectrophotometer. The solar cell with deposited antireflection coating by the ALD method with a 830 number of cycles at 300°C reached the efficiency of 12.51%, while the efficiency of the reference cell is 7.22%.

9

Modelowanie charakterystyk I-V ogniw słonecznych w środowisku Matlab/Simulink

63%

Gułkowski S.

|

tom z. 61, nr 3/II

203--208

PL

Pogarszająca się sytuacja energetyczna dzisiejszego świata skłania rządy wielu krajów do działań, związanych z poszukiwaniem alternatywnych rozwiązań w tym sektorze. Nowe, bardziej przyjazne środowisku technologie otrzymywania „czystej” energii mają szansę stać się w przyszłości poważną alternatywą dla paliw kopalnych, takich jak węgiel, ropa czy gaz, które są na wyczerpaniu. Bardzo obiecującym źródłem energii jest promieniowanie słoneczne, ze względu na jego wszechobecność i proekologiczność. Fotowoltaika jest jedną z najszybciej rozwijających się technologii konwersji energii ze źródeł odnawialnych z uwagi na niskie koszty utrzymania systemów. Czynnikiem hamującym powszechne wykorzystanie systemów fotowoltaicznych, jako źródła energii, są jednak wciąż zbyt wysokie ceny modułów PV, na które składa się zarówno koszt materiałów bazowych jak i koszt technologii wytwarzania modułów. Jedną z metod wspomagających proces badań nad zwiększeniem sprawności przy jednoczesnym obniżeniu kosztów ogniw słonecznych jest modelowanie i symulacja komputerowa oparta na tzw. modelach zastępczych ogniw słonecznych. Jednym z takich modeli jest jednodiodowy model ogniwa słonecznego. Rezultaty obliczeń komputerowych wykonanych na podstawie modelu jednodiodowego pozwalają określić parametry pracy ogniwa przy różnych warunkach nasłonecznienia czy temperatury. W artykule przedstawione zostały rezultaty dostosowania uniwersalnego modelu zastępczego ogniwa do przykładowego modułu komercyjnego KC32T02 oraz zaprezentowano wyniki obliczeń charakterystyk prądowo-napięciowych dla róŜnych warunków nasłonecznienia i temperatury. Otrzymane zależności są zgodne z wynikami podanymi przez producenta modułu.

EN

The world energy situation force the governments of many countries to find alternative solutions in this sector. New, more environmentally friendly technologies of producing energy have a big potential to become alternative technique for producing energy from coal, petroleum or gas. Very promising source of energy is Sun. Photovoltaics is the one of the highest growth potential method of producing energy from renewable sources because of the low maintenance cost of the system. However, the price of modules are still high because of the cost of obtaining very pure silicon substrates for the solar cells. For this reason many researches focus on the increasing efficiency of the solar cells with decreasing the cost of production. One of the method is computer modeling of I-V curve of solar cell with use of one-diode model. Results of computer analysis allow to obtain optimal parameters of the module for different environmental conditions. This paper presents modeling of I-V power output characteristics of solar module with use of PV one-diode cell equivalent circuit. Computational model has been implemented in Matlab/Simulink environment. On the basis of the model and parameters of the module delivered by manufacturer computer calculations of the I-V curves has been carried out. Results presented in this paper have shown possibility of behavior prediction of solar module in different weather condition, especially for varying cell temperature and solar radiation.