Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Texture modifications in copper doped ceria thin films by pulsed laser deposition technique

100%

Chmielowska M. , Kopia A. , Kusiński J. , Leroux C. , Gavarri J. R.

Inżynieria Materiałowa

|

2004

|

tom R. XXV, nr 3

561-563

EN

CeO2 thin films doped with copper were elaborated by Pulsed Laser Deposition on Si (001) substrates, with variable deposition times and atomic fractions of Cu. The thin films were characterized by means of X-ray diffraction analysis, scanning, transmission and high-resolution electron microscopy, EDS microanalysis and. As deposition time or Cu content increase, the CuOx-CeO2 thin films showed texture modifications of ceria grains, with (111) grain orientations changing into (200) orientations. Chemical analysis showed that copper content in thin films was congruent with target compositions. However, no significant proportion of crystallized copper phase was evidenced. This can be correlated with the influence of copper phases on crystal growth of ceria during deposition process.

PL

Omówiono zmiany tekstury cienkich warstw CeO2 domieszkowanych miedzią, wytworzonych techniką ablacji laserowej na podłożu Si (001) przy różnym czasie ekspozycji i różnej zawartości procentowej miedzi. Wytworzone warstwy poddano badaniom na dyfraktometrze rentgenowskim, skaningowym i transmisyjnym mikroskopie elektronowym wyposażonym w analizator EDS. Wyniki dyfrakcyjnej analizy fazowej wykazały obecność w warstwie fazy CeO2 i brak linii od faz Cu lub CuOx, ponadto silne steksturowanie wytworzonych warstw wraz ze wzrostem udziału procentowego miedzi i czasu ekspozycji, o czym świadczy zmiana orientacji krystalograficznej z (111) na (200). Wyniki dyfrakcji elektronowej i jej rozwiązanie pozwala stwierdzić, iż w warstwach domieszkowana miedź występuje w postaci CuO i CuO2.

2

Charakterystyka porównawcza powłok konforemnych

100%

Skwarek A. , Witek K.

Materiały Elektroniczne

|

2007

|

tom T. 35, nr 2

54-65

PL

Technologia zabezpieczania układów elektronicznych za pomocą powłok konforemnych umożliwia zwiększenie stopnia automatyzacji produkcji podzespołów elektronicznych. Powłoki konforemne są cienkimi warstwami o grubości 25 - 50 mm zabezpieczającymi elementy układów przed działaniem takich czynników jak ścieranie, temperatura, ozon, pleśnie, wilgoć oraz promieniowanie ultrafioletowe. Własności fizyczne i skład chemiczny powłok gwarantują różny stopień zabezpieczenia przed wspomnianymi czynnikami środowiskowymi. Cechą charakterystyczną tego rodzaju zabezpieczeń jest możliwość dokładnego odwzorowania powierzchni. W artykule przedstawiono zarówno niektóre praktyczne informacje dotyczące powłok konforemnych, jak i wyniki badań własnych dotyczące ich wpływu na niektóre parametry układów.

EN

The conformal coating technology of protecting the surface of electronic assemblies from harsh environment has been developing recently as a result of increasing automation of electronic production. The conformal coating is a thin protective layer of 25 - 50 urn thickness which can provide resistance to several stresses including abrasion, shock, temperature, ozone, mould, humidity and ultraviolet degradation etc. The physical and chemical compositions of various coatings offer different degrees of protection. The characteristic feature of this type of protection is a possibility of circuit surface conformal mapping. In this article some practical information, as well as the results of own investigations of different type of conformal coatings are presented.

3

Właściwości elektryczne i optyczne cienkich warstw SnO2:Sb otrzymanych metodą zol-żel

100%

Kulaszewicz S. , Lasocka I. , Lasocki Z. , Fryc I. , Jarmoc W.

|

tom Z. 19

121-140

PL

Cienkie, przezroczyste i przewodzące warstwy SnO2:Sb nanoszone były na szklane podłoża metodą spray - hydrolizy przy zastosowaniu dyspergatora ultradźwiękowego oraz metodą zol-żel. Badano właściwości elektryczne i optyczne otrzymanych warstw SnO2:Sb. Przeprowadzono porównawcze badanie właściwości warstw otrzymanych różnymi metodami. Badano też układ z cienkowarstwowym elementem grzejnym.

EN

Transparent, conducting thin films of SnO2:Sb were deposited on glass substrates by spray-hydrolysis method using ultrasonic atomizer and by sol-gel dip-coating method. The electrical and optical properties of the as - deposited SnO2:Sb films were determined. Comparative studies of properties of SnO2:Sb thin films prepared by various method were presented. Electric heating system with a thin - film heater was investigated as well.

4

Badanie własciwości warstw SnO2:Sb z wykorzystaniem mikroskopii elektronowej

100%

Lasocki Z.

|

tom Z. 19

141-148

PL

W pracy przedstawione są rezultaty badań wpływu temperatury podłoża na właściwości i skład warstw SnO2:Sb, nanoszonych metodą spray-hydrolizy. Wykonano badania fraktograficzne metodą mikroskopii skaningowej oraz przeprowadzono analizę składu warstw metodą mikroanalizy rentgenowskiej.

EN

The conducting SnO2:Sb films were deposited on glass substrates by spray hydrolysis method. The paper discusses the effect substrate temperature on the properties of thin films. The analysis of the chemical composition on the obtained films was done by the X-ray microanalysis method.

5

Electronic properties of thin niobium doped barium titanate films

100%

Firek P. , Ćwil M. , Werbowy A. , Szmidt J.

Materiały Elektroniczne

|

2008

|

tom T. 36, nr 3

110-116

EN

This work presents results of investigations of barium titanate thin films with Nb2O5 admixture, deposited on Si substrates by means of Radio Frequency Plasma Sputtering (RF PS) of sintered BaTiO3 + Nb2O5 target. Round, aluminum (Al) electrodes were evaporated on the top of deposited layers. Thus, metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were created with BaTiO3 thin films playing the role of the insulator. They enabled subsequent electrical characterization (current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements) of studied material. This allowed extraction of several electronic parameters (e.g. εn, ρ, VFB ΔVH). Films composition were additionally studied using secondary ion mass spectroscopy (SIMS) techniques.

PL

W pracy prezentowane są wyniki badań dotyczące cienkich warstw tytanianu baru (BaTiO3) z domieszką Nb2O5. Powłoki zostały osadzone metodą rozpylania targetu w plazmie o częstotliwości radiowej (Radio Freąuency Plasma Sputtering - RF PS), a następnie poprzez próżniowe naparowanie elektrod aluminiowych na powierzchnie BaTiO3, zostały wytworzone struktury metal-dielektryk-półprzewodnik (MIS). Pozwoliło to na charakteryzacje elektryczną (pomiary prądowo-napięciowe (I-V) i pojemnościowo-napięciowe (C-V)) kondensatorów, gdzie warstwa tytanianu baru występowała jako dielektryk. Wyznaczone zostały parametry takie jak: εn, ρ, VFB, ΔVH, . Ponadto zmierzono profil warstwy przy użyciu spektroskopii mas jonów wtórnych (secondary ion mass spectroscopy - SIMS).

6

Strukturalne i optyczne właściwości cienkich warstw tlenków tytanu modyfikowanych przez domieszkowanie hafnem

75%

Domaradzki J. , Prociów E. L. , Kaczmarek D. , Mulak A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

tom Vol. 46, nr 2-3

24-25

PL

Cienkie warstwy tlenków na bazie Ti-Hf nanoszono na podłoża szklane i szafirowe w procesie rozpylania magnetronowego z reaktywną atmosferą tlenową. Na podstawie badań optycznych wyznaczono zależność szerokości optycznej przerwy zabronionej w funkcji wzajemnej zawartości tytanu i hafnu.

EN

Ti-Hf metal oxide films were deposited on heated glass and sapphire substrates by magnetron sputtering process with reactive atmosphere of oxygen. On the basis of optical measurements the optical band-gap versus Ti/Hf ratio has been estimated.

7

Classification algorithms to identify changes in resistance

75%

Duraj A. , Korzeniewska E. , Krawczyk A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

tom R. 91, nr 12

80-82

EN

In the article the basic method for measuring the resistance of medical electrodes, made based on a thin conductive layer formed during the PVD process, is described. The authors also briefly characterized two algorithms for data classification: k-nearest neighbors and Bayes classifier, which were used as algorithms to detect changes in the electrode resistance.

PL

W artykule została opisana podstawowa metoda pomiaru rezystancji elektrod medycznych wykonanych w oparciu o cienkie warstwy przewodzące powstałe w procesie PVD. Scharakteryzowano również krótko dwa algorytmy klasyfikacji danych: algorytm k najbliższych sąsiadów oraz klasyfikator bayowski, które zostały wykorzystane jako algorytmy identyfikacji zmian rezystancji elektrod.

8

Badanie powierzchni monokryształów tlenkowych, jej modyfikacja pod kątem zastosowania w epitaksji cienkich warstw

75%

Sakowska H.

Materiały Elektroniczne

|

2001

|

tom T. 29, nr 3-4

36-55

PL

W artykule przedstawiono wymagania jakie powinny spełniać materiały tlenkowe stosowane na podłoża pod warstwy epitaksjalne. Wymagania te dotyczą zarówno własności objętościowych jak i powierzchniowych kryształów, na których wystąpi epitaksjalny wzrost warstwy. Opisano cykl przygotowania kryształu od momentu cięcia na płytki do momentu uzyskania lustrzanej, czystej powierzchni podłoża. Omówiono stosowane metody badań powierzchni materiałów podłożowych, określające jakość strukturalną, morfologię powierzchni oraz stopień czystości chemicznej. Przedstawiono stosowane metody modyfikacji powierzchni zmierzające do uzyskania odpowiednio przygotowanego podłoża, dla którego rośnie prawdopodobieństwo uzyskania lepszej jakościowo cienkiej warstwy epitaksjalnej.

EN

The requirements for epitaxial layer substrates are reported in the paper. These requirements involve both bulk single crystals and surface features of substrates on which the epitaxial growth will be proceeded. The method of substrate fabrication starting from cutting of crystal into a wafers and finishing in cleaning of polished surface is described. The examination methods of structural perfection of surface e.g.: low energy electron diffraction (LEED), reflection high energy electron diffraction (RHEED) and two dimensional high resolution difractometry are also presented. The principle of work and measurement possibilities of atomic force microscope (AFM) and X-ray reflectometry as a satisfactory tools for investigation of surface morphology are emphasised. The identification methods of chemical composition of surface and subsurface layers e. g.: Auger electron spectroscopy (AES), Rutherford Backscattering spectroscopy (RBS), secondary ion mass spectroscopy (SIMS) and X-ray photoemission spectroscopy (XPS) are characterized. The modification methods of surface quality aimed at obtaining good substrates for growth of high quality epitaxial layers are reported.

9

Badanie właściwości elektrycznych i optycznych cienkich warstw tlenków metali, domieszkowanych różnymi pierwiastkami

75%

Kulaszewicz S. , Lasocka I. , Lasocki Z. , Fryc I. , Jarmoc W.

Zeszyty Naukowe Politechniki Białostockiej. Matematyka, Fizyka, Chemia

|

1998

|

tom Z. 18

189-199

PL

Cienkie warstwy In2O3 i SnO2, domieszkowane różnymi pierwiastkami, nanoszone były metodą spray-hydrolizy na podłoża szklane. Jako domieszki SnO2 zastosowano: antymon, fosfor lub fluor. Jako domieszki In2O3 użyte były: cyna, tytan lub fosfor. Badano właściwości elektryczne i optyczne otrzymanych warstw. Wyznaczono wartości optycznej przerwy energetycznej w badanych materiałach.

EN

Thin In2O3 and SnO2 films doped with various elements were deposited onto glass substrates by a spray pyrolisis method. Antimony, phosphorus or fluor were used as doping impurity in SnO2 films. Tin, titanium or phosphorus were used as doping impurity in In2O3 films. Optical and electrical properties of the prepared films were investigated. The optical band gap in In2O3 and SnO2 was determined.

10

Studying of kinetic growth of organic thin films

75%

Weszka J. P. , Jarka P. , Pakuła D. , Dobrzański L. A. , Domański M. , Jurusik J.

Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering

|

2009

|

tom Vol. 35, nr 1

29-36

EN

Purpose: of this paper: Studying of growth kinetic of organic thin film prepared by vacuum thermal evaporation technology. Design/methodology/approach: Applying of quartz crystal microbalance to thickness control of organic thin films deposition process. Findings: Results of this issue suggesting that the kinetics of organic thin films is depending of current flowing through the crucible (crucible temperature). Research limitations/implications: Kinetics of vacuum evaporation of thin film is different from that of inorganic thin films during the growth process. Practical implications: The means of connect the quartz crystal microbalance MSV 1843/AB with vacuum chamber, function and means of thickness and deposition rate measuring has been described. This scientific paper include also description of researching results of kinetics of organic and metallic thin film evaporation process by MSV 1843/AB quartz crystal microbalance and verification these results by comparing them with results from other measuring techniques. Originality/value: Controlling thickness of thermally evaporated organic thin film during the film growth process.

11

Fracture and yield behaviour of wear and erosion resistant boron phosphide coatings for aerospace and automotive applications

75%

Ogwu A. A. , Hellwig T. , Haddow D.

Archives of Materials Science and Engineering

|

2015

|

tom Vol. 75, nr 1

30--34

EN

Purpose: The investigation of mechanical properties of boron phosphide thin film coatings prepared by PECVD. Design/methodology/approach: The hardness of the films was determined by nanoindentation. The fracture toughness was measured by Vickers indentation and the yield strength of the films on ZnS and <100> silicon substrate was measured by a simplified form of the spherical cavity model. Findings: The measured mechanical properties indicate that boron phosphide coatings have potential engineering applications beyond protecting infrared substrates from sand erosion in aerospace environments. Research limitations/implications: Their mechanical properties are comparable to those of DLC and Si-DLC films, in addition to their superior corrosion and sand abrasion resistance. Practical implications: Originality/value: Experimental data on the mechanical properties of boron phosphide coatings that indicate their surface protection promise in engineering applications.

12

Study of structural and optical properties of TiO2:(Eu, Pd) thin films deposited by magnetron sputtering

75%

Kaczmarek D. , Domaradzki J. , Prociow E. L. , Wojcieszak D. , Michalec B.

Materiały Elektroniczne

|

2008

|

tom T. 36, nr 3

117-127

EN

In this study the results on TiO2 thin films doped with europium and palladium at the amount of 0.9 at. % and 5.8 at. % respectively have been presented. For thin films deposition the high energy (HE) magnetron sputtering method was used. Some samples were subjected to the post-processed annealing. X-Ray Diffraction (XRD) results have shown that after deposition nanocrystalline TiO2 - rutile structure was obtained. After additional annealing at 800°C average crystallites sizes increased about twofold (from 9 to 16 nm). The XRD results were confirmed using atomic force microscope. Optical properties of thin films were examined using optical transmission method. They have shown that doping with Eu and Pd has decreased the transmission level by about 15% and shifted absorption edge to the longer wavelength range (from 330 to 450 nm) compared to pure TiO2. The width of optical bandgap of TiO2:(Eu, Pd) thin film decreased to ca. 1.7 eV, i.e. twofold, when compared to 3.35 eV of undoped-TiO2. The photoluminescence results have shown that examined thin film has strong red luminescence from standard Eu3+ emission lines.

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań cienkich warstw TiO2 domieszkowanych europem i palladem, w ilości odpowiednio 0,9 % at. i 5,8 % at. Do nanoszenia cienkich warstw zastosowano wysokoenergetyczny proces (High Energy) rozpylania magnetronowego. Wybrane próbki poddano dodatkowemu poprocesowemu wygrzewaniu. Wyniki dyfrakcji rentgenowskiej (X-Ray Difrraction - XRD) wykazały, że bezpośrednio po naniesieniu otrzymano nanokrystaliczną warstwę TiO2 o strukturze rutylu. Po dodatkowym wygrzewaniu w temperaturze 800°C średnia wielkość krystalitów wzrosła około dwukrotnie (z 9 do 16 nm). Wyniki badań XRD zostały potwierdzone za pomocą badań wykonanych za pomocą mikroskopu sił atomowych. Właściwości optyczne cienkich warstw określono na podstawie wyników badań metodą transmisji światła. Uzyskane wyniki wykazały, że domieszkowanie Eu i Pd spowodowało spadek przezroczystości warstwy o ~ 15% i przesunięcie krawędzi absorpcji optycznej w stronę dłuższych fal (z 330 do 450 nm) w porównaniu do warstwy niedomieszkowanego TiO2. Szerokość optycznej przerwy zabronionej dla cienkiej warstwy TiO2:(Eu, Pd) po naniesieniu wynosiła 1,7 eV i była około dwukrotnie mniejsza w porównaniu do 3,35 eV dla warstwy TiO2. Wyniki badań foto-luminescencji pokazały, że badana warstwa wykazuje silną czerwoną luminescencję odpowiadającą standardowym linią emisyjnym Eu3+.

13

Zastosowanie nanosekundowych impulsów laserowych do oceny naprężeń własnych cienkich warstw

75%

Radziejewska J.

Przegląd Spawalnictwa

|

2018

|

tom R. 90, nr 3

46--49

PL

Przeprowadzono badania naprężeń własnych cienkich warstw metodą Laser Spallation Technnique – LST. Krótkie, nanosekundowe impulsy o dużej energii zostały zastosowane do wywołania delaminacji cienkich warstw a geometria odspojenia do oceny naprężeń własnych. Badania przeprowadzono dla miękkiej i plastycznej warstwy tytanu oraz twardej i kruchej warstwy TiN. Obie warstwy zostały nałożone metodą PVD na podłoże ze stali kwasoodpornej 304. Wartość naprężenia otrzymana metodą LST została zweryfikowana na podstawie badań metodą rentgenowską. Uzyskane wyniki badań wykazały, że krótkie impulsy laserowe o odpowiedniej energii mogą być stosowane do oceny naprężeń własnych w przypadku cienkich warstw o dużej wartości naprężeń ściskających.

EN

The laser spallation technique was applied for measutement of residual stress of thin films. Two films of different properties, ductile and soft Ti, and hard and brittle TiN, were studied. The films were produced on 304 steel substrate by PVD method. The residual stress value obtained by laser spallation technique LST were compared with stress value from X-ray diffraction method. Good agreement of stress values measured by both methods was attained. It was shown that shock wave induced by a nanosecond laser pulse adequately determines properties of PVD thin films on metal substrate.

14

Zastosowanie metody ultradźwiękowej do badania procesu wiązania i twardnienia tworzyw ze spoiwem cementowym

75%

Zych J.

|

2006

|

tom R. 11/73, nr 1

5-16

PL

W pracy prezentowana jest nowa, opracowana przez autora, ultradźwiękowa metoda badań procesu wiązania i twardnienia tworzyw ze spoiwem cementowym. Idea metody opiera się na ciągłym pomiarze prędkości fali podczas wiązania i twardnienia tworzywa. Pomiary prowadzone są na dwa sposoby: w cienkich warstwach (kontakt tworzywa z atmosferą) i zamkniętych próbnikach (bez kontaktu z atmosfera). Na przykładach wykazano szeroki zakres zastosowań metody, w tym możliwość oceny wpływu na szybkość wiązania takich czynników jak: temperatura, stosunek w/c, warunki wiązania (w kontakcie lub bez kontaktu z atmosferą), wilgotność powietrza. Wykazano, iż metoda może być wykorzystana do badań szybkości wiązania również innych tworzyw (np. gipsów, zapraw murarskich, tworzyw ze spoiwami chemicznymi organicznymi i nieorganicznymi, itp.). Wyniki badań szybkości twardnienia mogą być wykorzystane wprost w praktyce przemysłowej, budowlanej, tam gdzie niezbędne jest określenie stopnia związania tworzywa w funkcji czasu.

EN

The work presents new method, which has been developed by the author, of ultrasonic investigation of setting and hardening process of cement-bonded materials. The method is based on a continuous measurement of ultrasonic wave velocity during setting and hardening of the material. Investigations are carried out in two modes: in thin layers (the material contacts with the atmosphere), and in closed cells (without contact with atmosphere). Presented examples show the wide range of application of the method e.g. its ability to estimate influence of the bonding ratio by such factors as: temperature, w/c ratio, bonding conditions (with and without contact with the atmosphere), and humidity. It was shown that the method can by applied to investigation of the setting process of other materials e.g. plasters, mortars, materials with organic and non-organic binders etc. The results of the hardening ratio can be used directly in industry and building practice, where there is necessary to assert the level of hardening vs. time.

15

Synthesis and characterization of physical properties of the NiO thin films by various concentrations

75%

Maaoui B. , Aoun Y. , Benramache S. , Nid A. , Far R. , Touati A.

|

tom Vol. 20, nr 3(65)

79--87

EN

In this work, nickel oxide was deposited on a glass substrate at by spray deposition technique; the structural, optical and electrical properties were studied at different NiO concentrations (0.05, 0.10 and 0.15 mol.l-1). Polycrystalline NiO films with a cubic structure with a strong (111) preferred orientation were observed at all sprayed films with minimum crystallite size of 11.97 nm was attained of deposited film at 0.1 mol.l-1. However, α-Ni(OH)2 was observed at 0.15 mol.l-1. The NiO thin films have good transparency in the visible region, the band gap energy varies from 3.54 to 376 eV was affected by NiO concentration, it is shown that the NiO thin film prepared at 0.05 mol.l-1 has less disorder with few defects. The NiO film deposited at 0.15 mol.l-1 has the electrical conductivity was 0.169 (Ω.cm)-1.

16

Czujniki Halla z silnie domieszkowanych epitaksjalnych warstw n-lnSb

75%

Oszwałdowski M. , Berus T. , Zimniak M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2004

|

tom R. 80, nr 2

88-92

PL

W artykule przedstawiono zasadę działania czujnika pola magnetycznego, opartą na wykorzystaniu zjawiska Halla. Omówiono podstawowe parametry czujnika, zależności między nimi i ich wpływ na czułość, liniowość i stabilność termiczną. Wykazano, że stosując InSb o różnym stopniu domieszkowania donorowego, można wytworzyć czujniki Halla sygnałowe, o dużej czułości, jak i bardzo dobre czujniki Halla pomiarowe o dobrej liniowości i dużej stabilności termicznej. Stosując, opracowaną w Instytucie Fizyki Politechniki Poznańskiej technologię wytwarzania cienkich warstw epitaksjalnych InSb na podłożach z i-GaAs. wykonano pomiarowe czujniki Halla. Omówiono ich budowę i własności. Przedstawiono porównanie otrzymanych czujników z wybranymi czujnikami innych firm. Przedstawiono perspektywę konstrukcji czujnika Halla z dwuwymiarowym gazem elektronowym wewnątrz cienkiej warstwy niedomieszkowanego InSb.

EN

The article presents the operating principle of magnetic field sensors, based on the Hall effect. Basic parameters of Hall sensors were discussed, their common dependence and their influence on the sensitivity, linearity and thermal stability. It was shown that by using variously donor-doped indium antimonide it is possible to produce signal Hall sensors, with high sensitivity, as well as very good measurement Hall sensors with good linearity and high thermal stability. Using the technology developed at Poznań University of Technology of manufacturing thin epitaxial films of InSb on i-GaAs substrates, measurement Hall sensors were produced. Their construction and properties were discussed. Comparison of sensors produced and some chosen ones of other producers was also presented. A prospect of producing Hall sensors with two dimensional electron gas inside a thin layer of undoped InSb was presented.

17

Porównawcze charakterystyki sensorów typu rezystancyjnego i termoelektrycznego wykonanych na bazie cienkich warstw dwutlenku cyny

63%

Luhin V. G. , Zarapin V. G. , Zharsky I. M. , Kołtunowicz T. N.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

tom Vol. 51, nr 6

110-113

PL

Porównano charakterystyki cienkowarstwowych sensorów typu rezystancyjnego i termoelektrycznego na bazie dwutlenku cyny. Zbadano wpływ temperatury i koncentracji tlenu na przewodnictwo i siłę termoelektryczną. Pokazano, że zastosowanie sił termoelektrycznych w charakterze mierzonego sygnału pozwala udoskonalić charakterystyki pomiarowe sensorów gazów.

EN

Comparative characteristics of resistive and thermoelectric thin film sensors based on tin dioxide have been investigated. The influence of temperature and oxygen concentration on electrical conductivity and thermoelectric force of films was investigated. It has been shown that the application of thermoelectric force as measured signal makes possible to enhance measuring characteristics of gas sensors.

18

Identyfikacja niektórych parametrów warstw przewodzących z wykorzystaniem metody prądów wirowych

63%

Stec W.

|

tom z. 29 [233]

251-258

PL

Artykuł przedstawia sposób pomiaru rezystancji cienkich warstw metalicznych za pomocą prądów wirowych. Metoda polega na indukowaniu w warstwie prądów wirowych przez czujnik indukcyjny pracujący w układzie szeregowego obwodu rezonansowego.

EN

The article presents a measure method of resistance of thin metallic layers with use of eddy current. The method relies on eddy current induction caused in the layer by measurement sensor working in serial resonance circuit.

19

Wpływ domieszkowania Tb na zwilżalność i wolną energię powierzchniową cienkich warstw TiO2

63%

Wojcieszak D. , Kaczmarek D. , Domaradzki J. , Prociów E. , Placido F. , Kavanagh J. , Mazur M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

tom Vol. 52, nr 3

76-78

PL

W pracy przedstawiono wpływ domieszkowania terbem na zwilżalność i wolną energię powierzchniową cienkich warstw TiO2 . Nanokrystaliczne warstwy zostały wytworzone za pomocą wysokoenergetycznej metody rozpylania magnetronowego. Do analizy wybrano niedomieszkowaną warstwę TiO2 oraz warstwy domieszkowane terbem w ilości 0,4% at, 2% at i 2,6% at. Analiza wyników pokazała, że nanokrystaliczna matryca TiO2 miała właściwości hydrofilowe, a domieszkowanie terbem spowodowało uzyskanie warstw hydrofobowych. Na podstawie pomiarów kąta zwilżania określono wartości wolnej energii powierzchniowej oraz krytycznego napięcia powierzchniowego. Analiza wyników pokazała, że parametry te zależały w głównej mierze od struktury matrycy TiO2 i wielkości krystalitów w wytworzonych warstwach.

EN

In this work influence of terbium dopant on wettability and surface free energy of nanocrystalline TiO2 thin films have been presented. Thin films were manufactured by high energy reactive magnetron sputtering process. For analysis undoped TiO2 and TiO2 doped with 0.4% at., 2% at. and 2.6% at of Tb have been selected. Analysis of results has shown that nanocrystalline TiO2 matrix was hydrophilic, while doping with Tb results in hydrophobic films receiving. Based on contact angle measurements analysis surface free energy and critical surface tension was determined. Results have shown that those parameters were mainly dependent on the structure of TiO2 - matrix and crystallite sizes in manufactured samples.

20

Comparison of Field Effect Transistor with C-nPd gate and resistive C-nPd film sensing properties toward hydrogen

63%

Krawczyk S. , Czerwosz E. , Wronka H. , Firek P. , Sochacki M. , Szmidt J.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2022

|

tom R. 98, nr 9

311--313

EN

As a result of the implementation of the POIG project (UDI-POiG.01.03.01-14-071/08-00), the research network Łukasiewicz, the Teleand Radio Institute and the Warsaw University of Technology, developed resistance hydrogen sensors using changes in nanocomposite resistance. Carbon-Palladium films (C-nPd) were obtained by PVD method, followed by transistor sensors (FET) with a gate covered with a previously developed nanocomposite C-nPd film. In this article, we show differences in a sensing properties and reaction of discussed resistance for the transistor sensors with a C-nPd film and resistive sensors built of C-nPd film deposited on ceramic substrate. For both types of sensors we performed sensing characterization in a research set-up prepared especially for this purpose during the implementation of the project. We found that transistor sensor is much more sensitive toward hydrogen than resistive sensor.

PL

W wyniku realizacji projektu POIG (UDA-POIG.01.03.01-14-071/08-00) realizowanego w latach 2009-2015 . Sieć Badawcza Łukasiewicz Instytut Tele- i Radiotechniczny oraz Politechnika Warszawską opracowały oporowe sensory wodoru wykorzystujący zmiany rezystancji nanokompozytowych warstw węglowo-palladowych (C-nPd) otrzymywanych metodą PVD, a następnie sensory tranzystorowe (FET) z bramką wykonaną z opracowanej wcześniej nanokompozytowej warstwy C-nPd. W tym artykule zostały pokazane różnice we właściwościach sensorycznych i ich reakcjach na wodór dla obu typów sensorów tranzystorowego i oporowego w postaci warstwy C-nPd osadzonej na podłożu ceramicznym. Dla obu typów sensorów badania sensorowe były prowadzone na specjalnie do tego celu zbudowanym stanowisku badawczym.