Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: charge pumping

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Measurement and performance evaluation of a silicon on insulator pixel matrix

100%

Ntavelis D. , Harik L. , Sallese J.-M. , Kayal M. , Hatzopoulos A.

International Journal of Microelectronics and Computer Science

2010

tom Vol. 1, nr 3

299-304

A new technique for driving silicon-on-insulator pixel matrixes has been proposed in |1|, which was based on transient charge pumping for evacuating the extra photo-generated charges from the body of the transistor. An 8x8 pixel matrix was designed and fabricated using the above technique. In this paper, the measurement set-up is described and the performance evaluation procedure is given, together with results of its implementation on the fabricated pixel matrix. The results show the applicability of the charge pumping technique and the effective operation of the image sensor.

Charge pumping characterization of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack

100%

Firek P. , Głuszko G. , Łukasiak L. , Szmidt J. , Jakubowski A. , Sochacki M.

Przegląd Elektrotechniczny

2014

tom R. 90, nr 9

26-28

The results of charge pumping measurements of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack were presented and discussed. The characterization method was used for verification of thershold voltage and trap density values obtained by static current-voltage (I-V) measurements.

W pracy zaprezentowano i przeanalizowano wyniki pomiarów tranzystorów MISFET wykorzystujących dwuwarstwowy dielektryk SiO2/BaTiO3. Pomiary wykonano przy użyciu metody pompowania ładunku. Stosowana metoda charakteryzacji posłużyła do weryfikacji wartości napięcia progowego tranzystora oraz gęstości pułapek powierzchniowych uzyskanych w oparciu o pomiar statycznych charakterystyk prądowonapięciowych (I-V) tranzystora.