Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: charge carrier mobility

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Influence of light on self-diffraction process il liquid crystal cells with photoconducting polymeric layers

100%

Myśliwiec J. , Miniewicz A. , Bartkiewicz S.

2002

tom Vol. 10, No. 1

53-58

In this paper we present experimental results on the influence of an external light on phase grating recording process in nematic liquid crystal cell with a photoconducting polymeric layer (PVK doped with TNF). Depending on voltage applied to the cell, the external light can amplify or attenuate the diffracted, into first order light power measured in degenerate two-wave mixing experiment. From the time delay between the opening of the external light and the moment of diffraction signal change, we deduce information about the effective charge carriers mobilities in PVK : TNF polymeric layer. We also discuss and present simple explanation of the observed effect.

Organic field effect transistor with zinc phthalocyanine

75%

Metel E. , Jarosz G.

tom Vol. 26

67-71

Output characteristics of an organic field effect transistor with zinc phthalocyanine are presented. As a substrate highly conductive silicon wafers with an insulation layer of silicon dioxide (SiO2) on the top and gold source-drain electrodes on the SiO2 have been used. The field effect mobility of holes estimated from the lower range of source-drain voltage (linear regime) was 9x10-4 cm2/(Vs).

W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoża zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 µm (jest to odległość między elektrodą źródła i elektrodą drenu) i szerokości 1048 µm. Warstwy ftalocyjaniny cynku o grubości 60 nm naparowywano na podłoże ze średnią szybkością 0.1 Å/s pod wysoką próżnią (10-6 mbar). Pomiary prowadzono w temperaturze pokojowej w atmosferze powietrza. Obejmowały one zależności natężenia prądu źródło-dren w funkcji napięcia źródło-dren przy różnych stałych wartościach napięcia źródło-bramka. W obszarze liniowym charakterystyk wyznaczono kondunktację kanału tranzystora, na podstawie której następnie oszacowano ruchliwość dziur w badanych warstwach ftalocyjaniny cynku.