This paper presents results of experimental research on the electro-resistance memory effect in a thin-film Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag structure at temperatures of 78K to 300K. This phenomenon was explained by processes of destruction and recovery the oxygen-depleted layers situated close to electrodes and within the superconductor volume. The processes occur through ion electro-diffusion by numerous oxygen vacancies existing in perovskite-type materials.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych zjawiska pamięci elektrorezystancyjnej w strukturze cienkowarstwowej Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag w temperaturach od 78K do 300K. Zjawisko to wyjaśniono procesami likwidacji i odtwarzania warstw zubożonych w jony tlenu, znajdujących się w sąsiedztwie elektrod oraz w objętości nadprzewodnika. Procesy te zachodzą na drodze elektrodyfuzji jonów poprzez liczne wakansy tlenowe obecne w materiałach typu perowskitu.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.