PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 21

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  carrier transport
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Electric and dielectric features of thin organic polymer layers
100%
Lozovski T. , Montrimas E. , Arlauskas K.
Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje
|
2004
|
tom Vol. 40, nr 15
1-3
EN
The charge carrier transport features of organic dielectric layers on the base of double hydrazone derivative and polycarbonate (PC) mixture of ratio 1:1 by weight have been investigated. The dielectric layers have been cast from solution of both organic materials on thin poly(ethylene theraphthalate) films coated by aluminum layer. Using dosed charging-discharging method, by measuring charge-voltage (C-V) characteristics, the dielectric features of organic polymer layers have been investigated. Latter characteristics enabled to evaluate layer's dielectric permittivity, surface resistance and it's dependence on electric field and polarity of charging potential. Investigation of the hole drift mobility dependencies on electric field by time-of-flight method demonstrated that the hole mobility increased from 3.5∙10-7 cm2/Vs till 2∙10-6cm2/Vs with the electric field increasing from 1.6∙105 V/cm up to 6∙105 V/cm.
2
Content available remote Influence of defect traps and inhomogeneities of SiC crystals and radiation detectors on carrier transport
88%
Kažukauskas V. , Vaitkus J. V.
Opto-Electronics Review
|
2004
|
tom Vol. 12, No. 4
377-382
EN
We present investigation of carrier traps and their transport in 4H-SiC single crystals and high energy radiation detectors. SiC detectors have been produced from bulk vanadium-compensated semi-insulating 4H-SiC single crystal. They were supplied with a nickel ohmic contact on the back surface and titanium Schottky contact on the front surface. The prevailing defect levels were revealed by means of thermally stimulated current (TSC) and thermally stimulated depolarization (TSD) methods and their advanced modification ń multiple heating technique. From I-V measurements of the samples a barrier height of ~ 1.9 eV was found. In 4H-SiC:Va, the following thermal activation values were deduced: 0.18-0.19 eV, 0.20-0.22 eV, 0.33-0.41 eV, and 0.63 eV. The maximum with activation energy of 0.33-0.41 eV appears below 125 K and most probably is caused by the thermal carrier generation from defect levels. In contrast, the first two maxima with the lowest activation energies, which nevertheless appear at higher temperatures, are likely associated with material inhomogeneities causing potential fluctuations of the band gap. The existence of different polarization sources in different temperature ranges is also demonstrated by TSD.
3
Content available remote Mechanisms of carriers transport in Ni/n-SiC, Ti/n-SiC ohmic contacts
88%
Kisiel R. , Guziewicz M. , Golaszewska K. , Sochacki M. , Paszkowicz W.
Materials Science Poland
|
2011
|
tom Vol. 29, No. 3
233--240
EN
A mechanism of carriers transport through metal-semiconductor interface created by nickel or titanium-based ohmic contacts on Si-face n-type 4H-SiC is presented herein. The mechanism was observed within the temperature range of 20 °C - 300 °C which are typical for devices operating at high current density and at poor cooling conditions. It was found that carriers transport depends strongly on concentration of dopants in the epitaxial layer. The carriers transport has thermionic emission nature for low dopant concentration of 51016 cm-3. The thermionic emission was identified for moderate dopant concentration of 5-1017 cm-3 at temperatures higher than 200 °C. Below 200 °C, the field emission dominates (for the same doping level of 5-1017 cm-3). High dopant concentration of 5-1018 cm-3 leads to almost pure field emission transport within the whole investigated temperature range.
4
Content available Electron drift mobility in amorphous anthrone layers
75%
Kania S.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2009
|
tom Vol. 30
65-72
EN
There were investigated the magnitude of the mobility and the type of the mechanism of the electron transport in the amorphous anthrone layers Enthrone (C14H10O) is the molecular crystal. The anthrone molecules due to theirs asymmetry posses permanent dipole moment, µ = 1.22 10-29 Cm. The anthrone samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with lower substrate temperatures. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X - ray diffraction. In order to attain that one employed an automatic diffractometer DAR. Drift electron mobility for obtained amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results shows the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Either obtained mobility value , less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level do not permit state unambiguously if we are here with hopping transport mechanism, or with the band transport with participation of the trapping states.
PL
Badano proces transportu elektronów w warstwach. Uzyskane wyniki nie przesądzają jednoznacznie z jakim rodzajem transportu mamy do czynienia. Uzyskane wyniki mogą sugerować występowanie zarówno transportu hoppingowego, jak i transportu w paśmie z udziałem pułapek.
5
Content available Hole drift mobility in antrachinon layers
75%
Kania S.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2007
|
tom Vol. 28
27-32
EN
The drift mobility of holes in the antrachinon layers were determined. The layers were evaporated in the vacuum of the order of 10 -5 Torr. Due to the substrate temperature the layers were in the structure polycrystalline or the quasi-amorphous. There were no obtained the effect of the layers structure on the magnitude of the mobility of the carriers and on the transport mechanism.
PL
Badano ruchliwość dziur w polikrystalicznych i quasi-amorficznych warstwach antrachinonu. Określono typową dla acenów o takim stanie nieuporządkowania wartość ruchliwości. Na podstawie uzyskanych rezultatów nie można jednoznacznie określić z jakim mechanizmem transportu mamy do czynienia. Nie stwierdzono na tym poziomie nieuporządkowania wpływu struktury na mechanizm transportu, choć można się było tego spodziewać
6
Content available remote Carrier mobility in the quasi-amorphous tetracene films
75%
Kania S. , Kondrasiuk J.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2002
|
tom Vol. 22
39-46
EN
For the first time the investigations of drift mobility for hole and electron for quasi - amorphous tetracene films were carried out. The quasi -amorphous tetracene films were obtained with the aid of vacuum evaporation technique. Tetracene was deposited on the glass substrates with the temperature 170- 200 K in vacuum of the order of 10-5 Torr. The carrier mobility was evaluated with the aid of the time-of-flight method. Obtained results suggest hat we have to do with hopping transport through localized states near the Fermi level.
PL
Po raz pierwszy przeprowadzono badania dryfowej ruchliwości dziur i elektronów dla quasi - amorficznych warstw tetracenu. Quasi - amorficzne warstwy tetracenu uzyskano metodą naparowywania próżniowego, osadzając w próżni rzędu 10-5 Torr tetracen na szklane podłoża o temperaturze 170 - 200 K. Ruchliwość nośników ładunku wyznaczono metodą time-of-flight. Uzyskane rezultaty sugerują, że mamy do czynienia z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego.
7
Content available remote Drift hole mobility in the amorphus tetracene films
75%
Kania S. , Kondrasiuk J.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2003
|
tom Vol. 23
25-32
EN
For the first time the investigations of hole drift mobility for amorphous tetracene films were carried out. The amorphous tetracene films were obtained with the aid of vacuum evaporation technique. Tetracene was deposited on the glass substrates with the temperature 140 - 150 K in vacuum of the order of 10-5 Torr. The carrier mobility was evaluated with the aid of the time-of-flight method. Obtained results suggest that we have to do with hopping transport through localized states near the Fermi level.
PL
Po raz pierwszy przeprowadzono badania dryfowej ruchliwości dziur dla amorficznych warstw tetracenu. Amorficzne warstwy tetracenu uzyskano metodą naparowywania próżniowego, osadzając w próżni rzędu 10-5 Torr tetracen na szklane podłoża o temperaturze 140 - 150 K. Ruchliwość dziur wyznaczono metodą time-of-flight. Uzyskane rezultaty sugerują, że mamy do czynienia z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego.
8
Content available Electron drift mobility in amorphous antrachinone layers
75%
Kania S.
|
|
tom Vol. 31
43-50
EN
There were investigated the magnitude of the mobility and the type of the mechanism of the electron transport in the amorphous antrachinone layers. Antrachinone (C14H8O2) is the molecular crystal. The antrachinone molecules are planar, centrosymmetric and posses permanent dipole moment practically equal zero. The antrachinone layerss were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with reduced substrate temperatures. Structural examination of the obtained antrachinone layers was made using X - ray diffraction. In order to attain that one employed an automatic diffractometer DAR. Drift electron mobility for obtained amorphous layers were determined with TOP method. Obtained mobility value, were less then 10-3 cm2 /Vs and activation energy value was on the kT level.
PL
Badano proces transportu elektronów w amorficznych warstwach antrachinonu. Uzyskane wyniki nie przesądzają jednoznacznie, z jakim rodzajem transportu mamy do czynienia. Niemniej uzyskane wyniki mogą sugerować występowanie również transportu hoppingowego, który wydaje się bardziej prawdopodobny, niż transport w paśmie z udziałem pułapek.
9
Content available Activation processes for two chosen aromatic hydrocarbon materials
63%
Kania S. , Kuliński J.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2009
|
tom Vol. 30
47-64
EN
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest that tetracene is better for utilization as a vapour sensors.
PL
Badano proces aktywacji i proces transportu nośników w warstwach tetracenu i czterofenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia, jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne. Wydaje się, że większe możliwości zastosowań w technologii cienkowarstwowej ze względu na dużą głębokość modulacji konduktywności i niewystępowania efektu przebicia ma p-czterofenyl. Tetracen może mieć zastosowanie jako materiał modulujący swoje przewodnictwo w obecności gazów pod warunkiem zastosowania grubszych warstw.
10
Content available Hole drift mobility in anthrone and antrachinone layers
63%
Kania S.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2012
|
tom Vol. 33
55-63
EN
Drift mobility of holes in antrachinone and anthrone polycrystalline thin films evaporated in the vacuum of the order of 10-5 Torr was measured with time-of-flight- method. The one order difference in mobility values for both -four ring acenes purified with zone melting before vaporization and identical in crystallization structure but with different molecule symmetry may have the origin in the presence of the difference in permanent dipole moment for both molecules.
PL
Badano proces transportu dziur w polikrystalicznych warstwach antronu i antrachinonu. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. Obydwa związki z punktu widzenia krystalograficznego posiadają prawie jednakową strukturę układu jednoskośnego o prawie identycznych stałych sieciowych i prawie identycznym kącie β. W przypadku antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano prawie o rząd większą wartość ruchliwości niż dla antrachinonu. Dla obu związków uzyskano wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs z energią aktywacji ruchliwości rzędu kT. Wielkości te mogą przemawiać za transportem hoppingowym, nie mniej dopiero badanie mechanizmu transportu z uwzględnieniem zmiany struktury warstw może w pełni zweryfikować hipotezę. Na podstawie badań wydaje się, że moment dipolowy cząsteczek, mimo identycznej struktury kryształu, może mieć wpływ na wielkość ruchliwości nośników ładunku.
11
Content available remote Charge carrier conductivity mechanism for activated p-quaterphenyl layers
63%
Kania S.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2006
|
tom Vol. 27
23-34
EN
Charge carrier conductivity mechanism for holes in activated p-quaterphenyl layers was investigated in this work. The results suggest that hopping transport through the localized states near the Fermi level dominate in those layers. The process of activation leads to the growth of the dc conductivity in aromatic hydrocarbons and this is the reversible process. This suggest the possibility to utilize in practice.
PL
Badano proces aktywacji i proces transportu dziur w warstwach p-czterofenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia, z jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.
12
Content available Charge carrier conductivity mechanism for activated tetracene layers
63%
Kania S. , Kuliński J.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2008
|
tom Vol. 29
45-56
EN
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest some ability to utilize.
PL
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu. Uzyskane wyniki zdaj się sugerować, że mamy tu do czynienia, z jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.
13
Content available remote The magnitude of the order and the hole transport in the tetracene films
63%
Kania S.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2004
|
tom Vol. 24
47-59
EN
The hole drift mobility for polycrystalline, quasi-amorphous and amorphous tetracene films were carried out. The tetracene films were obtained with the aid of vacuum evaporation technique. Tetracene was deposited on the glass substrates with the room temperature as a polycrystalline and with the substrate temperature 140 - 150 K as a amorphous one in vacuum of the order of 10 -5 Torr. The hole mobilities were evaluated using the time-of-flight method in the air environment. Obtained results suggest that we have to do with hopping transport through localized states near the Fermi level.
PL
Przeprowadzono kompleksowe badania ruchliwości dziur metodą czasu przelotu w cienkich warstwach tetracenu, będącego przedstawicielem niskowymiarowych związków organicznych. Warstwy tetracenu były uzyskane metodą próżniowego naparowywania na podłoża szklane w temperaturze pokojowej (warstwy polikrystaliczne) i chłodzone ciekłym azotem do temperatury 140 - 150 K (warstwy quasi-amorficzne i amorficzne). Badania miały na celu uchwycenie korelacji pomiędzy własnościami elektrycznymi, a uporządkowaniem strukturalnym warstwy. Uzyskane rezultaty dla ruchliwości dryftowej dziur (warstwy polikrystaliczne ok. 2,5-10 -3 cm²/Vs, zaś quasi-amorficzne i amorficzne od 6-10 -4 do 3-10 -3 cm²/Vs) zdają się sugerować, że zwiększanie stopnia nieuporządkowania strukturalnego warstw tetracenu nie ma istotnego wpływu na transport dziur w przypadku badań prowadzonych w powietrzu. Tłumaczy się to przez konkurencję pomiędzy licznymi stanami wprowadzanymi przez oddziaływanie z cząsteczkami powietrza (N2, O2) a stanami wprowadzanymi przez istnienie barier na granicy ziaren. Zjawisko to zdaje się potwierdzać uzyskiwanie prawie Gaussowskiego kształtu impulsu prądowego nawet w przypadku struktur amorficznych. Wydaje się, że dominującym mechanizmem transportu dziur w warstwach tetracenu jest transport hoppingowy poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego.
14
Content available Electron drift mobility in anthrone layers
63%
Kania S.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2011
|
tom Vol. 32
13-22
EN
There were investigated the magnitude of the mobility and the Type of the mechanism of the electron transport in the anthrone layers with a different grade of the structural order, namely in polycrystalline and quasi-amorphous layers. The anthron samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with different substrate temperatures and with different evaporation rates. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X-ray diffraction. Drift electron mobility for obtained polycrystalline and quasi amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results show the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Both obtained mobility values, were less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level but simultaneously estimated density of hopping states was relatively big. In this case it does not permit us to indicate the dominant transport mechanism.
PL
Badano proces transportu elektronów w warstwach antronu o różnym stopniu uporządkowania, to jest w warstwach polikrystalicznych i quasi-amorficznych. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. W przypadku antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano, że prawie nie występuje zależność ruchliwości od stopnia uporządkowania. Dla obu struktur uzyskano wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs, z energią aktywacji ruchliwości rzędu kT. Mimo iż wielkości te przemawiają za transportem hoppingowym, to wydaje się, że otrzymane wartości gęstości stanów są na tyle duże, że należy się zastanowić, czy faktycznie mamy do czynienia z transportem przeskokowym w wąskim paśmie w pobliżu poziomu Fermiego. Poza tym nie obserwujemy wpływu struktury krystalicznej warstw na wielkość ruchliwości, chyba, że dla polikrystalicznych warstw gęstość stanów jest na tyle duża, że nie należy spodziewać się jej wzrostu. Powyższe skłania nas do stwierdzenia, że nie można jednoznacznie określić, z jakim rodzajem transportu dla elektronów mamy tu do czynienia.
15
Content available Conductivity due to active collisions channel of adsorption of ethanol to thin layer of acenes
51%
Kania S. , Kuliński J.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2012
|
tom Vol. 33
65-72
EN
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggests influence of collisions as a source of injection of the charge through surface potential barrier of adsorption.
PL
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu i p-kwaterfenylu. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora sugeruje wzrost natężenia prądu związanego z adsorpcją jako wynik procesów dwuciałowych zderzeń z wstrzykiwaniem nośników ładunku do warstwy. Uzyskane wartości potwierdzają wyniki dla badanych związków uzyskane przy założeniu hoppingowego mechanizmu przewodzenia opisanego w [3, 4].
16
Content available Transport of Cr(III) through a supported liquid membrane
51%
Łobodzin P. , Religa P. , Rajewski J.
|
2013
|
tom nr 2
177--186
EN
In this study, facilitated transport of Cr(III) ions through supported liquid membrane (SLM) was investigated. As a carrier di-nonylonaphthalenesulfonic acid (DNNSA) and di(2-ethylhexyl) phosphoric acid (D2EHPA) were used. Additionally, the effect of carrier concentration in the membrane on ion transport was observed and the optimum concentration of carriers was determined. The most effective transport of Cr(III) ions across SLM consisting of 15% D2EHPA and 25% DNNSA was found. The facilitated transport of chromium in the SLM system depended on the type of carrier, its concentration, and the pH value of the aqueous solutions.
PL
W pracy zbadano transport przenośnikowy jonów Cr(III) w układzie z immobilizowaną membraną ciekłą (SLM). Jako przenośników jonów użyto kwasu di(2-etyloheksylo) fosforowego (D2EHPA) oraz kwasu dinonylonaftaleno fosforowego (DNNSA). Zbadano wpływ stężenia przenośnika na kinetykę transportu jonów Cr(III). Określono optymalne stężenia dla przenośników, przy którym transport zachodził najefektywniej. Dla D2EHPA wynosiło ono 15%, natomiast dla DNNSA 25%. Stwierdzono, że transport jonów Cr(III) przez SLM jest zależny przede wszystkim od rodzaju i stężenia przenośnika w membranie. Na wydajność procesu ma również wpływ pH.
17
Content available Hole drift mobility in anthrone and antrachinone layers with different structure
51%
Kania S.
|
|
tom Vol. 35
17--23
EN
The hole drift mobilities were measured with use of time of flight method (TOF) for layers of antrachinone and anthrone with different structural orders. The differences in the values of mobility for anthrone and anthrachinone are explained as an effect of different permanent dipole moment for these molecules.
PL
Poddano analizie wartość ruchliwości dziur w polikrystalicznych, quasiamorficznych i amorficznych warstwach antronu i antrachinonu. Materiały wyjściowe były o czystości spektralnej. Oba związki krystalizują w identycznej strukturze C2h 5(P21/a) krystalograficznej układu skośnego o prawie identycznych stałych sieciowych i prawie identycznym kącie β. Dla warstw antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano prawie o rząd większą wartość ruchliwości niż dla warstw antrachinonu, niezależnie od stopnia uporządkowania tych warstw. Próbujemy sformułować hipotezę i wykazać jej słuszność, że za prawie o rząd większą ruchliwość dziur w warstwach antronu odpowiada obecność znacznego momentu dipolowego w cząstkach tego związku.
18
Content available Hole drift mobility for different structures of anthrone and antrachinone layers
51%
Kania S.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2013
|
tom Vol. 34
19--25
EN
Drift mobility of holes in antrachinone and anthrone thin films evaporated in the vacuum of the order of 10-5 Tr was determined with time of flight method (TOF). The layers had different structural order due to the temperature of vaporized substrates. The results show almost lack of the mobility dependence due to the structural order. One order of difference in mobility values for antrachinone and anthrone may have origin in the presence of the difference in permanent dipole moment of the molecules.
PL
Badano proces transportu dziur w polikrystalicznych, quasi-amorficznych i amorficznych warstwach antronu i antrachinonu. Do naparowania warstw w próżni 10-5 Tr użyto materiałów o czystości spektralnej. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. Obydwa związki z punktu widzenia krystalograficznego posiadają prawie jednakową strukturę układu jednoskośnego o prawie identycznych stałych sieciowych i prawie identycznym kącie β. Przebadano trzy rodzaje warstw, to jest o strukturze polikrystalicznej, quasi-amorficznej i amorficznej. Dla warstw antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano prawie o rząd większą wartość ruchliwości niż dla warstw antrachinonu, niezależnie od stopnia uporządkowania tych warstw. Dla obu związków uzyskano w temperaturze pokojowej wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs z energią aktywacji ruchliwości rzędu 0.03 eV. Uzyskane wartości przemawiają za transportem hoppingowym. Na podstawie badań wydaje się, że moment dipolowy cząsteczek może mieć istotny wpływ na wielkość ruchliwości nośników ładunku.
19
Content available Transport processes in thin films induced with absorption for two aromatic hydrocarbons
51%
Kania S. , Kuliński J.
|
|
tom Vol. 31
51-31
EN
Transport processes enhanced by absorption of the volatile ethanol on the tetracene and p-quaterphenyl films are considered. Obtained results may suggest injection of the charge during chemisorptions. There was observed a deep modulation of conductivity due to absorption of ethanol, this dependence suggests some ability to utilize.
PL
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu i p-quaterphenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia z chemisorpcją etanolu i produktów jego rozpadu termicznego skojarzoną z transferem elektronów do lub z warstwy. Właściwym do opisu transferu elektronów wydaje się być model kwantowy jednoelektronowy, rozpisany dla każdego rodzaju cząsteczki absorbatu. Wydaje się, że duża głębokość modulacji prądu oraz zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.
20
Content available Absorbtion enhanced currents in thin layers of low dimension organics
51%
Kania S. , Kuliński J.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2011
|
tom Vol. 32
23-30
EN
Transport processes enhanced by absorption of the volatile ethanol on the tetracene and p-quaterphenyl films are considered. Obtained results may approve chemisorption's mechanism with hydrogen bonding.
PL
Kinetyka aktywacji etanolem cienkich warstw dwu niskowymiarowych przedstawicieli aligo-acenów i oligo-fenylenów (tetracen i p-kwaterfenyl) wskazuje, jako dominujący mechanizm modulacji przewodnictwa warstw, mechanizm absorbcji powierzchniowej. Zderzenia aktywne molekuł alkoholu z adsorbowanymi jonami alkoholu mogą powodować odświeżenie powierzchni absorbującej i zwiększenie szybkości kinetyki.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.