Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  barrier infrared detector
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Different cap-barrier design for MOCVD grown HOT HgCdTe barrier detectors
100%
EN
The performance of HgCdTe barrier detectors with cut-off wavelengths up to 3.6 μm fabricated using metaloorganic chemical vapour deposition operated at high temperatures is presented. The detectors’ architecture consists of four layers: cap contact, wide bandgap barrier, absorber and bottom contact layer. The structures were fabricated both with n- and p-type absorbing layers. In the paper, different design of cap-barrier structural unit (n-Bp', n+-Bp', p+-Bp) were analysed in terms of various electrical and optical properties of the detectors, such as dark current, current responsivity time constant and detectivity. The devices with a p-type cap contact exhibit very low dark current densities in the range of (2÷3)×10⁻⁴ A/cm² at 230 K and the maximum photoresponse of about 2 A/W in wide range of reverse bias voltage. The time constant of measured de- vices with n-type cap contact and p-type absorbing drops below 1 ns with reverse bias while the detectivity is at the level of 1010 cm・Hz1/2/W.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.