Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: antymonki

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Problemy epitaksji antymonków grupy III-V

100%

Jasik A. , Regiński K. , Sankowska I. , Kubacka-Traczyk J. , Jakieła R. , Kaniewski J.

2010

tom Vol. 51, nr 10

90-92

W pracy przedstawiono wyniki dotyczące optymalizacji technologii epitaksji z wiązek molekularnych związków antymonkowych oraz supersieci drugiego rodzaju. Kluczowym w procesie wzrostu warstw GaSb były dwa etapy: wygrzewanie podłoża poprzedzające wzrost oraz studzenie struktury po zakończonym wzroście. Istotnym problemem okazało się zanieczyszczanie warstw antymonkowych arsenem. W wyniku badań wpływu obszaru międzyfazowego na jakość SL II rodzaju otrzymano krzywą kalibracyjną, która pozwala uzyskać SL 10 ML InAs/10 ML GaSb dopasowaną sieciowo do podłoża GaSb.

We present the results of the growth optimization of both GaSb and related compounds and type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy. The key issues in the epitaxial growth of GaSb layers were an annealing of a substrate before growth and post-growth cooling of a structure. A crucial problem of GaSb layer growth is its arsenic contamination. We have investigated the influence of interface type on the ąuality of type-II SL. We received a calibration curve, which allows to obtain the lattice matched of 10 ml InAs/10 ML GaSb superlattice.

Epitaxial films of GaInPAsSb quinary solid solutions

80%

Kuznetsov V. V. , Rubtsov E. R. , Kognovitskaya E. A.

Materials Science Poland

2006

tom Vol. 24, No. 4

1057--1066

The method of the obtaining quinary solid solutions on the basis of A IIIBV compounds (GalnPAsSb) with specified properties was developed. New GaInPAsSb/GaSb, GalnPAsSb/InAs heterostructures were obtained to create optoelectronic devices for the 2-5 urn spectral range. The broken-gap type II hetero junction was formed at the InAs/Ga0.92In 0.08P0.05As0.08Sb0.87 heterostructure, and a light-emitting diode was fabricated with the emission intensity maximum at 1.9 žm.