Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: antistatic properties

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analiza właściwości antystatycznych cienkich warstw na bazie tlenków Hf i Ti w powiązaniu z ich mikrostrukturą

100%

Pastuszek R. , Mazur M. , Kaczmarek D. , Domaradzki J. , Wiatrowski A.

tom Vol. 60, nr 7

18--20

W pracy przedstawiona została analiza właściwości antystatycznych cienkowarstwowych powłok na bazie tlenków Hf oraz Ti w powiązaniu z ich właściwościami strukturalnymi. Cienkie warstwy badane w ramach pracy wytworzone zostały za pomocą metody rozpylania magnetronowego na podłożach SiO₂ oraz SiO₂ pokrytych warstwą tlenku indowo-cynowego o grubości 150 nm. Właściwości antystatyczne zostały określone na podstawie pomiaru czasu rozpraszania ładunku statycznego, natomiast właściwości strukturalne na podstawie badania metodą dyfrakcji rentgenowskiej XRD. Badania metodą XRD wykazały, warstwy HfO₂, (Hf0,85Ti0,15)Ox oraz TiO₂ były nanokrystaliczne, a ich średni rozmiar krystalitów wynosił poniżej 10 nm. Z kolei powłoka (Hf0,15Ti0,85)Ox była amorficzna. Dla wszystkich warstw naniesionych na SiO₂ czasy rozpraszania ładunku przekraczały 2 sekundy wynikające z przyjętego kryterium antystatyczności. Najdłuższym czasem rozpraszania charakteryzowała się warstwa amorficzna. Naniesienie warstw na podłoże SiO₂ pokryte 150 nm warstwą ITO spowodowało, że wszystkie warstwy niezależnie od ich mikrostruktury były antystatyczne, a czasy rozpraszania ładunku elektrycznego były rzędu setek milisekund.

This work presents the analysis of antistatic properties of thinfilm coatings based on Hf and Ti oxides in relation to their structural properties. Investigated thin films were sputtered by the magnetron sputtering method on SiO₂ substrates and deposited SiO₂ covered with a 150 nm thick indium-tin oxide film. Antistatic properties were determined based on the measurements of static charge dissipation time, while structural properties based on X-ray diffraction. The XRD results showed, that HfO₂, Hf0.85Ti0.15x and TiO₂ thin films were nanocrystalline with an average crystallite size below 10 nm. Hf0.15Ti0.85Ox film was amorphous. For films deposited on SiO₂ the dissipation times exceeded 2 seconds, which indicated that none of them were antistatic taking into consideration with accepted cryterion. The longest dissipation time was obtained for amorphous coating. Deposition of thin films on SiO₂ substrates coated with a 150 nm thick ITO layer results in a significate decrease of static charge dissipation time to hundreds of milliseconds, independently of their structural properties.

Właściwości antystatyczne nanokrystalicznych cienkich warstw na bazie tlenków tytanu i kobaltu

80%

Pastuszek R. , Wojcieszak D. , Obara K. , Kotwica T. , Domanowski P.

tom Vol. 58, nr 7

14--17

W pracy przeanalizowano właściwości cienkich warstw mieszanin tlenków TiO2-CoO. Warstwy zostały naniesione na podłoża SiO2 metodą rozpylania magnetronowego z wykorzystaniem wielotargetowego stanowiska. Zastosowanie metody modulacji szerokości impulsu (ang. Pulse Width Modulation) dla targetu kobaltowego miało wpływ na otrzymane rezultaty badań. Zastosowane zostały różne profile zmian współczynnika PWM, tj. o kształcie liniowym, V oraz U. Mikrostruktura warstw określona została na podstawie dyfrakcji rentgenowskiej (XRD) a skład materiałowy za pomocą mikroanalizy rentgenowskiej (EDS). Badania XRD wykazały, że warstwy naniesione z profilem liniowego narostu PWM oraz z profilem typu V były amorficzne. Dla zmiany PWM w kształcie litery U uzyskano nanokrystaliczną warstwę o strukturze rutylu. Badania EDS wykazały z kolei, że otrzymane warstwy będące mieszaniną tlenków tytanu i kobaltu mają bardzo zbliżony skład. Właściwości antystatyczne określone zostały na podstawie pomiaru czasu rozpraszania ładunku zgromadzonego na powierzchni warstwy. W celach porównawczych zbadana została również pojedyncza warstwa TiO2. Zastosowanie mieszaniny tlenków pozwoliło na uzyskanie znacznie krótszych czasów rozpraszania. Zastosowanie gradientu rozmieszczenia pierwiastków w warstwie spowodowało zróżnicowanie czasów rozpraszania dla mieszanin tlenków. Jedynie warstwa naniesiona z profilem PWM w kształcie litery U była antystatyczna. Zmierzona została również rezystancja powierzchniowa dla wszystkich próbek. Zastosowanie mieszanin TiO2-CoO spowodowało zmniejszenie rezystancji w stosunku do TiO2, a zmiany PWM spowodowały ponadto różnice w rezystancji dla warstw będących mieszaniną tlenków tytanu i kobaltu.

In this work properties of mixed oxides films based on TiO2-CoO were analyzed. Coatings were deposited on SiO2 substrates by magnetron sputtering with the use of multitarget stand. Application of Pulse Width Modulation (PWM) method for cobalt target influenced on obtained results. Various types of PWM profiles were applied, i.e. linear, V- and U-shape. Microstructure of thin films were determined based on x-ray diffraction (XRD), while the material composition was assessed by x-ray microanalysis (EDS). XRD measurements showed that thin films deposited with linear and V-shape of PWM profiles were amorphous, whereas these of U-shape had nanocrystalline rutile structure. EDS research revealed that deposited coatings had very similar overall material composition. Antistatic properties as ability to dissipate static electricity were investigated. Additionally, udnoped TiO2 were measured in the same experimental conditions and collected results were compared with those for composite coatings in relation to their antistatic properties. Composite thin films dissipated static electricity a lot faster than TiO2 layer. Sheet resistance was also measured. Thin films based on TiO2-CoO had lower resistance as-compared to TiO2. Various shape of PWM profiles used in magnetron sputtering processes caused differences in sheet resistance of composite thin films.