Proline in organic synthesis is used as a small molecular organocatalyst. In a catalytic act proline, similarly to an enzyme, activates reagents, stabilizes transition state and influences an orientation of substrates [1–12]. Proline works as aldolase I (so called microaldolase I). In comparison with other amino acids it shows exceptional nucleophilicity which makes imines and enamines formation easier. In the intermolecular aldol reaction proline was used for the first time by List and co-workers (Scheme 1) [3, 9, 20]. Since then an immense progress has been observed in this field. Several aldolization reactions were performed in the presence of proline. Reactions of this type proceed between the donor (nucleophile) and the acceptor (electrophile). In aldol reaction the donors can be both ketones and aldehydes which next are condensed with ketones and aldehydes acting as electrophiles (Scheme 2–18; Tab. 1–7) [21–72]. The presence of proline ensures not only high yield of homo- and heteroaldolization but mainly enables conducting enantio- and diastereoselective synthesis. Intermolecular proline-catalyzed aldol condensation proceeds according to enamine mechanism. Anti-aldols, which make a valuable source of intermediates in the synthesis of important biologically active compounds, are mainly obtained in this reaction [35–44, 54, 58, 62, 63, 68, 69, 71].
Rozkład potencjału w spolaryzowanym złączu p-n uzależniony jest od bieguna napięcia przyłożonego do półprzewodników typu p oraz typu n. Przedstawiono termodynamikę dla dwóch możliwych przypadków. Pierwszy, gdy źródło napięcia zewnętrznego podłączone jest ujemnym biegunem do półprzewodnika typu p, a dodatnim do półprzewodnika typu n. Polaryzacja złącza p-n w tym kierunku nazwana jest polaryzacją zaporową dla przepływu prądu. Pokazano, że w przypadku polaryzacji zaporowej złącza p-n, w obszarze złącza wzrasta wysokość bariery potencjału na złączu oraz rozszerza się warstwa zubożona. W drugim przypadku źródło napięcia zewnętrznego podłączone jest biegunem dodatnim do półprzewodnika typu p, zaś ujemnym do półprzewodnika typ n. Polaryzacja złącza w tym kierunku nazwana jest polaryzacją złącza w kierunku przewodzenia. Pokazano, że polaryzacja złącza p-n w kierunku przewodzenia obniża wysokość bariery potencjału na złączu oraz zwęża warstwę zubożoną. Określone zostały również zmiany szerokości warstwy zubożonej od strony donorowej i akceptorowej.
EN
A thermodynamic description of the potential distribution in a polarized p-n junction of semiconductors, depending on the pole of the applied voltage, was presented. In the case of reverse bias of the p-n junction, the height of the potential barrier at the junction increases in the junction region and the depletion layer expands, while the polarization of the p-n junction in the conduction direction lowers the height of the potential barrier at the junction and narrows the depletion layer. The changes in the width of the depletion layer on the donor and acceptor sides were also detd.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.