Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: ZVS switching

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Performance evaluation of the half-bridge configuration parallel-loaded resonant DC-DC converter controlled with constant frequency

100%

Wojtkowski W. , Citko T.

tom Vol. 51, nr 1

71-89

DC/DC series resonant converter controlled with constant frequency by means of the additional transistors conduction time control is presented. Proposed converter scheme allows to relatively high range of its output voltage (current) changes in comparison to the conventional PRC converter. Owing to parallel capacitors, all converter transistors are switched with zero voltage conditions. It leads to smaller switching power losses and enables to increase the converter switching frequency. Additional advantage of converter is the load characteristic typical for voltage or current source depending on the control frequency in relation to the resonant frequency. Principle of the proposed converter operation, mathematical description using the state plane analysis and results of the computer simulations as well as laboratory model investigations proving its properties are presented.

W artykule przedstawiono układ przekształtnika DC/DC z rezonansem szeregowym sterowanego przy stałej częstotliwości za pomocą sterowania czasem przewodzenia dodatkowych tranzystorów zawierających pojemność rezonansową. Prezentowany przekształtnik zapewnia relatywnie duży zakres regulacji wartości wyjściowej w porównaniu z klasycznym przekształtnikiem szeregowym z obciążeniem równoległym do kondensatora. Dzięki wprowadzonym pojemnościom wszystkie tranzystory przekształtnika są przełączane przy zerowym napięciu co minimalizuje straty przełączania w tranzystorach i pozwala na zwiększenie częstotliwości sterowania. Dodatkowa zaleta przekształtnika to możliwość otrzymania źródła prądowego lub napięciowego w zależności od relacji pomiędzy stałą częstotliwością przełączania, parametrami obwodu rezonansowego oraz rezystancją obciążenia. W artykule przedstawiono zasadę sterowania przekształtnikiem, matematyczną analizę pracy układu opartą na płaszczyźnie fazowej oraz podstawowe przebiegi czasowe i charakterystyki układu uzyskane w wyniku symulacji komputerowej oraz badań laboratoryjnych.

Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty

84%

Mikołajewski M.

2018

tom R. 94, nr 11

80--83

W referacie przedstawiono obliczenia projektowe oraz rezultaty pomiarów dla rezonansowego wzmacniacza klasy E z tranzystorem GaN GS61008P. Dla zbudowanego układu o nominalnych parametrach: moc wyjściowa POnom= 100 W, częstotliwość fpnom= 13,56 MHz, napięcie zasilania EZnom= 24 V opracowano efektywny bramkowy układ sterujący o minimalnej mocy zasilania PZDR = 0,22 W. W pracy zbadano wpływ sposobu sterowania kluczem tranzystorowym na sprawność energetyczną wzmacniacza przy częstotliwościowej (FM) regulacji mocy wyjsciowej. Ponadto, wskazno na konieczność zabezpieczenia tranzystora GaN przed uszkodzeniem na wypadek zaniku bramkowego sygnału sterującego w układach zasilanych dławikowo.

In the paper a design project and measurement results for a resonant Class E amplifier with a GaN GS61008P transistor have been presented. The designed and built amplifier operated at the frequency fnom= 13.56 MHz with output power POnom= 100 W from suppy voltage EZnom= 24 V, and minimum supply power of its gate driver was only PZDR= 0.22 W. Frequency control of the amplifier h.f. output power and the amplifer efficiency were tested for various methods of the transistor driving. Moreover, it was proved that GaN transistors require overvoltage protection circuits if applied to h.f. amplifiers with a supply choke.