Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Mikrostrukturyzacja powierzchni Si przy pomocy laserowej litografii interferencyjnej

100%

Lorens M. , Zabila Y. , Krupiński M. , Perzanowski M. , Suchanek K. , Marszałek K. , Marszałek M.

|

2011

|

tom Vol. 52, nr 8

65-67

PL

Praca przedstawia wyniki mikrostrukturyzacji powierzchni Si, będącego powszechnie używanym podłożem w technologii otrzymywania metalicznych układów cienkowarstwowych, metodą laserowej litografii interferencyjnej. Proces wytwarzania żądanych struktur jest jednostopniowy - składa się tylko z trwającego dziesięć nanosekund impulsu lasera, po którym otrzymuje się gotową strukturę i nie wymaga stosowania materiałów fotorezystywnych ani masek. Badano tworzenie periodycznych mikrostruktur powstających na powierzchni Si(111) i Si(100), pokrytego 100 nm warstwą SiO₂, w wyniku zastosowania dwuwiązkowej litografii interferencyjnej. Obrazy z Mikroskopu Sił Atomowych (AFM), uzyskane w trybie kontaktowym w powietrzu po wykonaniu litografii, pokazały powstawanie periodycznych struktur, składających się z drutów, odpowiadających destrukcyjnym prążkom interferencyjnym, oddzielonych wąskimi kanałami utworzonymi przez konstruktywne prążki interferencyjne. Określono wpływ jednorodności wiązki lasera oraz energii pulsu lasera na wysokość struktur i ich period.

EN

The direct laser interference lithography of Si surface, the most popular substrate in thin film technology, is presented in this paper. The preparation of the structure using this method requires only one step processing. It consists of irradiation of the sample surface with an interference pattern of a high-power pulsed laser by a several tens of nanoseconds resulting in a periodical structure. Such illumination of a sample leads to a direct structuring of the surface without needs of any photoresists or masks. The structuring of silicon surface Si(111) and Si(100), covered by 100 nm film of SiO₂ by means of two beam interferometry was investigated. The atomic force microscopy (AFM) measurements show real patterning with parallel hills and valleys in place of positive and negative places in interference pictures. Influence of uniformity of laser beam and energy of the laser pulse on period and height of the structure was investigated.

2

Photoluminescence study of Nd3+-doped Si-rich silica films

94%

Breard D. , Gourbilleau F. , Belarouci A. , Dufour C. , Rizk R.

|

2006

|

tom Vol. 36, nr 2-3

187-192

EN

Nd3+-doped silicon-rich silicon oxide thin films have been fabricated by reactive magnetron co-sputtering of a pure silica target topped with Nd2O3 chips. The incorporation of silicon excess in the films has been controlled by the hydrogen partial pressure PH2 introduced in the plasma. Photoluminescence experiments have been made at room temperature using a non resonant excitation with Nd3+ ions. The influences of Nd3+ content and PH2 have been studied to improve the Nd3+ emission. Photoluminescence spectra reveal an enhancement of the Nd3+ emission at 0.9 m and 1.1 m when silicon nanoclusters and Nd3+ are embedded in a SiO2 matrix.

3

Technologie połączeń w czujnikach pomiarowych

84%

Szczepański Z.

|

1998

|

tom Vol. 39, nr 6

3-1

PL

W ostatnim okresie został dokonany duży postęp zarówno w konstrukcji, jak i technologii czujników pomiarowych. Wiele z nich opartych jest na strukturach krzemowych wykonywanych przy wykorzystaniu mikromechaniki objętościowej w krzemie. Jedną z głównych operacji procesu wytwarzania czujników jest dołączanie struktury czujnika do obudowy. Proces ten jest szczególnie istotny w przypadku krzemowych czujników ciśnienia. W artykule przedstawiono różne metody montażu struktur czujników, podając ich zalety i ograniczenia, jak również pewne problemy technologiczne. Specjalna uwaga została zwrócona na proces elektrostatycznego dołączania, który jest powszechnie stosowaną metodą dla czujników opartych na strukturach krzemowych.

EN

During the last years a great progress in sensor design and technology has been made. Many of new sensors are produced using silicon micromachining, which enables various precise three dimensional silicon sensor microstructures to fabricate. One of the main process step of the sensor manufacturing is die attachment process. This especially concerns silicon pressure sensors. This paper presents alternative assembly methods, giving their advantages and limitations, likewise same technological problems. Special attention is facused on anodic bonding process which is widely used method for the sensors based on silicon micromachining.

4

Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu

84%

Kozłowski R. , Kamiński P. , Żelazko J.

|

2012

|

tom T. 40, nr 1

19-33

PL

Przedstawiono procedurę wyznaczania koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu. Stwierdzono, że intensywność prążka Laplace'a jest proporcjonalna do amplitudy składowej wykładniczej przebiegu relaksacyjnego związanej z termiczną emisją nośników ładunku z centrów defektowych o określonych właściwościach. Nową procedurę wykorzystano do określenia koncentracji wybranych radiacyjnych centrów defektowych w krzemowej warstwie epitaksjalnej napromieniowanej dawką protonów równą 1,7 x 1016 cm-2, a także w objętościowym monokrysztale krzemu, otrzymanym metodą Czochralskiego w polu magnetycznym (MCz Si), napromieniowanym różnymi dawkami wysokoenergetycznych neutronów. Stwierdzono, że koncentracja radiacyjnych pułapek TX1 (69 meV), identyfikowanych z kompleksami CiCs w krzemowej warstwie epitaksjalnej wynosi 2,5 x 1015 cm-3. Koncentracja pułapek TA6 (410 meV) identyfikowanych z lukami podwójnymi V2 (-/O) w MCz Si napromieniowanym dawkami neutronów 3 x 1015 cm-2 i 1 x 1016 cm-2 wynosi odpowiednio 4,0 x 1014 cm-2 i 5,5 x 1014 cm-3.

EN

A new procedure for determining the defect center concentration from the Laplace spectral fringes, obtained as a result of analysis of the photocurrent waveforms, has been developed. It was found that the intensity of a Laplace spectral fringe is proportional to the amplitude of the exponential component of the relaxation waveform related to the thermal emission of charge carriers from a defect center with the given properties. The procedure is exemplified by the determination of the concentrations of selected radiation defect centers in an epitaxial layer of Si irradiated with a proton fluence of 1,7 x 1016 cm-2, as well as in samples of MCz Si irradiated with high energy neutrons. It was found that in the epitaxial layer, the concentration of the TX1 (69 meV) trap attributed to the CiCs complex is 2.5 x 1015 cm-3. In the latter material, the concentrations of the TA6 (410 meV) trap, identified with divacancies V2 (-/O), were found to be 4 x 1014 and 5.5 x 1014 cm-3 for the fluences of 3 x 1015 and 1 x 1016 cm-2, respectively.

5

Influence of various ash-sludge and ash-peat mixtures on quantity and quality of maize yield. Part 2. Microelements

59%

Antonkiewicz J.

|

2007

|

tom Vol. 14, nr 3-4

257-263

EN

The research aimed to identify the influence of different quantities of ash-sludge and ash-peat mixtures addition to the soil on microelement contents in maize. The studies were conducted in 2003-2005 as a pot experiment on mineral soil to which sludge-ash and peat-ash mixtures were supplemented in the quantity of 1-30% of the total mass of substratum. The experimental design considered also the objects comprising only individual components of the mixtures. It was found Chat under the influence of the increasing percentage of ash-sludge and ash-peat mixtures in soil the content of Fe, Al and Si in maize was systematically growing, whereas Mn and Co contents were diminished. Iron content in maize aboveground parts was on the optimal level, whereas manganese content was over the norm and cobalt deficiency was registered.

PL

Badania miały na celu poznanie wpływu różnych ilości mieszanin popiołowo-osadowych i popiołowo-torfowych dodanych do podłoża na zawartość mikroelementów w kukurydzy. Badania przeprowadzono w latach 2003-2005 w warunkach doświadczenia wazonowego na glebie mineralnej, do której dodawano mieszaniny osadowo-popiołowe i torfowo-popiołowe w ilości 1-30% w stosunku do ogólnej masy utworu glebowego. W schemacie doświadczenia uwzględniono też obiekty obejmujące jedynie komponenty wchodzące w skład mieszanin. Stwierdzono, że pod wpływem wzrastającego udziału mieszanin popiołowo-osadowych i popiołowo-torfowych w podłożu systematycznie wzrasta zawartość Fe, Al i Si w kukurydzy, natomiast maleje zawartość Mn i Co. Zawartość żelaza w częściach nadziemnych kukurydzy kształtowała się na poziomie optymalnym w paszach dobrej jakości, natomiast zawartość manganu była nadmierna, a kobaltu niedostateczna.