Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2009

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Schottky

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wysokonapięciowa dioda z barierą Schottky'ego z węglika krzemu

100%

Dobrzański L. , Góra K. , Jagoda A. , Kozłowski A. , Stańczyk B. , Przyborowska K.

2009

tom Vol. 50, nr 6

16-19

W artykule przedstawiamy opracowanie technologii wysokonapięciowej diody Schottkyego wykonanej z materiału wytworzonego w całości w ITME. Najpierw omówiono problem zakończenia złącza Schottkyego i wykonano numeryczne symulacje zjawiska przebicia diody. Wyniki obliczeń zweryfikowano eksperymentalnie. Następnie wykonano wiele eksperymentalnych partii technologicznych diod o różnym polu powierzchni złącza. Na tej podstawie oszacowano aktualny stan całego cyklu technologicznego wytwarzania wysokonapięciowych przyrządów mocy w ITME od wzrostu monokryształu, przez wzrost warstw epitaksjalnych aż do wykonania przyrządu półprzewodnikowego. Oceniamy, że możemy w chwili obecnej produkować diody mocy o napięciu przebicia 600 V i prądzie przewodzenia 3 A. W najbliższej przyszłości te wartości zostaną ulepszone do poziomu prądu 5... 10 A przy napięciu przebicia 600 V. Na podstawie szeroko zakrojonych badań statystycznych oceniamy poziom uzysku tej działalności na 75%.

We report on development of high-voltage Schottky barrier diode on single crystal SiC wafers and epi-Iayers grown at ITME. The problem of Schottky junction termination extension has been solved using the numerical simulation. The calculated results have been verified by experiment. We have carried out many experiments with diodes of diverse junction areas and have estimated capabilities of our whole technological cycle starting from crystal growth, epi-Iayer growth and finally construction of diode and device processing. We claim that current status of SiC technology at ITME is the following: we can fabricate diodes which exhibit 600 V of breakdown voltage and forward current of 3 A with the yield greater than 75%. We estimate that these values will change in the near future to be 5... 10 A of forward current and 600 V of breakdown voltage at the same yield level.