Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SOI technology

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wyznaczanie generacyjnego czasu życia nośników mniejszościowych struktur SOI z elektrycznych charakterystyk diody z bramką

100%

Gibki J. , Jakubowski A.

tom Vol. 39, nr 6

14-18

Przedstawiono rezultaty badań diod z bramką zrealizowanych w technologii SOI. Analiza kształtu charakterystyk prądowo-napięciowych tych diod pozwala na wyznaczenie parametrów procesów generacyjno-rekombinacyjnych w strukturach, takich jak generacyjny czas życia oraz prędkości generacji powierzchniowej na dolnej i górnej granicy Si-SiO2. Opracowana metoda wydaje się być bardzo dokładnym i efektywnym narzędziem charakteryzacji technologii.

In this paper a study of gate-controlled diodes fabricated in SOI technology has been presented. I-U and C-V measurements of gatecon-trolled diodes allowed the generation-recombination parameters to be determined, such as carrier lifetime and the generation velocity for both the front and back Si-SiO2 interfaces. The developed method seems to be an accurate and effective tool for technology characterisation.

SOI monolithic active pixel detector technology for improvement of I-V characteristics and reliability

80%

Niemiec H. , Kucewicz W. , Sapor M. , Grabiec P. , Kucharski K. , Marczewski J. , Tomaszewski D. , Armstrong B. M. , Bain M. , Gamble F. R.

Electronics and Telecommunications Quarterly

2008

tom Vol. 54, No 4

507-512

Monolithic active pixel detectors in SOI (Silicon On Insulator) technology are novel sensors of ionizing radiation, which exploit SOI substrates for the integration of readout electronics and a pixel detector. Breakdown voltage and leakage current of pixel diodes are very important parameters of the devices. This paper addresses recent development in the field of the technology of the SOI detectors, which lead to improvement of reliability and current-voltage characteristics of the sensors.