Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  PSpice program
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Modelowanie pojemności tranzystorów GaAs oraz SiC MESFET w programie PSPICE
100%
PL
W pracy przeprowadzono ocenę dokładności modeli pojemności tranzystora MESFET wbudowanych w programie PSPICE, poprzez porównanie wyników symulacji oraz dostępnych w literaturze przedmiotu wyników pomiarów tranzystorów MESFET, wykonanych z arsenku galu oraz węglika krzemu. Pokazano, że wbudowane modele pojemności rozważanego tranzystora nie zapewniają satysfakcjonującej dokładności. Ponadto, na przykładzie wybranego modelu zaproponowano jego modyfikacje, wpływające na poprawę zgodności wyników pomiarów i symulacji charakterystyk pojemnościowo-napięciowych.
EN
In this paper the capacitances of the MESFET models built-in in PSPICE are considered. The simulated and measured values of capacitances of GaAs-MESFET and SiC-MESFET are compared. Due to the observed discrepancies between the devices simulated and measured characteristics, modification of the drain-source capacitance of the Curtice model, improving its accuracy is proposed and tested.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.