W pracy przeprowadzono ocenę dokładności modeli pojemności tranzystora MESFET wbudowanych w programie PSPICE, poprzez porównanie wyników symulacji oraz dostępnych w literaturze przedmiotu wyników pomiarów tranzystorów MESFET, wykonanych z arsenku galu oraz węglika krzemu. Pokazano, że wbudowane modele pojemności rozważanego tranzystora nie zapewniają satysfakcjonującej dokładności. Ponadto, na przykładzie wybranego modelu zaproponowano jego modyfikacje, wpływające na poprawę zgodności wyników pomiarów i symulacji charakterystyk pojemnościowo-napięciowych.
EN
In this paper the capacitances of the MESFET models built-in in PSPICE are considered. The simulated and measured values of capacitances of GaAs-MESFET and SiC-MESFET are compared. Due to the observed discrepancies between the devices simulated and measured characteristics, modification of the drain-source capacitance of the Curtice model, improving its accuracy is proposed and tested.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.