Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)

100%

Jasik A. , Strupiński W. , Kosiel K.

|

1998

|

tom T. 26, nr 3-4

47-58

PL

Zbadano parametry elektryczne warstw epitaksjalnych i ich zależności od ciśnienia w komorze reakcyjnej oraz temperatury procesu. Wyznaczono minimalną temperaturę, w której możliwe jest otrzymywanie bezdefektowych warstw o bardzo dobrych parametrach elektrycznych. Opanowano w szerokim zakresie technologię domieszkowania krzemem warstw dwuskładnikowych i trójskładnikowych. Zwiększono rozdzielczość kontroli niedopasowania sieciowego warstw InGaAs otrzymywanych na podłożach z fosforku indu domieszkowanego żelazem (InP:Fe). Wykonano dwa typy heterostruktury do elektronowych przyrządów niskoszumowych.

EN

The dependence of epilayers electric parameters on total pressure and reactor temperature was investigated. The minimal temperature, at which very good quality layers - it means without defects, with very satisfying electric parameters - may be obtained was determined as well. The Si doping technology for binary compound and ternary melts was elaborated in a wide range. Lattice mismatch control resolution for InxGa1-x As layers on InP: Fe substrate was improved. Two types of heterostructure for low noise devices were made.

2

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV

100%

Kozłowski R. , Kamiński P.

|

1998

|

tom T. 26, nr 1

7-18

PL

Przeprowadzono badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych Al. 037Ga 0.16 In047P: Si stanowiących element struktury epitaksjalnej GaAs/AlGalnP/GaAs na podłożach GaAs technologią MOCVD. Szerokość obszaru o maksymalnej koncentracji centrów DX zawiera się w przedziale od 5 do 20 nm. Określoną energię aktywacji centrów DX w tym obszarze, równą 0,48 eV, która jest zgodna z cytowaną w literaturze energią aktywacji tych centrów w warstwach epitaksjalnych otrzymywanych metodą MBE.

EN

The DLTS technique was employed to study deep defect centers in Si doped epitaxial layers of AlO.37Ga0.16In0.47P grown by MOCVD as a part of an epitaxial structure GaAs/AlGalnP/GaAs on GaAs substrates. A The width of this region with the maximum DX center concentration ranges from 5 to 20 nm. By filling the DX centers in the whole region, the activation energy for electron emission was found to be 0.48 eV. However, it is shown for the first time, that the activation energy of the DX center increases with increasing the distance from the GaAs/AL0.37Ga0.16.In0.47P inverted interface.

3

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge

75%

Dumiszewska E. , Knyps P. , Teodorczyk M. , Wesołowski M. , Strupiński W.

|

2011

|

tom T. 39, nr 3

10-14

PL

W pracy przedstawiono proces wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych opartych o związki AIII-BV z wykorzystaniem technik osadzania MOCVD. Zaprezentowano także wstępne wyniki pomiarów elektrooptycznych pojedynczego złącza struktury Ge/InGaP:Si wykonanego w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych. Złącze to powstało w wyniku dyfuzji atomów fosforu z warstwy InGaP. Wszystkie prace technologiczne zostały przeprowadzone w ITME.

EN

This work has been devoted to presenting the process of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on AIII-BV compounds using MOCVD deposition techniques. Moreover, preliminary results of electro-optical measurements performed on a single junction of a Ge/InGaP:Si structure produced in the Institute of Electronic Materials Technology have been introduced. This junction has been created as a result of the diffusion of phosphorus atoms from an InGaP layer. All technological processes have been carried out in ITME.

4

Electrical properties of HgCdTe films grown by MOCVD and doped with as

71%

Izhnin I. I. , Savytskyy H. V. , Fitsych O. I. , Piotrowski J. , Mynbaev K. D.

Opto-Electronics Review

|

2013

|

tom Vol. 21, No. 2

220-226

EN

Electrical properties of HgCdTe films grown by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) on GaAs substrates and doped with the As acceptor during the growth were studied. Discrete mobility spectrum analysis was used to extract the parameters of the as-grown films and films after ion milling and during prolonged relaxation of milling-induced defects. The measurements revealed significant compensation of the as-grown MOCVD HgCdTe with As on Te sites being the main defect, residual donor concentration of the order of (2-5)x10¹⁵ cm⁻³ and the presence of some unidentified defects.

5

Different cap-barrier design for MOCVD grown HOT HgCdTe barrier detectors

71%

Kopytko M. , Kębłowski A. , Gawron W. , Madejczyk P.

Opto-Electronics Review

|

2015

|

tom Vol. 23, No. 2

143-148

EN

The performance of HgCdTe barrier detectors with cut-off wavelengths up to 3.6 μm fabricated using metaloorganic chemical vapour deposition operated at high temperatures is presented. The detectors’ architecture consists of four layers: cap contact, wide bandgap barrier, absorber and bottom contact layer. The structures were fabricated both with n- and p-type absorbing layers. In the paper, different design of cap-barrier structural unit (n-Bp', n+-Bp', p+-Bp) were analysed in terms of various electrical and optical properties of the detectors, such as dark current, current responsivity time constant and detectivity. The devices with a p-type cap contact exhibit very low dark current densities in the range of (2÷3)×10⁻⁴ A/cm² at 230 K and the maximum photoresponse of about 2 A/W in wide range of reverse bias voltage. The time constant of measured de- vices with n-type cap contact and p-type absorbing drops below 1 ns with reverse bias while the detectivity is at the level of 1010 cm・Hz1/2/W.

6

Insight into precursor kinetics using an infrared gas analyser

71%

Kłos K. , Piotrowski A. , Gawron W. , Piotrowski J.

Opto-Electronics Review

|

2010

|

tom Vol. 18, No. 1

95-101

EN

Precursor kinetics and its influence on MOCVD growth was investigated using an infrared absorption gas analyser. After several refinements, the analyser was able to be used to measure time dependent concentrations of precursors in the growth zone. Changes were induced by periodic switching of corresponding bubbler valves. It was proved that precursor transport could be accurately described by the combined plug flow and perfectly mixed tank model. The studies of the precursor trans-port are strategically important for the growth of multilayer structures, when growth time of particular layers becomes comparable to delays and time constants. One example is quantum wells or interdiffused multilayer process (IMP) used in the growth of Hg1-xCdxTe heterostructures, where knowledge of precursor transport characteristics is vital for understanding and properly designing that growth. The model parameters, sc. the delays and time constants for DIPTe and DMCd, were evaluated for various growth conditions and then successfully used to optimise the growth of complex Hg1-xCdxTe heterostructures.

7

Synteza kompozytowych warstw Al2O3 - C/Al2O3 metodą MOCVD

71%

Sawka A. , Kwatera A.

Materiały Ceramiczne

|

2013

|

tom T. 65, nr 2

198--203

PL

Warstwy Al2O3–C/Al2O3 syntezowano metodą MOCVD (ang. Metal Organic Chemical Vapour Deposition) z acetyloacetonianu glinu w zakresie temperatur 700‒1050 °C na podłożach ze szkła kwarcowego. Warstwy syntezowano w dwóch etapach. Pierwszy etap obejmował syntezę cienkich warstw Al2O3–C o grubości ok. 0,07 µm. Gazem nośnym był argon. W drugim etapie, do reaktora CVD wprowadzano powietrze, by umożliwić syntezę warstwy Al2O3 bez węgla na warstwie Al2O3 zawierającej węgiel. Warstwa nie zawierająca węgla była znacznie grubsza (ok. 4 µm) niż zawierająca węgiel. Część warstw kompozytowych syntezowanych w 800 °C wygrzewano w atmosferze argonu lub powietrza w zakresie temperatur 900‒1050 °C. Na wybranych próbkach wykonano badania SEM i XRD.

EN

Al2O3-C/Al2O3 layers were synthesized on quartz glass substrates by the MOCVD method at temperatures of 700‒1050 oC, using aluminium acetyloacetonate as a precursor. The layers were deposited at two stages. First stage comprised the synthesis of a thin Al2O3-C layer of 0.07 µm in thickness. Argon was used as a carrier gas. Next stage covered deposition of Al2O3 without carbon. The process was running in air and argon. The Al2O3 layer with no carbon was significantly thicker (about 4 µm) than the layer with carbon. The part of the obtained layers was additionally annealed in the temperature range of 900‒1050 °C. Selected samples were tested by SEM and XRD.

8

Technologia MOCVD materiałów zawierających antymon na podłóżach GaSb dla zastosowań w optoelektronice

63%

Wesołowski M. , Strupiński W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 5

49-52

PL

Przedstawione badania skupione są na zagadnieniu epitaksji MOCVD warstw półprzewodników III-V z antymonem na podłożach GaSb. Materiały te znajdują obecnie zastosowanie w przyrządach optoelektronicznych, jednak technologia MOCVD w ich przypadku przynosi wiele wyzwań, nowych w porównaniu z bardzo dobrze już określoną technologią dla arsenków lub fosforków. W artykule zamieszczono głównie wyniki wzrostu warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb, optaymailizacja technologii oraz podstawowe problemy jakie rozwiązano i jakie wymagają rozwiązania.

EN

We present research on MOCVD epitaxy of III-V antimony-containing semiconductors on GaSb substrates. The interest in these materials outcomes from their actual and potential applications in electronics, however the MOCVD technology in this case brings many new issues if compare with well established MOCVD epitaxy of arsenides or phosphides. We show main results of growth of GaSb, InGaSb and InGaAsSb Iayers, technology optimisation and basic problems which are already resolved or need to be resolved. The analysis by semiconductor characterisation techniques: microscopy, photoluminescence, X-ray diffraction, photoreflectance and other are presented. We also consider application of developed technology in infrared semiconductor lasers.

9

Optymalizacja technologii MOCVD pod kątem poprawy morfologii powierzchni warstw HgCdTe

63%

Gawron W. , Madejczyk P. , Rogalski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 5

67-72

PL

Artykuł przedstawia wyniki prac badawczych nad udoskonaleniem morfologii powierzchni warstw epitaksjalnych HgCdTe, uzyskiwanych w technologii MOCVD na podłożu GaAs. Przedstawiono wpływ wybranych parametrów na morfologię powierzchni warstw oraz omówiono wpływ jakości powierzchni podłoża GaAs i jego orientacji krystalograficznej. Przedstawiono także wpływ grubości warstwy HgCdTe na wielkość chropowatości powierzchni. Badania te zrealizowano w Instytucie Fizyki Technicznej Wojskowej Akademii Technicznej w ramach realizacji zadania nr 6 PBZ-MNiSW 02/I/2007.

EN

This paper presents results of experimental efforts pointed towards morphology improvement of HgCdTe layers grown by MOCVD on GaAs substrates. Selected growth parameters on morphology state are presented. The substrate issues such as its quality and crystallographic orientation have been discussed. Also influence of HgCdTe layer thickness on its surface roughness is described. This article presents scientific results of works carried out in Institute of Applied Physics Military University of Technology, accomplished during realization of grant 6 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by thePolish Ministry of Science and Higher Education.

10

Heterostruktury w niechłodzonych detektorach podczerwieni

63%

Gawron W. , Rogalski A. , Madejczyk P. , Pawluczyk J. , Piotrowski J. , Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

tom Vol. 51, nr 10

106-109

PL

Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe to jeden z niewielu produktów optoelektronicznych produkowanych obecnie w Polsce i eksportowanych do wielu krajów świata. Przyrządy te znajdują zastosowania praktyczne w nowoczesnej aparaturze naukowej i medycznej, w przemyśle, ochronie środowiska naturalnego, technice wojskowej. Artykuł prezentuje obecny stan rozwoju niechłodzonych detektorów podczerwieni w Polsce.

EN

Uncooled infrared photodetectors from HgCdTe are one of few optoelectronic products manufactured currently in Poland and exported to many countries worldwide. The devices have found important applications for scientific and medical instruments, in industry, environment protection, and military technique. The paper presents the state-of-art in the field of uncooled photodetectors from HgCdTe in Poland.

11

Wpływ światła na rezystancję powierzchniową heterostruktury AlGaN/GaN

63%

Pokryszka P. , Paszkiewicz B.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2018

|

tom R. 94, nr 9

29--31

PL

Rezystancja powierzchniowa jest jednym z najczęściej wykorzystywanych parametrów elektrycznych wytworzonych cienkich warstw. Szczególną cechą rezystancji powierzchniowej jest jej skalowalność, którą często wykorzystuje się w ocenie jakościowej przyrządów półprzewodnikowych zaprojektowanych w różnej skali. W pracy przedstawiono wpływ pobudzenia UV na GaN. Na podstawie zaprezentowanej metody zbadano wpływ światła na rezystancję powierzchniową oraz uzyskano charakterystykę widmową heterostruktury AlGaN/GaN. Pomiary wykonano z wykorzystaniem struktury testowej typu Hall bar. Wzrost heterostruktury AlGaN/GaN uzyskano metodą MOCVD. Pomiary przeprowadzono w temperaturze pokojowej natomiast czynnikiem pobudzającym było światło z zakresu 280-640 nm. W pracy zbadano i omówiono zmianę rezystancji powierzchniowej w funkcji długości fali światła pobudzającego, analizowano również obecność głębokich poziomów w heterostruktorze AlGaN/GaN.

EN

Sheet resistance is most commonly used electrical parameters of thin films produced. A special feature of sheet resistance is its scalability, which is often used in the qualitative assessment of semiconductor devices designed at different scales. The paper presents the effect of UV excitation on GaN. Based of presented method, influence of light on sheet resistance was investigated and spectral characteristic of AlGaN/GaN heterostructure were obtained. Based on presented method, influence of light on sheet resistance was examined and spectral characteristic of AlGaN/GaN heterostructure were obtained. Measurements were made using the Hall bar test structure. Grown by obtained MOCVD methods. The Hall bar test structures were fabricated and investigated at room temperature and light in 280-640 nm range. The work examines and discusses the change of sheet resistance as a function light was also analyzed in the presence of deep level AlGaN/GaN heterostructure.

12

Otrzymywanie warstw tlenku glinu z acetyloacetonianu glinu metodą CVD w powietrzu

63%

Sawka A. , Kwatera A.

Inżynieria Materiałowa

|

2013

|

tom Vol. 34, nr 6

841--844

PL

Przeprowadzone w pracy badania są modelowe. Ich celem było opracowanie najlepszych warunków syntezy monowarstw Al2O3 o nanokrystalicznej budowie, przydatnych do nanoszenia ich z dużą szybkością wzrostu na węglikach spiekanych pokrywanych wstępnie pośrednią warstwą Al2O3-C. Zastosowanie podłoży ze szkła kwarcowego, ze względu na jego dużą przeświecalność, ułatwia uzyskanie informacji o jakości warstw, tj. grubości i jej zmienności, gęstości, z której wynikają inne cechy warstw, takie jak wytrzymałość mechaniczna, adhezja do podłoża. Istotny wpływ na gęstość może mieć proces nukleacji homogenicznej, w wyniku którego powstają porowate proszki o składzie zbliżonym lub takim samym jak syntezowane warstwy. Proszki te, osiadając na syntezowanej warstwie, powodują łatwe do zaobserwowania ich zmętnienie. Należy nadmienić, że stosowanie w badaniach rozwiniętego wyrażenia Grx/Rex 2 dodatkowo umożliwia szybkie ustalenie odpowiednich parametrów procesu. Warstwy tlenku glinu na szkle kwarcowym grzanym w piecu indukcyjnym syntezowano metodą CVD z acetyloacetonianu glinu w powietrzu w temperaturze 700÷1000°C. Otrzymano warstwy o dużej przeświecalności, gdy nie występował podczas ich syntezy proces nukleacji homogenicznej. Warstwy syntezowane w niższej temperaturze poddawano procesowi krystalizacji powyżej 900°C. Badano przebieg procesu krystalizacji w zależności od czasu i temperatury. Otrzymano warstwy o budowie nanokrystalicznej.

EN

Presented research is model. Its aim was to obtain the information helpful for elaboration of new technology of synthesis of Al2O3 monolayers on cemented carbides. Elaborated technology should make possible influence on microstructure of deposited layers. Al2O3-C layers obtained at this research will constitute an intermediate layer. An external layer will be Al2O3 layer without carbon. This layer should by thin, continuous, dense, uniform in thickness and well adherent to the substrate. Quartz glass is transparent and therefore we can easy visually estimate thickness of obtained layers, its changes and if the homogeneous nucleation process was present during the layer deposition. In this process porous powders are formed in gaseous phase (they composition is similar or the same as deposited layer) and they sink on the synthesized layer. Homogeneous nucleation process conduces synthesis of layers of low density. High density of synthesized layers is important because its results from it other properties, e.g. mechanical strength, adhesion to the substrate. Using of extended criterion of Grx/Rex 2 lets conduct the process of the layer synthesis in a such way in order to avoid appearance of this unfavourable process. Aluminium oxide layers were synthesised using aluminium acetyloacetonate at temperature of 700÷1000°C. Air was use as well as reactive and carrier gas. Obtained layers were transparent when during their synthesis process of homogeneous nucleation wasn’t present. Layers synthesized at lower temperature were treated controlled crystallization at temperature above 900°C. Dependence of crystallization process on time and temperature was investigated. Obtained layers were nanocrystalline. Their object is elaboration of optimum conditions for synthesis of Al2O3 layers on cemented carbides.

13

Study of MOCVD growth of InGaAsSb/AlGaAsSb/GaSb heterostructures using two different aluminium precursors TMAl and DMEAAl

62%

Wesołowski M. , Strupiński W. , Motyka M. , Sęk G. , Dumiszewska E. , Caban P. , Jasik A. , Wójcik A. , Pierściński K. , Pierścińska D.

Opto-Electronics Review

|

2011

|

tom Vol. 19, No. 2

140-144

EN

The antimonide laser heterostructures growth technology using MBE epitaxy is currently well-developed, while MOVPE method is still being improved. It is known that the principal problem for MOVPE is the oxygen and carbon contamination of aluminium containing waveguides and claddings. The solution would be to apply a proper aluminium precursor. In this study we present the results of metal-organic epitaxy of In- and Al-containing layers and quantum well structures composing antimonide lasers devices. Special emphasis was put on the aluminium precursor and its relation to AlGaSb and AlGaAsSb materials properties. The crystalline quality of the layers grown with two different Al precursors was compared, very good structural quality films were obtained. The results suggested a substantial influence of precursors pre-reactions on the epitaxial process. The oxygen contamination was measured by SIMS, which confirmed its dependence on the precursor choice. We also optimised the GaSb substrate thermal treatment to deposit high quality GaSb homoepitaxial layers. Quaternary InGaAsSb layers were obtained even within the predicted miscibility gap, when arsenic content reached high above 10% values. InGa(As)Sb/AlGa(As)Sb quantum wells were grown and their optical properties were characterised by photoluminescence and photoreflectance spectroscopy. Type-I quantum wells showed a fundamental optical transition in the 1.9-2.1 µm range at room temperature. The epitaxial technology of the structures was subjected to an optimisation procedure. The investigated layers and heterostructures can be considered for application in laser devices.

14

The method for extracting defect levels in the MCT multilayer low-bandgap heterostructures

62%

Majkowycz K. , Małgorzata K. , Murawski K. , Martyniuk P.

Opto-Electronics Review

|

2024

|

tom Vol. 32, No. 1

art. no. e149182

EN

A method for defects extraction for a mercury cadmium telluride (MCT) multilayer low-bandgap heterostructure is presented. The N⁺/T/p/T/P⁺/n⁺ epitaxial layer was deposited on a GaAs substrate by a metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD). The absorber was optimized for a cut-off wavelength of 𝜆𝑐=6 μm at 230 K. Deep-level transient spectroscopy (DLTS) measurements were conducted for the isolated junctions of the N⁺/T/p/T/P⁺/n⁺ heterostructure. Three localised point defects were extracted within the p-type active layer. Two of them were identified as electron traps and one as a hole trap, respectively.

15

InNAs : a new optoelectronic material for mid-infrared applications

54%

Osiński M.

Opto-Electronics Review

|

2003

|

tom Vol. 11, No. 4

321-326

EN

The InNx As1-x alloy is a very promissing, although so far almost completely unexplored, novel material for mid-IR emitters and detectors. InNAs/GaAs multiple quantum wells were grown by MOCVD on GaAs substrates, using dimenthylhydrazine (DMHy) as nitrogen precursor. The crystalline quality and solid phase composition were evaluated by high-resolution x-ray diffraction. The nitrogen content in InNAs wells was determined to be 18%. The measurements indicate high quality of quantum-well structures. The peak photoluminescence emission wavelengths of ~6.5 um at 30 K and ~7.2 um at 193 K are the longest reported so far for dilute nitride semiconductors.

16

Nisze rynkowe szansą dla polskiej elektroniki : na przykładzie VIGO System S.A.

51%

Piotrowski J. , Grudzień M.

|

tom Vol. 46, nr 5

11-17

PL

Omówiono zagadnienia rozwoju małych firm zajmujących się zaawansowanymi technologiami elektronicznymi w Polsce. Na przykładzie firmy VIGO System S.A. pokazano możliwości skutecznego opanowania nisz w dziedzinie optoelektroniki na rynku światowym. Przedstawiono metody umacniania pozycji konkurencyjnej i wizerunku firmy na rynku.

EN

Some issues of development of small, high-tech electronics, enterprises in Poland are discussed. Based on an example of VIGO System S.A., the possibility of world niche market capturing, company competition position and image reinforcement has been shown.

17

Kwantowy (2DEG) czujnik pola magnetycznego z pseudomorficzną warstwą aktywną In0,52Al0,48As/In0,8Ga0,2As na podłożu (411)A InP

51%

Przesławski T. , Wolkenberg A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

tom Vol. 48, nr 1

55-61

PL

Opisano koncepcję nowej generacji czujników Halla wykorzystujących półprzewodnikowe studnie kwantowe wypełnione 2DEG. Technologie MBE, MOCVD umożliwiają kontrolę parametrów rosnących warstw oraz wytwarzanie tzw. struktur pseudomorficznych - mechanicznie naprężonych na granicy z sąsiednimi warstwami i nie przekraczających grubości krytycznej. Podano właściwości elektryczne oraz charakterystyki różnych parametrów, które mogą być odpowiednio kształtowane (inżynieria przerwy zabronionej, inżynieria funkcji falowych). Wymienione zalety tej struktury heterozłączowej w połączeniu ze wzrostem na podłożu (411 )A InP powinny znacznie poprawić właściwości transportowe ładunków elektrycznych. Czujniki Halla wykorzystujące struktury pseudomorficzne mogą w najbliższej przyszłości wyprzeć z wielu zastosowań tradycyjne hallotrony.

EN

There was described new concept of Hall sensors with fulfilled quantum wells by 2DEG. MBE and MOCVD technology allow control of the growing layers (channel and barrier) and therefore also to make pseudomorphic structures mechanic strained on the frontier between neighbor layers and with it thickness lower as critical. It was described different properties and parameters which can be shaped using energy gap and wave function engineering. All values of these structures together with growth on (411)A InP (super- flat interfaces - significant reduction of the interface roughness scattering charge carrier of 2DEG, enhanced electron mobility) must to bring enormous increase of transport parameters of charge carriers. Such Hall sensors can push out in the future the classical Hall sensors with thin layer structure.

18

Epitaksja warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb na podłożach GaSb metodą MOCVD

51%

Wesołowski M. , Strupiński W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

tom Vol. 51, nr 1

77-79

PL

Przedmiotem prezentowanych badań jest technologia epitaksji MOCVD na podłożach GaSb warstw GaSb oraz niektórych innych materiałów III-V zawierających antymon. Przeprowadzenie optymalizacji procesu epitaksjalnego oraz przygotowania podłoży pozwoliło pokonać podstawowe charakterystyczne problemy tej technologii. Zamieszczone dane analizy właściwości warstw: fotoluminescencji, rozpraszania rentgenowskiego, absorpcji, SIMS, mikroskopii optycznej oraz AFM wykazują dobrą jakość strukturalną, inne parametry, jak np. właściwości nośników, wymagają dalszej optymalizacji. Natrafiono na problemy w postaci dużej zawartości węgla i tlenu, trudności związane z obecnością tlenku na powierzchni podłoży oraz inne charakterystyczne problemy epitaksji MOCVD związków zawierających antymon.

EN

We present experimental results of MOCVD epitaxy of GaSb and some other III-V antimony-containing semiconductors on GaSb substrates. Through optimisation of epitaxy process and substrate preparation we resolved several specific technological issues. Observed characteristic relatively high contamination by oxygen and carbon can introduce difficulties in device applications. We have recognized and resolved problems related to the facility of oxide creation on the GaSb surface. We show characterisation results derived by photoluminescence, X-ray diffraction, absorption, SIMS, optical microscopy, AFM and other.

19

Długofalowe detektory podczerwieni dla telekomunikacji optycznej w otwartej przestrzeni

51%

Gawron W. , Gutowska M. , Pędzińska M. , Pawluczyk J. , Piotrowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

tom Vol. 51, nr 10

76-79

PL

Praca pokazuje zasady projektowania i właściwości detektorów podczerwieni dla szerokopasmowych modułów detekcyjnych przeznaczonych dla otwartych łączy optoelektronicznych. Są to heterostrukturalne fotodetektory długofalowego (8...12 µm) promieniowania podczerwonego pracujące bez chłodzenia kriogenicznego. Podstawą konstrukcji fotodetektorów są złożone heterostruktury HgCdTe wytwarzane metodą MOCVD.

EN

Long wavelength infrared photodetectors from HgCdTe for the second generation free-space optical links are reported. The photodetectors are based on optically immersed photodiodes operating with Peltier coolers. The photodiodes are based on HgCdTe heterostructure. The devices have been grown using Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD).

20

Zastosowanie technologii MOCVD w dziedzinie laserów antymonkowych z heterozłączem I-go rodzaju

51%

Wesołowski M. , Strupiński W. , Pruszyńska-Karbownik E. , Motyka M. , Sęk G. , Wójcik-Jedlińska A. , Pierściński K. , Pierścińska D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

tom Vol. 52, nr 10

25-28

PL

Zastosowanie technologii epitaksji MOCVD (Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy) w przypadku optoelektronicznych przyrządów półprzewodnikowych otrzymywanych ze związków antymonu napotyka na problem w postaci zanieczyszczenia węglem i tlenem warstw zawierających glin. W związku z powyższym opracowano skuteczną technologię MOCVD struktur przyrządów antymonkowych w przypadkach, gdy nie ma konieczności wprowadzania do warstw atomów tego pierwiastka, jest tak np. w dziedzinie niektórych konstrukcji ogniw termo-foto-woltaicznych oraz detektorów ln(Ga)(As)Sb/GaSb. Odmienne natomiast okoliczności występują w dziedzinie laserów heterozłączowych InGaAsSb/AIGaAsSb/GaSb. W tym przypadku opublikowano dotychczas tylko jeden przypadek działającego lasera, nie udało się przy tym osiągnąć trybu pracy ciągłej. Celem przeprowadzonych badań była weryfikacja trudności tej technologii oraz próba ich pokonania poprzez zastosowanie optymalnego zestawu prekursorów. Przedstawione są wyniki prac nad otrzymywaniem warstw tworzących heterostrukturę oraz wyniki charakteryzacyjne heterostruktur. Porównanie jakości struktur otrzymanych w oparciu o zastosowane prekursory alternatywne DMEAAI (dwu-metylo-amino-diolan-glinu) oraz TEGa (trój-etylek-gaIu) z warstwami wykonanymi przy zastosowaniu prekursorów TMAI (trój-metylek-glinu) oraz TMGa (trój-metylek-galu) wykazało poprawność koncepcji. Pokazane są wyniki symulacji numerycznych uwzględniających problematykę domieszkowania okładek i barier laserów. Umożliwiają one optymalizację projektu struktury dla epitaksji w technologii MOCVD.

EN

The application of the MOCVD (metal organic vapor phase epitaxy) epitaxial growth method to optoelectronic semiconductor devices based on antimony compounds is problematic primary due to the carbon and oxygen contamination of layers containing aluminum. Thus, an effective MOCVD technology for antimonide devices, which do not incorporate atoms of this element in heterostructures, has been established. It concerns some thermophotovoltaic cells or ln(Ga)(As)Sb/GaSb detectors. The situation of InGaAsSb/AIGaAsSb/GaSb heterojunction lasers is dissimilar, since up to this point only one instance of a working laser has been reported; additionally, continuous wave operation has not been shown. The predominant goal of this study has been to verify the technology and to overcome its difficulties by using currently optimal precursors. Both the results of work on the process of obtaining single layers and the characterization results for laser heterostructures are presented. The comparison of the quality of the structures produced using alternative precursors DMEAAI (di-methyl-ethyl-amino-alane) as well as TEGa (tri-ethyl-galium) and the structures obtained with the use of TMAI (tri-methyl-aluminum) and TMGa (tri-methyl-galium) precursors proved the correctness of the concept. Numerical simulations of the laser devices considering the specific barrier and cladding layers doping issue are presented.