PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  JFET
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Simulation based feasibility study of Junction Vertical Slit Field–Effect Transistor (JVeSFET)
100%
Pfitzner A. , Staniewski M. , Strzyga M.
|
2010
|
tom R. 86, nr 11a
59-63
EN
This paper presents simulated DC characteristics of deep-submicron JFETs conforming to the principle of extreme layout regularity, that is a foundation of a new Vertical Slit geometry ICs (VeSTICs) vision proposed in [4]. Exploration of parameter space of this fully symmetrical dual gate JVeSFETs has been performed. As a conclusion an assessment of applicability of these devices in nano-size era SoCs is proposed.
PL
W pracy przedstawiono oparte na symulacjach stałoprądowych studium wykonalności tranzystora polowego złączowego o głęboko submikrometrowych wymiarach, spełniającego wymagania ekstremalnej regularności layoutu wg zaproponowanej przez W. Malego [4] koncepcji pionowej szczelinowej geometrii układow scalonych VeSTIC. Taki symetryczny dwubramkowy JVeSFET proponowany jest do integracji w SoC.
2
Content available remote Tranzystor JFET z węglika krzemu - szybki, wysokonapięciowy element półprzewodnikowy do zastosowań w energoelektronice
84%
Rąbkowski J.
|
2009
|
tom R. 85, nr 4
205-208
PL
W artykule przedstawiono podstawowe właściwości tranzystora JFET, w pełni sterowanego elementu wykonanego w technologii węglika krzemu (SiC), pod kątem zastosowania go w energoelektronice. Wykorzystując próbki elementów dostarczone przez producenta wyznaczono charakterystyki statyczne a także dynamiczne elementu oraz zbadano jego zachowanie się w stanie zwarcia. Opracowano sterownik bramkowy z zabezpieczeniem nadprądowym, który został wykorzystany do budowy przekształtnika DC/DC obniżającego napięcie.
EN
In this paper basic features of Junction Field Effect Transistor (JFET), fully controlled device made of silicon carbide (SiC) are presented. With the use of JFET samples static and dynamic characteristics are determined and short circuit behavior is shown. The gate driver with overcurrent protection has been developed and applied in step-down DC/DC converter.
3
Content available remote Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
84%
Giziewski S.
|
2012
|
tom R. 88, nr 12b
287-290
PL
W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/žs powoduje problemy EMC oraz EMI. Wysokoczęstotliwościowe przekształtniki z tranzystorami SiC JFET dają nowe możliwości regulacji układów z silnikami wysokoobrotowymi (100 tys. obr./min.), co potwierdzają przedstawione wyniki badań symulacyjnych i eksperymentalnych generacji napięcia o częstotliwości podstawowej harmonicznej 1500Hz.
EN
The paper presents design and testing of a three-phase voltage inverter built with application of silicon carbide (SiC) Schottky diodes and SiC JFET transistors. Shorter switching times of these elements in comparison with IGBTs and diodes based on a silicone (Si) makes it possible operation with a frequency of 100 kHz and higher. High rate of change of power devices voltages, up to several dozen of kV/žs causes EMC and EMI problems. High-frequency converters with SiC JFET transistors gives new capabilities in control of high-speed electric motors.
4
Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H-SiC
84%
Taube A. , Sochacki M. , Szmidt J.
|
2009
|
tom Vol. 50, nr 6
20-25
PL
W artykule przedstawiono wyniki symulacji tranzystora LJFET wykonanego na podłożu 4H-SiC. Wbudowane w symulator ATLAS parametry materiałowe i modele przerwy energii zabronionych, ruchliwości i jonizacji zderzeniowej rozszerzono i uzupełniono o dane zaczerpnięte z literatury. Parametry struktury tranzystora LJFET optymalizowano pod kątem uzyskania maksymalnej wartości napięcia przebicia (Vbr) i minimalnej rezystancji charakterystycznej w stanie włączenia (Ron). Po zmodyfikowaniu zaproponowanej struktury otrzymano wartość Vbr = 1020 V i Ron = 15,7 mWcm ².
EN
4H-SiC lateral junction field-effect transistor structure (LJFET) was simulated in ATLAS software. Implemented material parameters and physical models of temperature dependence of energy bandgap, electric field dependence of carrier mobility and impact ionization were extended by latest literature data. LJFET breakdown voltage (Vbr) and on-state specific resistance (Ron) were investigated to maximize Figure of Merit (FOM). Breakdown voltage of 1020 V and on-state specific resistance of 15.7 mWcm ² were achieved finally.
5
Content available remote Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
84%
Giziewski S.
|
2012
|
tom R. 88, nr 4b
76-79
PL
W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają na budowę przekształtników o sprawności blisko 98%. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/�[mikro]s powoduje problemy EMC oraz EMI.
EN
The paper presents the design and testing of three-phase voltage inverter built using silicon carbide (SiC) Schottky diodes and SiC JFETs. Lower switching times of these elements compared to IGBTs and diodes based on silicone (Si) allow operation with a frequency of 100 kHz and higher. Low switching energy and drain resistance allows for the construction of converters with an efficiency almost 98%. High rate of change of power devices voltages, up to hundreds of kV/[micro]s cause EMC and EMI problems.
6
Content available remote Sterowniki bramkowe dla tranzystorów z węglika krzemu (SiC) - przegląd rozwiązań
59%
Rąbkowski J. , Zdanowski M. , Barlik R.
|
2012
|
tom R. 88, nr 4b
187-192
PL
Artykuł przedstawia przegląd rozwiązań sterowników bramkowych tranzystorów mocy z węglika krzemu. Omówiono kolejno przypadki tranzystorów złączowych (JFET): normalnie załączonych a także normalnie wyłączonych oraz sterowniki prądu bazy dla tranzystorów bipolarnych (BJT). Przedstawiono także wyniki badań eksperymentalnych – przebiegi prądów i napięć zarejestrowane w trakcie testów dwupulsowych, obrazujące procesy łączeniowe dla każdego z omawianych tranzystorów.
EN
The paper presents an overview of the gate drive units for Silicon Carbide power transistors. Solutions for two types of Junction Field Effect Transistors: normally-on and normally-off as well as base drive units for bipolar transistors (BJTs) are described. Experimental results – waveforms of the currents and voltages recorded during double-pulse tests are presented in order to illustrate switching behavior of discussed transistors.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.