Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: HOT

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Status of long-wave Auger suppressed HgCdTe detectors operating > 200 K

100%

Martyniuk P. , Gawron W. , Stępień D. , Pawluczyk J. , Kębłowski A. , Madejczyk P. , Kopytko M. , Koźniewski A.

tom Vol. 23, No. 4

278-286

We report on the status of long-wave infrared Auger suppressed HgCdTe multilayer structures grown on GaAs substrates designed for high operating temperature condition: 200-300 K exhibiting, detectivity ~10¹¹ cmHz¹/² /W, time response within a ~120 ps range at 230 K. Abnormal responsivity within the range of ~30 A/W for electrical area 30×30 μm² under reverse bias V = 150 mV is reported. Maximum extraction coefficient of ~2.3 was estimated for analysed structures.

Demonstration of HOT photoresponse of MWIR T2SLs InAs/InAsSb photoresistors

89%

Michalczewski K. , Tsai T. Y. , Martyniuk P. , Wu C. H.

tom Vol. 67, nr 1

141--145

We report on the photoresponse of mid-wavelength infrared radiation (MWIR) type-II superlattices (T2SLs) InAs/InAsSb high operating temperature (HOT) photoresistor grown on GaAs substrate. The device consists of a 200 periods of active layer grown on GaSb buffer layer. The photoresistor reached a 50% cut-off wavelength of 5 μm and 6 μm at 200 K and 300 K respectively. The time constant of 30 ns is observed at 200 K under 1 V bias. This is the first observation of the photoresponse in MWIR T2SLs InAs/InAsSb above 200 K..

Detektory barierowe : nowe trendy

71%

Martyniuk P. , Kopytko M. , Rogalski A.

tom Vol. 57, nr 9

62--65

W artykule omówiono nowe trendy w rozwoju wysokotemperaturowych – nie wymagających chłodzenia kriogenicznego – barierowych detektorów podczerwieni. Przedstawiono podstawy teoretyczne, podstawową strukturę typu nBn, jak również dokonano przeglądu materiałów wykorzystywanych do wytwarzania detektorów barierowych pod względem granicznych wartości prądu ciemnego. Przedstawiono osiągi detektorów barierowych wytwarzanych z supersieci-II rodzaju materiałów grupy AIIIBV InAs/GaSb i InAs/InAsSb. W przypadku InAs/InAsSb szacowania teoretyczne wskazują na lepsze osiągi niż te uzyskiwane dla układu InAs/GaSb. Nie pominięto materiałów objętościowych z grupyAIIIBV: InAs, InAsSb i InGaAsSb, jak również dominującego obecnie HgCdTe. Detektory barierowe związków grupyAIIIBV, zarówno z materiałów litych jak i z supersieci-II typu, stanowią realną alternatywę dla HgCdTe do zastosowań wysokotemperaturowych, choć najniższe graniczne wartości prądu nadal uzyskuje się dla struktur z HgCdTe.

In the paper we discussed the new trends in higher operating temperature – exhibiting no requirements related to the cryogenic cooling – the barrier IR detectors. We presented basic theory, simple nBn structure, and reviewed the materials used for the nBn detectors in terms of the utmost dark current. The performance was presented for type-II superllatices InAs/GaSb and InAs/InAsSb. Theoretical simulations indicate that T2SLs InAs/InAsSb exhibits lower SRH generation recombination rates in comparison to the InAs/GaSb. The performance of the bulk InAsSb and HgCdTe materials was also presented. TheAIIIBV bulk and type-II superlattices barrier detectors could be treated as an alternative to the HgCdTe detectors for higher operating temperature conditions. The utmost dark current was found for HgCdTe nBn barrier detectors.