Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  HFET
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Modelowano tranzystor HFET oparty na heterostrukturze AlGaN/GaN/AI₂O₃ z uwzględnieniem wpływu polaryzacji spontanicznej i piezoelektrycznej w naprężonej warstwie AlGaN. Polaryzacja warstwy AIGaN pozwala na konstruowanie niedomieszkowanych HFET. Badano wpływ polarności warstw na działanie przyrządu. Jedynie wartswy o polarności galowej okazały się przydatne do konstrukcji HFET. Uwzględniono specjalne metody obniżania koncentracji elektronów.
EN
HFET based on AlGaN/GaN/AI₂O₃ heterostructure have been modelled. Influence of spontaneous and piezoelectric polarisation effect in strained AlGaN layer was included in modelled structures. Polarisation of AlGaN layer allows building undoped HFET. Influence of AIII-N layers polarity on device performance was modelled. Only Ga-face structures appeared suitable for HFET construction. Models took into account special methods of lowering intrinsic electron concentration as it is crucial for proper device performance.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.