Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

1 2002

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: EPEL-EKV compact MOS-FET model

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Compact Modelling of Ultra Deep Submicron CMOS Devices

100%

Grabiński W. , Sallese J. M. , Bucher M. , Krummenacher F.

tom Vol. 50, Nr 1

13--27

The technology of CMOS very large-scale integrated circuits (VLSI) has achieved remarkable advances over last 25 years and the progress is expected to continue well into this century. However, even before the minimum feature sizes of the active VLSI devices reach the fundamental limits, this evolution is expected to encounter severe technological and economic problems when the dimensions go below sub-quarter micron, the so called ultra deep submicron (UDSM). There are many physical effects that need to be addressed while modelling UDSM devices , such as quantization of the inversion layer, mobility degradation, carrier velocity saturation and overshoot, polydepletion effects. In this paper, the advances in compact MOSFET devices will be illustrated using application examples of the EPEL-EKV model.