Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Analiza układów nieliniowych o wielu rozwiązaniach DC

100%

Tadeusiewicz M. , Hałgas S.

|

2009

|

tom R. 85, nr 11

149-152

PL

Praca dotyczy analizy nieliniowych układów analogowych o wielu punktach równowagi (rozwiązaniach DC). Przedstawiono prostą metodę pozwalającą wyznaczyć niektóre z tych rozwiązań, opartą na idei charakterystyk testowych. Zdefiniowano cztery rodzaje charakterystyk testowych. Zaproponowano wykorzystanie tej metody w algorytmie gwarantującym znalezienie wszystkich rozwiązań DC oraz zamieszczono przykład liczbowy potwierdzający skuteczność tego rodzaju podejścia.

EN

The paper deals with nonlinear circuits having multiple equilibrium points (DC solutions). A simple method enabling us to find some of the multiple DC solutions is developed. It is based on the idea of test characteristics. Four types of the characteristics have been defined. The proposed method can be combined with an algorithm that guarantees finding all the solutions. A numerical example given in the paper shows that the proposed approach is efficient.

2

Analysis of CMOS circuits having multiple DC operating points

84%

Hałgas M. , Tadeusiewicz M.

|

2011

|

tom R. 87, nr 5

40-42

EN

This paper is devoted to the analysis of the circuits containing short-channel MOS transistors, having multiple DC solutions (operating points). The transistors are characterized by the PSP model, the most advanced surface-potential-based compact MOSFET model, selected (since December 2005) as standard for the new generation of integrated circuits. This paper offers an algorithm enabling us to find multiple DC solutions and trace multivalued input-output characteristics of integrated circuits using the latest PSP 103.1.1 MOSFET model. The main idea of the algorithm is based on a single-valued driving point characteristic, called a test characteristic and the section-wise piecewise-linear approximations. The approach proposed in this paper is illustrated via a numerical example.

PL

Praca dotyczy analizy układów zawierających tranzystory MOS z krótkim kanałem, mających wiele rozwiązań DC. Tranzystory są opisane za pomocą modelu PSP, najbardziej zaawansowanego, opartego na koncepcji potencjału powierzchniowego modelu MOSFET, uznanego w 2005 roku za standardowy w zastosowaniu do nowej generacji układów scalonych. W pracy zaproponowano algorytm obliczania wielokrotnych rozwiązań DC oraz wyznaczania wielowartościowych charakterystyk typu wejście-wyjście układów scalonych, z użyciem najnowszej wersji PSP 103.1.1 modelu MOSFET. W algorytmie wykorzystano pewne jedno-wartościowe charakterystyki wejściowe, zwane charakterystykami testowymi oraz uogólnioną odcinkowo-liniową aproksymację. Dla ilustracji podano przykład liczbowy.

3

Zastosowanie koncepcji homotopii do analizy DC układów tranzystorowych z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania

84%

Tadeusiewicz M. , Hałgas S.

|

2008

|

tom Vol. 49, nr 11

140-144

PL

Artykuł dotyczy analizy układów tranzystorowych o pojedynczym rozwiązaniu DC (punkcie pracy) z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania chipu. Zaproponowano algorytm, którego kluczowym ogniwem jest bardzo efektywna metoda wyznaczania punktu pracy w ustalonej temperaturze, wykorzystując koncepcję homotopii. Zjawisko samonagrzewania jest uwzględnione przy wykorzystaniu elektrycznego analogu termicznego zachowania chipu. Ponadto wprowadzono modyfikację algorytmu umożliwiając skuteczne wyznaczanie charakterystyk termicznych w zależności od temperatury otoczenia. Przytoczono przykład liczbowy ilustrujący proponowane podejście.

EN

This paper is devoted to the analysis of diode-transistor circuits having a unique operating point (DC solution) and offers an algorithm for finding the solution considering the thermal behavior of the chip. The crucial point of the algorithm is a very efficient method for finding the DC solution without thermal constraint based on the homotopy concept. It also exploits a known idea of electrical analog of the chip thermal behavior. Furthermore an algorithm for tracing the characteristic expressing the solution in terms of the ambient temperature, allowing for the thermal behavior of the chip, is developed. A numerical example illustrates all the questions discussed in this paper.

4

Contraction and elimination methods for finding multiple DC solutions of bipolar circuits

84%

Tadeusiewicz M. , Hałgas S.

|

2010

|

tom R. 86, nr 1

11-13

EN

The paper is focused on the analysis of diode-transistor circuits having multiple DC solutions and brings two methods enabling us to find the solutions, without any piecewise-linear approximations. The first method is a modification of an earlier developed method, whereas the other is new and based on an original idea. Both the methods are implemented in an algorithm that guarantees finding all the DC solutions. Numerical experiments show that the proposed approach is efficient, the analysis is improved and the computation process is speeded up.

PL

Artykuł dotyczy analizy układów diodowo-tranzystorowych o wielu rozwiązaniach stałoprądowych. Zaproponowano dwie metody umożliwiające wyznaczanie tych rozwiązań bez konieczności stosowania aproksymacji odcinkowo-liniowej. Metody te zaimplementowano w postaci algorytmu gwarantującego znalezienie wszystkich rozwiązań DC. Eksperymenty numeryczne potwierdziły efektywność zaproponowanego podejścia.