Main results stemming from a new quasi‑2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.
PL
W artykule zaprezentowano ważniejsze wyniki nowoopracowanego quasi-dwuwymiarowego, niequasi-stycznego modelu małosygnałowego czterokońcówkowego tranzystora MOS. Wyniki weryfikacji eksperymentalnej w zakresie częstotliwości do 30 GHz potwierdzają porawność zaprezentowanego modelu.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.