Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: CMOS integrated circuit

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Design of Highly Linear Tunable CMOS OTA Using a Linearizing Differential Pair in the Output Stage

100%

Kozieł S. , Szczepański S.

tom Vol. 50, Nr 3

197--211

An analytical method based on the standard square-law MOS modelling for the design of highly linear, fully differential CMOS operational transconductance amplifier (OTA) is presented. The proposed circuit implementation combines a cross-coupled quad cell with a source-coupled differential pair, as well as the current mirror technique. As a result, improved linearity of the developed OTA over the large tuning range is obtained. SPICE simulations show that for 0.5 mm HP AMOS14TB process (MOSIS) with a 2.5V power supply. Total Harmonic Distortion (THD) at 2.5Vpp is less than 0.2%. The dynamic range is equal to 77dB at power consumption 6.6mW.

Design of a 3.3V Four-Quadrant Analog CMOS Multiplier

80%

Szczepański S. , Kozieł S.

2003

tom Vol. 51, nr 2

163-172

The two CMOS four-quadrant analog multipliers that can operate from a supply voltage of 3.3V are presented. The proposed circuit technique has been developed using MOS transistors working both in saturation and nonsaturation regions. Simulation results have shown that the introduced circuit based on MOS devices operating in the linear region has the total harmonic distortion (THD) less than 0.75% for input signal up to 2Vpp with 10MHz sine wave. A 3-dB bandwidth about 1GHz is attainable from either input. A power consumption of the circuit is 1.4mW.

Fractal geometries in lateral flux capacitor design – experimental results

60%

Kocanda P. , Kos A. , Gołda A.

tom nr 2

6--9

Capacitance density is increased when lateral flux structures are used in CMOS technologies compared to classic parallel-palate capacitors. Lateral-flux capacitors where designed based on three different fractal geometries. Capacitors are designed with and without special MMC metal layer available in some CMOS technologies for capacitor design. For theoretical analysis verification a special ASIC has been designed and fabricated in UMC 0.18um technology. Presented result are obtained by measurement of 5 ICs. Some capacitor structures have much higher capacitance density than classic parallel-plates capacitor without MMC layer. Few presented structures have higher capacitance density than parallel-plate capacitor made with MMC layer. Capacitors have small process parameters spread.

W porównaniu do klasycznych kondensatorów z równoległymi okładkami użycie struktur z poprzeczną pojemnością pozwala na zwiększenie gęstości pojemności przy projektowaniu kondensatorów w technologiach CMOS. Kondensatory z poprzeczną pojemnością zostały zaprojektowane na bazie trzech rożnych fraktali. Struktury kondensatorów zostały zaprojektowane z i bez użycia specjalnej warstwy metalu MMC, dostępnej w niektórych technologiach CMOS, do projektowania kondensatorów. Do sprawdzenia teoretycznych rozważań specjalny układ ASIC został zaprojektowany i wykonany w technologii UMC 0.18um. Przedstawione wyniki są efektem pomiarów 5 układów scalonych. Niektóre struktury kondensatorów mają dużo większą gęstość pojemności niż klasyczne kondensatory bez warstwy MMC. Niewiele zaprojektowanych struktur ma większą gęstość pojemności niż kondensatory klasyczne z warstwą MMC. Rozrzut parametrów kondensatorów jest niewielki.