In this paper the free vibrations frequencies of tapered Euler-Bernoulli beams are calcu-lated, in the presence of an arbitrary number of rotationally and/or axially, elastically flexible constraints. The dynamic analysis is performed by means of the so-called cell discretization method (CDM), according to which the beam is reduced to a set of rigid bars, linked together by elastic sections, where the bending si iffness and the distributed mass of the bars is concentrated. The resulting stiffness matrix and mass matrix are easily deduced, and the generalized symmetric eingenvalue problem can be immediately solved. Various numerical comparisons allow us to show the potentialities of the proposed approach.
Przedstawiono zagrożenia spowodowane wyładowaniami elektrostatycznymi (Electrostatic Discharge ESD) w nowoczesnych układach scalonych wykonywanych w technologii CMOS oraz metodologię ich charakteryzowania i kwalifikację. Podano przykłady konkretnych rozwiązań konstrukcyjnych.
EN
The aim of the paper is to provide ESD models and to describe the dangers of Electrostatic Discharges (ESD) in integrated circuits (IC) manufactured in the modern sub-µ CMOS technology.
Przedstawiono budowę, działanie, sposób charakteryzacji i rozwiązania konstrukcyjne układów zabezpieczających przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD) układów scalonych wykonywanych w technologii CMOS.
EN
The aim of the paper is to provide the structure, functioning and ways of measuring the Electrostatic Discharges (ESD) elements in integrated circuits (IC) manufactured in the modern sub-µ CMOS technology.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.