Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: AlGaN

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zastosowanie warstw azotków do konstrukcji filtrów z powierzchniową fala akustyczną

100%

Szyszka A. , Paszkiewicz B. , Paszkiewicz R. , Tłaczała M. , Dumiszewska E. , Strupiński W. , Teodorczyk M.

tom Vol. 45, nr 10

8-9

W pracy przedstawiono wyniki badań nad opracowaniem technologii i konstrukcji filtrów z powierzchniową falą akustyczną wytwarzanych na epitaksjalnych warstwach azotków. Wykonano struktury filtrów SAW. Przedstawiono charakterystyki prądowo napięciowe przetworników międzypalczastych oraz przykładową charakterystykę częstotliwościową filtra wykonanego na warstwie Al0,147Ga0,853 N/Ga.

The SAW (Surface Acoustic Wave) transducers technology based on epitaxial layers of nitrides were designed. The device structures were fabricated. Their dc frequency characteristic were measured and discussed.

Pomiary charakterystyk szumowych jako narzędzie diagnostyczne detektorów UV

84%

Ćwirko J. , Ćwirko R.

tom nr 4(40)

199-202

W artykule przedstawiono zastosowanie analizy niskoczęstotliwościowych charakterystyk szumowych do diagnostyki detektorów UV. Ze względu na zakres widmowy detektory UV są wykonywane z materiałów o szerokiej przerwie zabronionej, głównie z GaN, AlN, SiC. Detektory UV są głównie stosowane w automatyce przemysłowej, robotyce, medycynie, systemach ochrony środowiska i technologiach militarnych. Charakterystyki szumowe detektorów były mierzone w szerokim zakresie temperatury (80 K - 350 K) oraz w funkcji napięcia polaryzacji. Analiza charakterystyk szumowych umożliwia wybranie optymalnego punktu pracy detektora ze względu na stosunek sygnału użytecznego do szumu oraz pozwala prognozować jego niezawodność.

The work is aimed on analyze the low frequency noise characteristics of UV detectors. UV detectors are manufactured from wide band gap materials as GaN, AlGaN, SiC. The most important fields of UV detectors applications are industrial automation, robotics, space technology, medicine, military technology and solar ultraviolet measurements. The noise characteristics of UV detectors were measurement in wide temperature range (from 80 K to 350 K) and as function of polarization. The investigation results should be allowed to optimize the UV detection system providing maximal value of signal-to-noise ratio, selection of the optimal working point and estimate reliability of detectors UV.

Investigation of deep defects using generation-recombination noise

83%

Gislason H. P. , Seghier D.

tom Vol. 36, nr 2-3

359-371

Noise spectroscopy is an effective tool to characterize the quality of semiconductor bulk and surface and a figure of merit for device quality as a whole. In certain cases, low-frequency noise can be used for the evaluation of device reliability. Further, measurements of the noise characteristics of GaAs materials are a useful technique when it comes to studying deep defects exhibiting a thermally activated capture. In the paper we present the technique of noise spectroscopy and illustrate it with some applications. They include photocapacitive and noise measurements on a deep DX-like defect which gives rise to persistent photoconductivity in Mg-doped p-type GaN films. We also apply DLTS, photoconductivity and noise spectroscopy to characterize n-type bulk GaAs and an EL2-related metastable defect. The third example illustrates experimental results on the photoconductivity and noise of forward and reverse biased Al0.3Ga0.7N/GaN-based Schottky barriers. In the light of these results the nature and origin of the responsible centers are discussed.

Komputerowe modelowanie przyrządów opartych na heterostrukturze AIGaN/GaN/Al2O3

42%

Pasecki T. , Kośnikowski W.

tom Vol. 46, nr 2-3

50-51

Modelowano tranzystor HFET oparty na heterostrukturze AlGaN/GaN/AI₂O₃ z uwzględnieniem wpływu polaryzacji spontanicznej i piezoelektrycznej w naprężonej warstwie AlGaN. Polaryzacja warstwy AIGaN pozwala na konstruowanie niedomieszkowanych HFET. Badano wpływ polarności warstw na działanie przyrządu. Jedynie wartswy o polarności galowej okazały się przydatne do konstrukcji HFET. Uwzględniono specjalne metody obniżania koncentracji elektronów.

HFET based on AlGaN/GaN/AI₂O₃ heterostructure have been modelled. Influence of spontaneous and piezoelectric polarisation effect in strained AlGaN layer was included in modelled structures. Polarisation of AlGaN layer allows building undoped HFET. Influence of AIII-N layers polarity on device performance was modelled. Only Ga-face structures appeared suitable for HFET construction. Models took into account special methods of lowering intrinsic electron concentration as it is crucial for proper device performance.