Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: 2DEG

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Measurements of AlGaN/GaN heterostructures for sensor applications

100%

Hojko M. R. , Paszuk D. , Paszkiewicz B.

tom Vol. 43, nr 1

35--38

In the paper, the behavior of AlGaN/GaN HEMT-type heterostructures in a water solution of (KOH + HCl) with differing pH was studied. The influence of the electrolyte pH on channel pinch-off voltage was measured using impedance spectroscopy methods. It was observed that the change of the pH of electrolyte has a strong effect on the pinch-off voltage of AlGaN/GaN HEMT-type heterostructures independently of the concentration of other ions. In high-pH environment the so-called memory effect of heterostructures was revealed. Its possible origin was discussed. A general theory to explain all results was proposed.

Komputerowe modelowanie przyrządów opartych na heterostrukturze AIGaN/GaN/Al2O3

83%

Pasecki T. , Kośnikowski W.

tom Vol. 46, nr 2-3

50-51

Modelowano tranzystor HFET oparty na heterostrukturze AlGaN/GaN/AI₂O₃ z uwzględnieniem wpływu polaryzacji spontanicznej i piezoelektrycznej w naprężonej warstwie AlGaN. Polaryzacja warstwy AIGaN pozwala na konstruowanie niedomieszkowanych HFET. Badano wpływ polarności warstw na działanie przyrządu. Jedynie wartswy o polarności galowej okazały się przydatne do konstrukcji HFET. Uwzględniono specjalne metody obniżania koncentracji elektronów.

HFET based on AlGaN/GaN/AI₂O₃ heterostructure have been modelled. Influence of spontaneous and piezoelectric polarisation effect in strained AlGaN layer was included in modelled structures. Polarisation of AlGaN layer allows building undoped HFET. Influence of AIII-N layers polarity on device performance was modelled. Only Ga-face structures appeared suitable for HFET construction. Models took into account special methods of lowering intrinsic electron concentration as it is crucial for proper device performance.